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韩克锋

作品数：19 被引量：6H指数：2
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 8篇期刊文章

领域

  • 13篇电子电信

主题

  • 11篇晶体管
  • 5篇电子迁移率
  • 5篇迁移率
  • 5篇高电子迁移率
  • 5篇高电子迁移率...
  • 4篇信号
  • 4篇射频
  • 4篇放大器
  • 3篇电路
  • 3篇沟道
  • 3篇Y型
  • 3篇场效应
  • 2篇电路设计
  • 2篇电阻
  • 2篇信号合成
  • 2篇信号相位
  • 2篇源极
  • 2篇噪声系数
  • 2篇栅介质
  • 2篇射频放大器

机构

  • 13篇中国电子科技...
  • 6篇南京电子器件...

作者

  • 19篇韩克锋
  • 4篇黄念宁
  • 2篇孔月婵
  • 2篇高建峰
  • 2篇秦桂霞
  • 1篇章军云
  • 1篇蒋浩
  • 1篇邹鹏辉
  • 1篇王彦硕
  • 1篇吴少兵
  • 1篇高喜庆
  • 1篇朱琳
  • 1篇蔡立康
  • 1篇王创国
  • 1篇朱琳
  • 1篇李建平

传媒

  • 5篇固体电子学研...
  • 1篇电子学报
  • 1篇西安交通大学...
  • 1篇微波学报

年份

  • 2篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 5篇2018
  • 6篇2017
  • 3篇2015
  • 1篇2014
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
垂直双栅场效应晶体管及自钳位防击穿射频放大器
本发明公开了一种垂直双栅场效应晶体管及自钳位防击穿射频放大器，晶体管包括衬底、沟道层和势垒层，在势垒层的上方设有源极和漏极；垂直双栅包括远栅极和近栅极，近栅极与其覆盖的半导体形成肖特基接触，远栅极覆盖在近栅极上，且两者通...
韩克锋
晶体管推挽对及具有该推挽对结构的射频放大电路
本发明公开了一种晶体管推挽对及具有该推挽对结构的射频放大电路，晶体管推挽对包括极性相同的第一晶体管和第二晶体管，第二晶体管的输入端经一输入端半波长相位延迟传输线后与第一晶体管的输入端连接，第一晶体管的输入信号相位滞后于第...
韩克锋
一种局域化沟道的场效应晶体管及其制备方法
本发明公开了一种局域化沟道的场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括源极、漏极和源漏极之间的栅极，在栅脚覆盖的沟道区刻蚀形成一定占空比的沟道阱，该沟道阱由介质填充；所述沟道阱沿沟道延伸方向等间距排列，其径向宽度小于栅长；制备...
韩克锋
一款Ku波段GaAs PHEMT低噪声放大器被引量：2
2017年
面向微波毫米波低噪声放大电路对高性能低噪声放大器件的需求,进行0.15μm栅长GaAs PHEMT低噪声器件制备工艺的开发,在制备工艺中采用了欧姆特性优异的复合帽层欧姆接触、低寄生电容的介质空洞栅结构以及高击穿电压的双槽结构。在此基础上实现了一款性能优异的Ku波段低噪声放大电路,电路在Ku频段全频带(14~18 GHz)内实现了优良的性能,其噪声系数小于1.3 d B,增益大于17 d B。电路采用5 V电源供电,功耗为250 m W,芯片面积为2 mm×1.6 mm;这款性能优异的Ku频段低噪声放大器特别适用于高信噪比要求的卫星通信等应用。
韩克锋李建平
关键词：噪声系数
0.35μm栅长HfO_2栅介质GaN MOSHEMT
2017年
制备了一种GaN MOSHEMT器件,器件栅长为0.35μm,栅介质为HfO_2,并对其进行两端和三端的IV特性测试,以及界面态导致的栅延迟问题进行了测试和表征。测试结果表明,本文制备的GaN MOSHEMT器件栅电流小、栅压摆幅大、击穿电压高,适合于微波功率应用。
韩克锋朱琳
关键词：绝缘栅击穿电压界面态
一种紧凑的GaN高电子迁移率晶体管大信号模型拓扑被引量：2
2018年
GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)以其复杂的器件特性使其大信号建模变得十分困难,尽管EEHEMT、Angelov等模型结构曾经成功应用于Ga As HEMT/MESFET的大信号模型,但当它们被用于GaN HEMT建模时却不再准确和完备.面向GaN HEMT器件的大信号模型,本文提出了一种紧凑的模型拓扑,此模型拓扑综合了GaN HEMT器件的直流电压-电流(I-V)特性、非线性电容、寄生参数、栅延迟漏延迟与电流崩塌、自热效应以及噪声等特性.经验证此模型拓扑在仿真中具有很好的收敛性,适用于GaN HEMT器件的大信号模型的建立,满足GaN基微波电路设计对器件模型的需求.
韩克锋蒋浩秦桂霞孔月婵
关键词：大信号模型非线性收敛性
0.15μm Y型栅高In沟道GaAs PHEMT低噪声器件设计
2015年
设计了一种GaAs PHEMT低噪声器件。通过电子束直写手段实现了0.15μm Y型栅,对栅型优化以减小器件栅电阻和栅寄生电容。采用高In含量的沟道设计以改善沟道电子输运特性,采用InGaAs/GaAs复合帽层以改善欧姆接触特性,并通过低噪声工艺流程制作了4×50μm GaAs PHEMT器件。测试结果表明,器件fT达到80GHz,在10GHz处最小噪声系数小于0.4dB,相关增益大于10dB。对于0.15μm栅长GaAs PHEMT器件来说,这是很好的结果。
韩克锋黄念宁吴少兵秦桂霞
关键词：噪声系数
利用拆装式延迟件改善相位均衡的Doherty放大器
本发明是一种利用拆装式延迟件改善相位均衡的Doherty放大器，其特征是包括输入信号、功率分配器、信号传输微带线、可拆装式延迟件、主放大器、副放大器、Doherty放大器。本发明的优点：主、副通道输入端加入可拆装式延迟件...
韩克锋
文献传递
硫化铵表面处理对GaAs HEMT/PHEMT器件性能的改善
2014年
利用硫化铵溶液对GaAs HEMT/PHEMT器件进行表面硫化处理,并利用硫酸锌溶液进行固化;相对于传统的氨水表面处理,经过此处理的器件获得了更高的直流脉冲比,并保持相当高的击穿电压。分析表明,这样的改善来源于表面硫化处理对砷化镓表面态能级的抬高。
韩克锋黄念宁章军云刘世郑高建峰
关键词：表面态击穿电压脉冲比
0.5μm栅长HfO_2栅介质的GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管被引量：1
2017年
为了抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅极漏电,提出了一种0.5μm栅长的GaN金属氧化物半导体(MOS)高电子迁移率晶体管结构。该结构采用势垒层部分挖槽,并用高介电常数绝缘栅介质的金属氧化物半导体栅结构替代传统GaN HEMT中的肖特基栅。基于此结构制备出一种GaN MOSHEMT器件,势垒层总厚度为20nm,挖槽深度为15nm,栅介质采用高介电常数的HfO_2,器件栅长为0.5μm。对器件电流电压特性和射频特性的测试结果表明:所制备的GaN MOSHEMT器件最大电流线密度达到0.9 A/mm,开态源漏击穿电压达到75 V;与GaN HEMT器件相比,其栅极电流被大大压制,正向栅压摆幅可提高10倍以上,并达到与同栅长GaN HEMT相当的射频特性。
韩克锋王创国朱琳孔月婵
关键词：高电子迁移率晶体管栅电流射频特性
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