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许杰

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 3篇半导体
  • 2篇异质结
  • 2篇异质结晶体管
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子迁移率
  • 2篇迁移率
  • 2篇鳍片
  • 2篇晶体管
  • 2篇记忆效应
  • 2篇沟道
  • 2篇半导体器件
  • 2篇衬层
  • 2篇存储器
  • 2篇存储器阵列
  • 1篇电极
  • 1篇堆叠
  • 1篇栅电极
  • 1篇栅极
  • 1篇刷新
  • 1篇半导体存储

机构

  • 4篇中国科学院微...

作者

  • 4篇许杰
  • 2篇骆志炯
  • 2篇陈率
  • 2篇赵恒亮
  • 2篇朱正勇

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2014
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片和鳍片之间的沟槽；在沟槽中填充成应力衬层；在应力衬层中形成沿第二方向延伸的开口；在开口中形成沿第二方向延伸并且跨越多个鳍片的栅极堆叠。依照...
许杰
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半导体存储器阵列及其访问方法
本发明公开了一种半导体存储器阵列及其访问方法，该半导体存储器阵列包括按照多个行和多个列排列的存储单元，其中，每一个存储单元包括氧化物异质结晶体管和开关，所述氧化物异质结晶体管包括源电极、漏电极和栅电极，所述开关连接至所述...
朱正勇骆志炯陈率许杰赵恒亮
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半导体存储器阵列及其访问方法
公开了一种半导体存储器阵列及其访问方法，该半导体存储器阵列包括按照多个行和多个列排列的存储单元，其中，每一个存储单元包括氧化物异质结晶体管和开关，所述氧化物异质结晶体管包括源电极、漏电极和栅电极，所述开关连接至所述氧化物...
朱正勇骆志炯陈率许杰赵恒亮
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半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片和鳍片之间的沟槽；在沟槽中填充成应力衬层；在应力衬层中形成沿第二方向延伸的开口；在开口中形成沿第二方向延伸并且跨越多个鳍片的栅极堆叠。依照...
许杰
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