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杨义斌

作品数:3 被引量:3H指数:1
供职机构:西南科技大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:中国工程物理研究院科技发展基金更多>>
相关领域:化学工程更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇化学工程

主题

  • 2篇质子
  • 2篇同位素
  • 2篇氢同位素
  • 2篇缺陷态
  • 2篇助熔剂
  • 1篇导电
  • 1篇导电性
  • 1篇形貌
  • 1篇质子导电性
  • 1篇质子导体
  • 1篇化合物
  • 1篇纯化

机构

  • 3篇西南科技大学
  • 2篇中国工程物理...

作者

  • 3篇杨义斌
  • 2篇龚宇
  • 2篇罗阳明
  • 1篇陈晓军
  • 1篇侯京伟
  • 1篇刘才林
  • 1篇熊亮萍
  • 1篇陈平
  • 1篇肖成建

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇强激光与粒子...

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2015
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
缺陷态对Y掺杂BaZrO_3的质子导电性的影响
2016年
核能是一种新型能源,其开发和利用对氢同位素分离和纯化提出了迫切要求.BaZrO_3基钙钛矿氧化物是一种有效分离纯化氢同位素的材料,本文采用高温固相法制备了BaZr_(1-x)Y_xO_(3-δ)(0≤x≤0.3)系列样品,射线衍射光谱分析表明Y的最大掺杂浓度在0.24—0.26之间.在600?C干燥氢气气氛下,由电化学阻抗谱测试可知,掺20 mol%Y的BaZr_(1-x)Y_xO_(3-δ)样品电导率可达σ=0.00150 S/m,较BaZrO_3基质材料的电导率高接近两个数量级.利用热释光谱和发射光谱研究了系列样品缺陷类型,结果表明BaZrO_3基质材料存在两种对质子传导有利的氧空位(VO);当掺入Y后,除氧空位之外,样品还出现了带负电的质子俘获型缺陷Y′′_(Zr),且Y'_(Zr)缺陷的数量随着Y掺杂浓度增加而增多;同时出现了缺陷陷阱深度变浅导致对质子俘获能力降低的现象,有利于提高质子导电性.本文通过发射光谱和热释光谱相结合,有效地研究了BaZr_(1-x)Y_xO(3-δ)材料的缺陷类型.
杨义斌龚宇刘才林罗阳明陈平
助熔剂对无机质子导体BaZrO_3结构及形貌的影响
2015年
利用高温固相法制备了无机质子导体BaZrO3。研究了助熔剂的添加对材料的合成温度及微观形貌的影响。通过添加LiF及Li2CO3为助熔剂,可以在1500℃,保温8h合成很好的单相样品。且LiF为助熔剂制备样品的结晶性明显高于Li2CO3为助熔剂制备的样品。XRD精修表明所合成的样品为很好的单相样品。能带计算分析样品的带隙为3.236eV。通过加入LiF及Li2CO3为助熔剂,明显改善了样品的微观形貌,其中LiF为助熔剂样品的颗粒尺寸较小、团聚少,分散性好。当LiF及Li2CO3添加量为8%时,晶界处有小颗粒析出,这种小颗粒为提高材料的质子导电性提供了潜在的可能性。
龚宇杨义斌侯京伟熊亮萍罗阳明肖成建陈晓军
关键词:助熔剂氢同位素形貌
助熔剂对Y掺杂BaZrO3制备及缺陷态结构影响研究
核能是一种新型能源,其开发和利用对氢同位素分离和纯化提出了迫切要求。BaZrO3基钙钛矿氧化物是一种有效分离纯化氢同位素的材料。但 BaZrO3基化合物存在合成温度高、保温时间长、质子导电性极低、质子导电机理尚不明确等问...
杨义斌
关键词:质子导体助熔剂
文献传递
共1页<1>
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