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张立瑶

作品数：15 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信文化科学电气工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 6篇分子束
  • 6篇分子束外延
  • 5篇金属有机物
  • 5篇金属有机物化...
  • 5篇发光
  • 4篇电池
  • 4篇磷化物
  • 3篇单晶
  • 3篇红外
  • 2篇单晶硅
  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇电池技术
  • 2篇电池结构
  • 2篇钝化层
  • 2篇源区
  • 2篇商用
  • 2篇势垒
  • 2篇势垒层
  • 2篇通信

机构

  • 15篇中国科学院
  • 1篇上海科技大学
  • 1篇查尔姆斯理工...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 15篇张立瑶
  • 13篇李耀耀
  • 13篇王庶民
  • 7篇王凯
  • 7篇宋禹忻
  • 6篇张振普
  • 1篇龚谦
  • 1篇顾溢
  • 1篇潘文武
  • 1篇王朋
  • 1篇王凯

传媒

  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 5篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
InPBi薄膜分子束外延生长
稀铋Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体由于铋原子的引入，能有效增强自旋轨道分裂，减小禁带宽度，可用于制备多种光电子器件，引起了广泛的关注[1-3].通过引入Bi原子来调控InP的能带结构和材料应变，能够有效地调节材料的发光波长.K.W...
张立瑶潘文武王凯王朋吴晓燕崔健张振普岳丽王庶民
GeSn/Ge双纳米线异质结构
GeSn合金材料作为一种新型的Ⅳ族半导体材料,其能带结构能在Sn组分大于～6.5％-11％转变为直接带隙,从而有望实现与现有CMOS工艺兼容的Si基Ⅳ族发光材料和器件.然而,由于Ge与α-Sn之间的晶格失配有15％,这使...
朱忠赟珅宋禹忻韩奕李耀耀张振普张立瑶薛忠营狄增峰王庶民
关键词：半导体材料
一种发光二极管及光学相干层析成像系统
本发明公开了一种发光二极管及采用该发光二极管的光学相干层析(OCT)成像系统。所述发光二极管器件基于InPBi发光层材料，其具有超过现有超辐射发光二极管的宽光谱特性。采用InPBi发光层的发光二极管作为宽光谱光源的OCT...
张立瑶王庶民李耀耀王凯
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一种基于张应变Ge纳米线的有源区结构及激光器
本发明提供了一种基于张应变Ge纳米线的有源区结构及激光器，该有源区结构包括第一势垒层、Ge纳米线和第二势垒层，所述Ge纳米线位于所述第一势垒层和所述第二势垒层之间。本发明通过将现有的CMOS工艺相兼容Ge材料转化为直接带...
朱忠赟珅宋禹忻李耀耀韩奕张振普张立瑶王庶民
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一种发光二极管及光学相干层析成像系统
本发明公开了一种发光二极管及采用该发光二极管的光学相干层析(OCT)成像系统。所述发光二极管器件基于InPBi发光层材料，其具有超过现有超辐射发光二极管的宽光谱特性。采用InPBi发光层的发光二极管作为宽光谱光源的OCT...
张立瑶王庶民李耀耀王凯
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一种可获得极宽短波红外发光谱的半导体材料及其制备方法
本发明公开了一种可获得极宽短波红外发光谱的半导体材料及其制备方法，通过在生长磷化铟（InP）材料时加入少量铋（Bi）元素形成全新的InPBi材料，获得室温下短波红外区域光致发光谱波长覆盖范围极宽的材料。比如当Bi的元素百...
王凯王庶民张立瑶顾溢龚谦
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一种面内Ge纳米线发光材料的制备方法
本发明提供了一种面内Ge纳米线发光材料的制备方法，目的在于解决既能够直接带隙发光又能够兼容现有的CMOS工艺的发光材料，其包括如下步骤：在单晶硅衬底上外延生长预制的过渡晶体单元，且顶层材料的晶格常数大于Ge材料；在所述预...
宋禹忻朱忠赟珅李耀耀韩奕张振普张立瑶王庶民
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一种基于稀铋磷化物的中间带太阳能电池结构
本发明公开了一种基于稀铋磷化物材料的中间带太阳能电池结构，通过在磷化物中掺入少量铋原子，在磷化物禁带内产生新的杂质能带，杂质能带与磷化物导带边和价带边距离可通过改变磷化物中Al、Ga、In元素组分来调控，并在一个较宽的范...
王庶民张立瑶李耀耀王凯
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一种基于张应变Ge纳米线的有源区结构及激光器
本发明提供了一种基于张应变Ge纳米线的有源区结构及激光器，该有源区结构包括第一势垒层、Ge纳米线和第二势垒层，所述Ge纳米线位于所述第一势垒层和所述第二势垒层之间。本发明通过将现有的CMOS工艺相兼容Ge材料转化为直接带...
朱忠赟珅宋禹忻李耀耀韩奕张振普张立瑶王庶民
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一种二维锡烯材料的制备方法
本发明提供一种二维锡烯材料的制备方法，包括以下步骤：1)在单晶衬底上外延生长单层或多原子层的α‑Sn晶体薄膜，其中，所述单晶衬底与α‑Sn晶体薄膜通过sp<Sup>3</Sup>化学键相连；2)采用原子和/或离子和/或电...
宋禹忻王庶民张振普李耀耀张立瑶
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共2页<12>
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