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潘文武

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金山东省自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 3篇导体
  • 3篇分子束
  • 3篇分子束外延
  • 3篇半导体
  • 2篇电器件
  • 2篇势垒
  • 2篇势垒层
  • 2篇缺陷层
  • 2篇牺牲层
  • 2篇量子
  • 2篇借用
  • 2篇化学腐蚀
  • 2篇光波
  • 2篇光波长
  • 2篇光电
  • 2篇光电器件
  • 2篇发光
  • 2篇发光波长
  • 2篇盖层
  • 2篇半导体量子阱

机构

  • 9篇中国科学院
  • 2篇查尔姆斯理工...
  • 1篇曲阜师范大学

作者

  • 9篇潘文武
  • 8篇王庶民
  • 3篇李耀耀
  • 3篇吴晓燕
  • 2篇龚谦
  • 2篇王凯
  • 2篇欧欣
  • 2篇崔健
  • 2篇王朋
  • 2篇黄凯
  • 2篇游天桂
  • 1篇王海龙
  • 1篇李士玲
  • 1篇李爱珍
  • 1篇顾溢
  • 1篇曹春芳
  • 1篇岳丽
  • 1篇张永刚
  • 1篇张立瑶
  • 1篇张振普

传媒

  • 1篇发光学报
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 1篇2021
  • 2篇2019
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种稀铋半导体量子阱
本发明提供了一种稀铋半导体量子阱，从下到上依次包括：下势垒层、含有铋元素的量子阱层和上势垒层；在稀铋量子阱层中间设有n型δ掺杂层，量子阱层的材料为GaXBi，下势垒层与上势垒层材料相同，为AlGaX或GaX，δ掺杂层的材...
岳丽王庶民张焱超潘文武王利娟
文献传递
气源分子束外延生长的InPBi薄膜材料中的深能级中心
2016年
利用深能级瞬态谱(DLTS)研究了气源分子束外延(GSMBE)生长的InP1-xBix材料中深能级中心的性质。在未有意掺杂的InP中测量到一个多数载流子深能级中心E1,E1的能级位置为Ec-0.38 e V,俘获截面为1.87×10^(-15)cm^2。在未有意掺杂的InP0.9751Bi0.0249中测量到一个少数载流子深能级中心H1,H1的能级位置为Ev+0.31 eV,俘获截面为2.87×10^(-17)cm^2。深中心E1应该起源于本征反位缺陷PIn,深中心H1可能来源于形成的Bi原子对或者更复杂的与Bi相关的团簇。明确这些缺陷的起源对于InPBi材料在器件应用方面具有重要的意义。
王海龙韦志禄李耀耀王凯潘文武吴晓燕岳丽李士玲龚谦王庶民
关键词：深中心
InPBi薄膜分子束外延生长
稀铋Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体由于铋原子的引入，能有效增强自旋轨道分裂，减小禁带宽度，可用于制备多种光电子器件，引起了广泛的关注[1-3].通过引入Bi原子来调控InP的能带结构和材料应变，能够有效地调节材料的发光波长.K.W...
张立瑶潘文武王凯王朋吴晓燕崔健张振普岳丽王庶民
一种异质结构的制备方法
本发明提供一种异质结构的制备方法，包括提供供体衬底，并于供体衬底表面形成牺牲层；于牺牲层表面形成薄膜盖层，其远离所述牺牲层的表面为注入面；从注入面进行离子注入，以在牺牲层中形成缺陷层；提供受体衬底，并将受体衬底与薄膜盖层...
欧欣王庶民王畅游天桂张焱超黄凯王利娟林家杰潘文武
文献传递
一种稀铋半导体量子阱
本发明提供了一种稀铋半导体量子阱，从下到上依次包括：下势垒层、含有铋元素的量子阱层和上势垒层；在稀铋量子阱层中间设有n型δ掺杂层，量子阱层的材料为GaXBi，下势垒层与上势垒层材料相同，为AlGaX或GaX，δ掺杂层的材...
岳丽王庶民张焱超潘文武王利娟
一种半导体材料、半导体薄膜及其制备方法
本发明提供一种半导体材料、半导体薄膜及其制备方法，通过在生长磷化铟(InP)材料时加入少量镓(Ga)和铋(Bi)元素形成全新的InGaPBi材料，通过改变Ga元素的百分比含量实现晶格常数的调控，室温下短波红外区域光致发光...
王庶民潘文武李耀耀王朋王凯吴晓燕崔健
文献传递
一种小型可遥控光感基因刺激装置及其控制方法
本发明提供一种小型可遥控的光感基因刺激装置及其控制方法，该装置包括中央处理单元、无线射频模块、开关驱动电路、数字电位器、自动功率控制电路、兴奋光源、光敏二极管、稳压模块及电源。无线射频模块接收外部指令并传送给中央处理单元...
汪洋李耀耀李爱珍龚谦张永刚曹春芳王庶民潘文武顾溢
文献传递
探究GSMBE制备GaAsBi薄膜中生长条件对Bi浓度的影响
2017年
为了探究GaAsBi薄膜生长中生长条件与Bi浓度的关系,我们利用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过改变每个GaAsBi单层的生长温度、AsH_3压和Bi源温度,在半绝缘GaAs(100)衬底上生长GaAsBi的多层结构。通过二次离子质谱(SIMS)及透射电镜X光谱(EDX)测试得出:GaAsBi中Bi的浓度随着生长温度的升高而降低,且生长速率越慢表面偏析和再蒸发严重,可导致Bi浓度下降趋势更明显;Bi浓度随着AsH_3压的升高而减小,在As_2和Ga束流比在0.5~0.8之间几乎成线性变化,远不如固态源MBE敏感;此外,Bi源温度升高,Bi掺入的浓度也会增大,但是当生长温度大于420℃时,Bi就很难凝入。
崔健潘文武吴晓燕陈其苗刘娟娟张振普王庶民
关键词：气态源分子束外延生长温度
一种异质结构的制备方法
本发明提供一种异质结构的制备方法，包括提供供体衬底，并于供体衬底表面形成牺牲层；于牺牲层表面形成薄膜盖层，其远离所述牺牲层的表面为注入面；从注入面进行离子注入，以在牺牲层中形成缺陷层；提供受体衬底，并将受体衬底与薄膜盖层...
王庶民欧欣王畅游天桂张焱超黄凯王利娟林家杰潘文武
文献传递
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