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范继

作品数：34 被引量：0H指数：0
供职机构：华中科技大学更多>>
相关领域：文化科学电子电信自动化与计算机技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 33篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇文化科学
  • 2篇化学工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇天文地球
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 10篇重力梯度
  • 10篇重力梯度仪
  • 7篇刻蚀
  • 6篇MEMS
  • 5篇等离子体
  • 5篇重力仪
  • 5篇感应耦合
  • 5篇感应耦合等离...
  • 4篇振子
  • 4篇刻蚀深度
  • 4篇加速度
  • 4篇加速度计
  • 4篇封装
  • 4篇干法刻蚀
  • 4篇磁场
  • 3篇真空计
  • 3篇热压键合
  • 3篇万有引力
  • 3篇微纳加工
  • 3篇键合

机构

  • 34篇华中科技大学

作者

  • 34篇范继
  • 31篇涂良成
  • 21篇刘金全
  • 9篇伍文杰
  • 5篇罗俊
  • 4篇喻立
  • 4篇唐世豪
  • 3篇王秋
  • 2篇陈鹏
  • 2篇陈科
  • 2篇王超
  • 2篇黄祥青
  • 1篇周泽兵
  • 1篇胡忠坤
  • 1篇刘跃龙

传媒

  • 1篇华中科技大学...

年份

  • 7篇2022
  • 4篇2021
  • 1篇2020
  • 5篇2019
  • 7篇2018
  • 3篇2017
  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
共 34 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种重力梯度仪测量系统数值仿真方法
本发明公开一种重力梯度仪测量系统数值仿真方法，包括下述步骤：计算加速度计到检测质量的位置向量，并计算加速度计的自噪声；获得输入梯度仪的比力向量，角速度向量；计算加速度计的比力向量在梯度仪测量坐标系的坐标；计算四只加速度计...
喻名彪涂良成胡宸源范继刘金全喻立于晓兵郭旭凯
一种旋转式重力梯度仪的磁场效应评估方法、装置及系统
本发明公开了一种旋转式重力梯度仪的磁场效应评估方法、装置及系统，属于重力梯度测量领域，包括：利用安装于转台上的n对磁力计实时测量磁场强度，成对的磁力计相位相差180°；对于每对磁力计，计算三个方向的磁梯度，并解调得到各方...
陈鹏胡宸源邓忠光熊竞达范继涂良成
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一种基于MEMS的电离真空计及其制备方法
本发明公开了一种基于MEMS的电离真空计及其制备方法，本发明中的气压计芯片主要采用半导体微纳加工工艺，由SOI硅片上的发射体、门极、阳极构成；发射体是图案化的碳纳米管(CNT)阵列，使用CNT阵列作为冷阴极发射体材料，利...
孙雷蒙范继陈科肖东阳王玉容涂良成
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一种晶圆级三层结构的封装方法
本发明公开一种晶圆级三层结构的封装方法，包括：制备上层晶圆结构、中间层晶圆结构和下层晶圆结构；对中间层晶圆结构的背面和下层晶圆结构的正面进行等离子体活化处理；利用键合机将中间层晶圆结构的背面和下层晶圆结构的正面对准，对中...
魏晓莉范继饶康涂良成
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基于硅片刻穿的体硅加工工艺
本发明公开了一种基于硅片刻穿的体硅加工工艺。包括如下步骤：在硅片表面制备图形化的光刻胶掩膜；在硅片背面镀金属膜；用真空油将金属膜粘贴在托片上，托片为表面有氧化层的硅片；用感应耦合等离子体干法刻蚀系统刻穿硅片，得到体硅微结...
涂良成刘金全范继伍文杰罗俊
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一种MEMS重力仪
本发明公开了一种MEMS重力仪；包括：振子单元，位移传感结构，位移检测电路，腔体和水平调节基座；振子单元设置在腔体的内部，振子单元包括：负刚度弹簧、正刚度弹簧、检验质量和外框；检验质量通过正刚度弹簧和负刚度弹簧与外框相连...
涂良成唐世豪刘金全范继
一种封装间距可高精度控制的MEMS封装结构及封装方法
本发明公开一种封装间距可高精度控制的MEMS封装结构及封装方法，包括：硅基底、限位装置、第一封装环、上盖帽以及第二封装环，限位装置的高度大于第一封装环和第二封装环的高度之和；限位装置和第一封装环设置在硅基底上，第二封装环...
范继伍文杰涂良成刘金全邱文瑞
一种重力梯度仪测量系统数值仿真方法
本发明公开一种重力梯度仪测量系统数值仿真方法，包括下述步骤：计算加速度计到检测质量的位置向量，并计算加速度计的自噪声；获得输入梯度仪的比力向量，角速度向量；计算加速度计的比力向量在梯度仪测量坐标系的坐标；计算四只加速度计...
喻名彪涂良成胡宸源范继刘金全喻立于晓兵郭旭凯
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一种基于位移差分的MEMS重力梯度仪
本发明公开了一种基于位移差分的MEMS重力梯度仪。包括第一振子单元和第二振子单元；前者包括第一外围框架和与第一外围框架通过第一组梁连接的第一检验质量，后者包括第二外围框架和与第二外围框架通过第二组梁连接的第二检验质量，第...
涂良成唐世豪范继刘金全
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一种封装间距可高精度控制的MEMS封装结构的封装方法
本发明公开一种封装间距可高精度控制的MEMS封装结构及封装方法，包括：硅基底、限位装置、第一封装环、上盖帽以及第二封装环，限位装置的高度大于第一封装环和第二封装环的高度之和；限位装置和第一封装环设置在硅基底上，第二封装环...
范继伍文杰涂良成刘金全邱文瑞
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