彭琼
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：湘潭大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 新型自旋电子薄膜材料的第一性原理设计
- 由于量子尺寸效应，二维体系通常比其对应的块体材料表现出更加独特的电子性质、光学性质和催化性能等，在新型电子器件、自旋电子器件和光电器件等方面有广泛应用，因而引起了人们广泛的兴趣。为了拓展低维材料的应用，寻找具有优良特性的...
- 彭琼
- 关键词：磁性薄膜第一性原理自旋电子学
- MoSi_2薄膜电子性质的第一性原理研究
- 2015年
- 采用第一性原理计算方法,研究了四方Mo Si2薄膜的电子性质.计算结果表明,各种厚度的薄膜都是金属性的,并且随着厚度的增加,其态密度与能带结构都逐渐趋近于Mo Si2块体的特性.通过对Mo Si2薄膜磁性的分析,发现三个原子层厚的薄膜具有磁性,其原胞净磁矩为0.33μB;而当薄膜的厚度大于三个原子层时,薄膜不具有磁性.此外,进一步对单侧加氢饱和以及双侧加氢饱和结构下三原子层Mo Si2薄膜的电子性质进行了研究,发现单侧加氢饱和的三原子层Mo Si2薄膜具有磁性,其原胞净磁矩为0.26μB,而双侧加氢饱和三原子层Mo Si2薄膜是非磁性的.双侧未饱和与单侧加氢饱和的三原子层Mo Si2薄膜的自旋极化率分别为30%和33%.这些研究结果表明,三原子层厚的Mo Si2超薄薄膜在悬空或者生长于基底之上时具有金属磁性,预示着它在纳米电子学和自旋电子学器件等方面都有潜在的应用前景.
- 彭琼何朝宇李金钟建新
- 关键词：第一性原理计算电子性质硅化钼
- 应变下氮和硼替位掺杂石墨烯的结构与电子性质被引量：1
- 2016年
- 采用第一性原理计算方法,研究了氮(N)和硼(B)替位掺杂石墨烯在加载应变情况下的结构和电子性质.计算结果表明(采用6×6超原胞),对于纯石墨烯,当应变大于临界应变30%时发生从弹性应变至非弹性应变的转变,体系总能在转变处发生突变.而N和B掺杂石墨烯的临界应变分别变为17.6%和17.4%,这表明掺杂石墨烯的弹性应变范围大幅减小.通过研究纯石墨烯和N/B替位掺杂石墨烯的电子性质,发现纯石墨烯在对称应变下仍为零带隙,而掺杂后费米能级处出现电子态,体系转变为金属,并且发现应变可以调节掺杂石墨烯的费米能级但不能在狄拉克锥处打开带隙.
- 熊扬虹彭琼李金张春小唐超钟建新
- 关键词：第一性原理石墨烯掺杂
