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史春伟

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第十一研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 2篇导热
  • 2篇导热率
  • 2篇碲镉汞
  • 2篇碲镉汞材料
  • 2篇刻蚀
  • 2篇光刻
  • 1篇倒角
  • 1篇损伤层
  • 1篇探测器
  • 1篇抛光
  • 1篇去离子
  • 1篇碲镉汞薄膜
  • 1篇晶片
  • 1篇焦平面
  • 1篇焦平面探测器
  • 1篇角器
  • 1篇光刻胶
  • 1篇红外
  • 1篇红外焦平面
  • 1篇红外焦平面探...

机构

  • 3篇中国电子科技...

作者

  • 3篇陈慧卿
  • 3篇史春伟
  • 2篇谭振
  • 2篇李龙
  • 1篇孙海燕

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种半导体晶片的抛光倒角方法
本发明公开了一种半导体晶片的抛光倒角方法，包括：步骤A：将半导体晶片的正面涂覆光刻胶；步骤B：将涂覆光刻胶后的所述半导体晶片粘接到倒角器上；步骤C：将所述粘好半导体晶片的倒角器放到抛光盘上抛光倒角。依照本发明将半导体晶片...
孙海燕陈慧卿史春伟
文献传递
一种用于碲镉汞材料低损伤高均匀性的刻蚀方法
本发明公开了一种用于碲镉汞材料低损伤高均匀性的刻蚀方法，所述方法包括：步骤1，在碲镉汞薄膜的芯片上，按照刻蚀图形要求进行光刻；步骤2，利用导热冷却液将芯片粘接在样品盘上，并将其置入具备PTSA等离子源的ICP设备的刻蚀腔...
谭振陈慧卿史春伟李龙
文献传递
一种用于碲镉汞材料低损伤高均匀性的刻蚀方法
本发明公开了一种用于碲镉汞材料低损伤高均匀性的刻蚀方法，所述方法包括：步骤1，在碲镉汞薄膜的芯片上，按照刻蚀图形要求进行光刻；步骤2，利用导热冷却液将芯片粘接在样品盘上，并将其置入具备PTSA等离子源的ICP设备的刻蚀腔...
谭振陈慧卿史春伟李龙
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