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樊超

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇核科学技术

主题

  • 5篇探测器
  • 5篇中子
  • 5篇中子剂量
  • 5篇PIN
  • 4篇有效厚度
  • 4篇硅片
  • 2篇电流
  • 2篇电流分布
  • 2篇有源
  • 1篇中子探测
  • 1篇中子探测器
  • 1篇硅二极管
  • 1篇二极管
  • 1篇硅

机构

  • 5篇北京大学

作者

  • 5篇樊超
  • 4篇田大宇
  • 4篇金玉丰
  • 4篇于民
  • 2篇王金延

年份

  • 2篇2014
  • 3篇2012
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种硅PIN中子剂量探测器及其制备方法
本发明公开了一种硅PIN中子剂量探测器及其制备方法。该硅PIN中子剂量探测器包括高电阻硅片以及分别位于硅片正面和背面的P型和N型有源区，两个有源区中一个为圆形，另一个为圆环形。本发明通过将P型有源区和N型有源区设计成上下...
樊超于民杨昉东田大宇王金延金玉丰
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一种硅PIN中子剂量探测器及其制备方法
本发明公开了一种硅PIN中子剂量探测器及其制备方法。该硅PIN中子剂量探测器包括高电阻硅片以及分别位于硅片正面和背面的P型和N型有源区，两个有源区中一个为圆形，另一个为圆环形。本发明通过将P型有源区和N型有源区设计成上下...
樊超于民杨昉东田大宇王金延金玉丰
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硅PIN中子剂量探测器
人类遭受中子辐射的危害主要来源于两方面:一方面来源于自然灾害,例如太阳风活动的不断加剧,地质灾害的频发,空间辐射等;另一方面来源于人为灾害,例如核电站泄漏,战争等。于是,对中子辐射进行探测的要求开始升温。硅PIN中子剂量...
樊超
关键词：中子探测器硅二极管
硅PIN中子剂量探测器及其制作方法
本发明公开了一种硅PIN中子剂量探测器及其制作方法。该硅PIN中子剂量探测器包括高电阻硅片以及分别位于高电阻硅片正面和背面的P型和N型矩形有源区，其中硅片正面的有源区在硅片背面上的垂直投影与硅片背面的有源区左右对称。本发...
于民樊超杨昉东田大宇金玉丰
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硅PIN中子剂量探测器及其制作方法
本发明公开了一种硅PIN中子剂量探测器及其制作方法。该硅PIN中子剂量探测器包括高电阻硅片以及分别位于高电阻硅片正面和背面的P型和N型矩形有源区，其中硅片正面的有源区在硅片背面上的垂直投影与硅片背面的有源区左右对称。本发...
于民樊超杨昉东田大宇金玉丰
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