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郭怀新

作品数：37 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺化学工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 37篇中文专利

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇化学工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 14篇氮化镓
  • 14篇晶体管
  • 14篇键合
  • 13篇氮化镓晶体管
  • 8篇氮化镓器件
  • 8篇金刚石
  • 8篇功率
  • 8篇刚石
  • 6篇超大功率
  • 6篇大功率
  • 5篇热积累
  • 5篇热阻
  • 5篇衬底
  • 4篇直接键合
  • 4篇热阻测试
  • 4篇芯片
  • 4篇拉曼
  • 4篇拉曼光谱
  • 4篇键合材料
  • 4篇光谱

机构

  • 37篇中国电子科技...

作者

  • 37篇郭怀新
  • 25篇陈堂胜
  • 24篇孔月婵
  • 15篇吴立枢
  • 4篇李忠辉
  • 4篇郁鑫鑫
  • 4篇钟世昌
  • 4篇潘斌
  • 3篇尹志军
  • 3篇胡进
  • 2篇彭龙新
  • 2篇曹坤
  • 2篇徐利
  • 2篇朱健
  • 1篇周建军
  • 1篇程凯
  • 1篇王子良

年份

  • 4篇2024
  • 1篇2023
  • 6篇2022
  • 5篇2021
  • 6篇2020
  • 4篇2019
  • 6篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2015
共 37 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种提高基于拉曼光谱法的芯片结温测试精度的分析方法
本发明公开了一种提高基于拉曼光谱法的芯片结温测试精度的分析方法，其原理是基于芯片温度和对应热源区材料特征拉曼谱峰值波数的关系变化，利用洛伦兹函数对材料的特征谱峰值进行拟合，提升其峰值处的拉曼光谱波数分辨率，近而达到提高对...
郭怀新黄语恒陈堂胜
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基于金刚石钝化结构的高效散热氮化镓晶体管及其制造方法
本发明公开了一种基于金刚石钝化结构的高效散热氮化镓晶体管及其制造方法，高效散热氮化镓晶体管结构设计自上而下依次包括金刚石钝化层、栅源漏功能层、势垒层、缓冲层及衬底；所述金刚石钝化层是多层结构，包含势垒保护层、种子层和导热...
郭怀新郁鑫鑫周建军孔月婵
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基于拉曼光谱测试技术的半导体薄膜热导率分析方法
本发明公开了一种基于拉曼光谱测试技术的半导体薄膜热导率分析方法，包括：待测薄膜样品的微桥结构设计及制备；薄膜材料的拉曼谱峰随温度偏移系数标定；薄膜微桥待测区温度分布计算；利用仿真拟合分析提取薄膜的热导率。本发明解决了特定...
郭怀新李忠辉尹志军陈堂胜
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一种金刚石铜热沉封装材料传热检测装置及其检测方法
本发明公开了一种金刚石铜热沉封装材料传热检测装置及其检测方法，装置包括开口的壳体，在壳体内从底部开始依次叠放第二纳米银浆层、金刚石铜热沉、第一纳米银浆层、热源芯片。通过将金刚石铜热沉与热源芯片集成后进行传热性能检测，得出...
王瑞泽郭怀新李义壮戴家赟孔月婵陈堂胜
一种基于3ω电学法的金刚石晶体片热导率测试方法
本发明公开了一种基于3ω电学法的金刚石晶体片热导率测试方法。测试方法包括金刚石晶体片的热电信号电极设计与制备、测试频率设计与控制、3ω电学法参数控制与测试、金刚石晶体片热导率高精度拟合分析。基于3ω电学法，通过对热电信号...
郭怀新李义壮王瑞泽孔月婵陈堂胜
一种近结微流嵌入式高效散热氮化镓晶体管及其制造方法
本发明涉及一种近结微流嵌入式高效散热氮化镓晶体管及其制造方法，氮化镓晶体管自上而下依次包括有源区功能层、势垒层、缓冲层和衬底层，有源区功能层由栅、源和漏构成，所述衬底层中设置有微流体通道，所述微流体通道设置在有源区下面的...
郭怀新孔月婵郁鑫鑫黄宇龙吴立枢陈堂胜
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一种提升3ω法薄膜热导率测试精度的装置及方法
本发明公开了一种提升3ω法薄膜热导率测试精度的装置及方法，包括平衡电桥模块、变温真空腔、控温模块及信号输出及采集模块；平衡电桥模块用于保证信号的稳定性和测试样品电极的阻值；变温真空腔用于解决测试样品电路互联和提供特定的环...
郭怀新王琛全王瑞泽孔月婵陈堂胜
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一种金刚石钝化氮化镓器件多指栅互连结构及其制备方法
本发明涉及一种金刚石钝化氮化镓器件多指栅互连结构及其制备方法，属于新型半导体器件热管理技术研究领域。本发明的结构设计自上而下依次包括指栅互连结构区、复合介质层、金刚石钝化层、势垒层、缓冲层、及衬底；所述栅互连结构区包括源...
郭怀新李义壮郁鑫鑫孔月婵陈堂胜
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基于表面活化键合工艺的金刚石基氮化镓晶体管及制备法
本发明提出的是一种基于表面活化键合工艺的金刚石基氮化镓晶体管及制备法，其结构自下而上为金刚石、硅纳米层、氮化镓外延层，氮化镓外延层的表面设有漏极、栅极和源极；其制备方法包括：1）清洗；2）涂敷粘合材料；3）临时键合；4）...
吴立枢孔月婵郭怀新戴家赟
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一种片内微流GaN HEMT功率器件冷却集成组件及其制备方法
本发明公开了一种片内微流GaN HEMT功率器件冷却集成组件，包括集成互连介质和微流驱动模块，微流驱动模块上设有对准下凹区域，片内微流GaN HEMT功率器件放置在对准下凹区域内；集成互连介质位于片内微流GaN HEMT...
郭怀新王瑞泽戴家赟潘斌钟世昌
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