仇鹏飞
- 作品数：61 被引量：45H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院重点部署项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程电子电信金属学及工艺更多>>
- 环形构造热电器件
- 本发明涉及环形构造热电器件，包括：沿着轴向交替排列的锥形热电元件和锥形绝缘隔热材料部件；各所述锥形热电元件串联连接。本发明的环形构造热电器件结构合理、有利于成本控制、性能优化和批量化生产工艺。
- 黄向阳柏胜强尹湘林仇鹏飞顾明陈立东
- 文献传递
- 一种高力学性能方钴矿基热电复合材料及其制备方法
- 本发明涉及一种高力学性能方钴矿基热电复合材料及其制备方法，所述复合材料由方钴矿热电材料基体和补强增韧的第二相材料组成，其中，所述第二相材料为纤维和/或晶须，第二相材料的体积为所述复合材料体积的0.2%-8%。所述方法包括...
- 黄向阳万舜仇鹏飞柏胜强陈立东
- 文献传递
- 一种N型高性能硫银锗矿热电材料及其制备方法
- 本发明涉及一种N型高性能硫银锗矿热电材料及其制备方法，所述硫银锗矿热电材料的化学组成为Ag<Sub>9</Sub>GaSe<Sub>6‑x‑y</Sub>Te<Sub>y</Sub>，其中0≤x≤0.03，0≤y≤0.7...
- 史迅陈立东江彬彬仇鹏飞陈弘毅张骐昊任都迪
- 文献传递
- Cu2Se类液态热电材料扩散阻挡层的研究被引量：3
- 2020年
- 首先选用Mo作为Cu2Se的扩散阻挡层材料,通过一步法热压烧结制备了Cu2Se/Mo/Cu2Se三明治结构样品,发现Cu2Se/Mo异质界面具有极低的界面接触电阻率。但是,Cu2Se/Mo界面结合强度较差,不利于器件的长时间稳定工作。随后,通过在Mo层中引入活性元素Mn,利用Mn在Cu2Se中易于扩散的特点,在保持极低界面接触电阻率的同时,显著提高了异质界面的结合强度。高温长时间老化后,Cu2Se/Mo-Mn界面仍然保持良好的界面结合和低的界面接触电阻率。表明Mo-Mn金属混合相是与Cu2Se材料相匹配的扩散阻挡层,可用以开发具有良好服役性能的Cu2Se基热电器件。
- 黄仲夫顾明仇鹏飞邵笑任都迪史迅柏胜强陈立东
- 关键词：阻挡层接触电阻率
- 一种高含量重元素掺杂的β-FeSi<Sub>2</Sub>基热电材料及其制备方法
- 本发明涉及一种高含量重元素掺杂的<I>β</I>‑FeSi<Sub>2</Sub>基热电材料及其制备方法，所述<I>β</I>‑FeSi<Sub>2</Sub>基热电材料的化学组成为Fe<Sub>1‑<I>x</I></...
- 史迅杜小龙仇鹏飞陈立东
- 文献传递
- 一种环形构造热电器件的制备方法
- 本发明的一种环形构造热电器件的制备方法，包括：将第一金属连接层放置于在中空的模具的内壁上纵向设置的凹槽处；在所述模具中插入中心棒；在所述中心棒与所述模具的外壳之间的环形的中空部中依次铺设第一热电材料、隔离层材料和第二热电...
- 仇鹏飞黄向阳陈立东顾明史迅夏绪贵唐云山王超
- 文献传递
- 表征大电流作用下热电材料服役稳定性的测量装置和方法
- 本发明涉及一种结构简单、操作方便的表征大电流作用下热电材料服役稳定性的测量装置和方法。测量装置包括：容纳于控温炉中的正负电极，待测样品固定在所述正负电极之间；与所述正负电极串联连接的电源和电流表；与所述待测样品上的热电偶...
- 史迅朱雅琴陈立东仇鹏飞
- 环形热电器件及其制备方法
- 本发明涉及环形热电元器件及其制备方法。该环形热电器件具备：沿轴向依次交替排列的多个环形P型热电元件和N型热电元件；设置于每对所述P型热电元件和N型热电元件之间的环形的隔离层；所述多个环形P型热电元件和N型热电元件之间串联...
- 黄向阳仇鹏飞顾明王超柏胜强陈立东
- 文献传递
- 一种制备热电厚膜的方法
- 本发明涉及一种制备热电厚膜的方法，包括：确定热电材料的脆性‑塑性转变温度；将块状热电材料在其脆性‑塑性转变温度及其以上且熔点以下的温度区间内进行辊压处理；所述辊压处理的参数包括：辊筒的线速度为0.01～10 mm/s、优...
- 史迅仇鹏飞高治强陈立东杨世琪杨青雨
- 文献传递
- 热挤压工艺对Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)材料热电性能和力学性能的影响
- 2024年
- 碲化铋(Bi_(2)Te_(3))基化合物作为室温附近性能最优异的热电材料,在热电制冷及发电技术中已获得广泛商业化应用。目前商业化生产的Bi_(2)Te_(3)基热电材料主要采用区熔法制备,虽然具有优异的热电性能,但材料容易解理,力学性能较差,无法满足微型热电器件的加工需求。本工作探索最佳热挤压工艺参数,采用热挤压技术在不同工艺条件下制备了n型Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)热电材料样品,并对样品进行物相分析、热电性能以及力学性能表征。结果表明,在确定的挤压比以及挤压速率下,提高挤压温度有利于减少样品裂纹,而过快的挤压速率则会导致样品断裂,最佳工艺参数为挤压温度400℃以及挤压速率0.05 mm/s。采用最佳工艺参数在不同工艺条件下制备的n型Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)样品中,通过放电等离子烧结结合热挤压所制备的样品热电性能最高,在400K时zT值可达到0.83,并且其力学性能显著提升,维氏硬度可达602.5 N/mm^(2),为区熔Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)材料的2倍。Bi_(2)Te_(2.7)Se_(0.3)材料的机械加工性能也随之提升,采用封装切割工艺可以加工出最小尺寸达到147μm的微型热电粒子,为后续Bi_(2)Te_(3)基微型热电器件的加工制备提供了材料基础。
- 李泉邢通李小亚仇鹏飞史迅
- 关键词：热电材料碲化铋热挤压热电性能
