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陈墨

作品数:47 被引量:40H指数:3
供职机构:常州大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金江苏省自然科学基金江苏省普通高校研究生科研创新计划项目更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术文化科学理学更多>>

文献类型

  • 35篇专利
  • 12篇期刊文章

领域

  • 9篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 3篇文化科学
  • 2篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇医药卫生

主题

  • 26篇电路
  • 16篇混沌
  • 10篇混沌电路
  • 9篇神经元电路
  • 8篇吸引子
  • 8篇非线性
  • 8篇非线性项
  • 7篇硬件
  • 6篇神经元
  • 6篇神经元模型
  • 6篇输入端
  • 6篇混沌系统
  • 5篇有源
  • 5篇状态变量
  • 5篇积分
  • 4篇等效
  • 4篇等效电路
  • 4篇信号
  • 4篇运算放大器
  • 4篇神经网

机构

  • 47篇常州大学
  • 1篇南京航空航天...
  • 1篇南京信息职业...
  • 1篇南京理工大学

作者

  • 47篇陈墨
  • 35篇徐权
  • 32篇包伯成
  • 18篇武花干
  • 12篇王将
  • 7篇王宁
  • 5篇包涵
  • 4篇钱辉
  • 3篇林毅
  • 2篇王超
  • 2篇俞清
  • 2篇方家熊
  • 2篇景为平
  • 1篇胡文
  • 1篇胡丰伟
  • 1篇储开斌
  • 1篇杨艳
  • 1篇陈胜垚
  • 1篇于晶晶
  • 1篇李芳苑

传媒

  • 4篇电子与信息学...
  • 2篇物理学报
  • 1篇电子学报
  • 1篇电气电子教学...
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇中国科学:技...
  • 1篇常州大学学报...
  • 1篇教育信息化论...

年份

  • 1篇2025
  • 8篇2024
  • 5篇2023
  • 6篇2022
  • 1篇2021
  • 5篇2020
  • 3篇2019
  • 3篇2018
  • 4篇2017
  • 3篇2016
  • 7篇2015
  • 1篇2014
47 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
具有线平衡点的非理想压控型忆阻混沌电路
本发明提供一种具有线平衡点的非理想压控型忆阻混沌电路,包括两部分:非理想压控型忆阻W和规范型蔡氏电路。通过将改进型的压控型忆阻W替换规范型蔡氏电路二极管,得到四阶自治忆阻混沌电路。该电路具有位于忆阻状态变量的线平衡点,实...
包伯成罗姣燕陈成杰祁建伟陈墨徐权
文献传递
基于产教融合的电子设计基础课程建设探究
2024年
电子设计基础是为适应常州大学机器人产业学院产业创新人才培养需求而新开设的一门课程。该课程对电子信息类专业基础课程——电路分析、模拟电子技术及数字电子技术进行整合,并以企业工程项目“简易阻抗测试仪的设计”为牵引,重构课程知识体系。该课程构建了高校主导、企业参与的产教融合创新生态,打通了高校人才培养与企业需求的“最后一公里”。
武花干陈墨徐权储开斌
关键词:课程建设
面向多平台的基于时间的混沌动态密码生成方法
本发明涉及动态密码技术领域,尤其涉及面向多平台的基于时间的混沌动态密码生成方法,包括利用非线性项tanh和cosine,采用线性和非线性耦合方式,构建2D‑TDM模型;设置2D‑TDM模型参数和初值作为密钥,并对实时时间...
包涵 苏圆惠 席旻祺 陈柳桧陈墨
一种基于局部有源忆阻的神经形态电路
本发明涉及神经形态电路技术领域,尤其涉及一种基于局部有源忆阻的神经形态电路,包括浮地型二阶局部有源忆阻替换钠离子通道电导G<Sub>Na</Sub>与钠离子通道偏置电压E<Sub>Na</Sub>串联构成一条支路;浮地型...
徐权王艺腾陈雄建丁首魁刘通武花干陈墨
具有超级多稳定性的连续型Rulkov电子神经元电路
本发明涉及电子神经元技术领域,尤其涉及具有超级多稳定性的连续型Rulkov电子神经元电路,包括:忆阻等效电路和Rulkov神经元主电路,忆阻等效电路输出端和Rulkov神经元主电路输入端电性连接,忆阻等效电路包括依次电性...
徐权居朱涛刘通周杰陈墨武花干
一种带直流偏置电压的隐藏吸引子产生电路
本发明涉及电子信息技术领域,尤其涉及一种带直流偏置电压的隐藏吸引子产生电路,包括直流偏置电压和忆阻蔡氏电路,直流偏置电压与忆阻蔡氏电路电性连接,得到产生隐藏动力学的直流电压偏置忆阻蔡氏电路,忆阻蔡氏电路包括:忆阻等效电路...
陈墨王超王安凯徐权武花干
一种浮地磁控忆阻模拟器设计与特性分析被引量:3
2018年
从忆阻的定义出发,本文提出了一种新的磁控忆阻模型,并采用通用有源电路芯片设计了浮地忆阻电路模拟器。忆阻模型由线性电阻和随时间变化的非线性电阻两部分构成,由非线性电阻参数分析了忆阻模型的频率特性。基于Multisim仿真软件给出了在不同交变信号激励以及不同参数下忆阻电路模拟器的仿真结果,从而研究了其二端口的基本电特性。最后,完成了其硬件电路的实现及性能测试。电路仿真和硬件测试结果均表明:所设计的磁控忆阻电路模拟器具有紧磁滞回线特性,与理论上的忆阻特性相吻合,可为忆阻在电子学领域的应用提供一种器件模拟实体。
王将钱辉包伯成徐权陈墨
关键词:模拟器磁滞回线频率特性MULTISIM
一种简易的Fitzhugh-Nagumo神经元电路
本发明提供一种简易的Fitzhugh‑Nagumo神经元电路,通过分段线性电阻R<Sub>N</Sub>实现Fitzhugh‑Nagumo神经元膜电位的非线性项,采用交流电压源v<Sub>S</Sub>与电阻R<Sub>...
陈墨祁建伟任雪罗姣燕包伯成
忆阻耦合异构忆阻细胞神经网络的多稳态与相位同步研究
2024年
忆阻具有天然的可塑性,可实现与生物神经元和突触所具有的相似或相同机制的硅基神经元和纳米突触。将忆阻用作突触耦合两个异构的忆阻细胞神经网络,该文构建了一个忆阻耦合异构忆阻细胞神经网络。该耦合网络含有一个与忆阻突触初值条件和子网初值条件相关的空间平衡点集,可呈现出复杂的动力学演化。利用数值仿真方法,揭示了耦合网络依赖于初值条件而存在的稳定点、周期、混沌、超混沌以及无界振荡等多稳态行为。此外,在忆阻突触的调控下,两个异构子网可达成相位同步。最后,基于STM32单片机硬件平台完成了电路实验验证。
武花干边逸轩陈墨徐权
关键词:细胞神经网络异构网络相位同步
基于韦库域的忆阻电路超级多稳定性重构方法
本发明提供一种基于韦库域的忆阻电路超级多稳定性重构方法。该方法通过对忆阻电路伏安域电路方程进行增量积分变换,将伏安域的电压和电流状态变量转变为韦库域的增量磁通和增量电荷状态变量,获得显式表达忆阻电路动态元件状态初值的韦库...
陈墨孙梦霞冯阳包伯成
文献传递
共5页<12345>
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