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文献类型

  • 11篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 6篇量子
  • 6篇量子点
  • 6篇衬底
  • 4篇绿光
  • 4篇绿光LED
  • 3篇氮化镓
  • 3篇多量子阱
  • 3篇砷化镓
  • 3篇非掺杂
  • 2篇形貌
  • 2篇阵列
  • 2篇势垒
  • 2篇外延层
  • 2篇蓝宝
  • 2篇蓝宝石
  • 2篇缓冲层
  • 2篇覆盖层
  • 2篇复合层
  • 2篇盖层
  • 2篇LED芯片

机构

  • 13篇中国科学院

作者

  • 13篇赵德刚
  • 13篇刘炜
  • 11篇陈平
  • 11篇江德生
  • 11篇刘宗顺
  • 9篇朱建军
  • 3篇杨静
  • 2篇何晓光
  • 2篇乐伶聪
  • 2篇李晓静
  • 2篇李翔
  • 2篇赵丹梅

传媒

  • 2篇第十四届全国...

年份

  • 2篇2018
  • 4篇2017
  • 4篇2015
  • 3篇2014
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
绿光LED外延层结构及生长方法
一种绿光LED外延层结构及生长方法,其中绿光LED外延层结构,包括:一衬底,该衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓;一GaN缓冲层,其生长在衬底上;一非掺杂GaN层,其生长在GaN缓冲层上;一N型GaN层,其生...
刘炜赵德刚陈平刘宗顺朱建军江德生
文献传递
绿光LED芯片外延层的结构及生长方法
一种绿光LED芯片外延层的结构,包括:一衬底;一GaN缓冲层,其生长在衬底上;一非掺杂GaN层,其生长在GaN缓冲层上;一N型GaN层,其生长在非掺杂GaN层上;一第一阶梯层,其生长在N型GaN层上;一多量子阱区,其生长...
刘炜赵德刚陈平刘宗顺朱建军江德生
文献传递
基于二维岛的InGaN量子点外延结构及制备方法
一种基于二维岛的InGaN量子点外延结构及制备方法,其中基于二维岛的InGaN量子点外延结构,包括:一衬底;一GaN外延层,其生长在衬底上;多个InGaN二维岛,其均匀生长在GaN外延层上;多个量子点复合层,生长在多个I...
刘炜赵德刚陈平刘宗顺朱建军江德生
InGaN量子点的外延结构及生长方法
一种InGaN量子点的外延结构及生长方法,其中InGaN量子点的外延结构,包括:一衬底,该衬底的表面具有原子级的台阶形貌,台阶斜切角为0.05°‑10°;一低温GaN缓冲层,其生长在衬底上,其表面具有与衬底相同的台阶形貌...
刘炜赵德刚陈平刘宗顺朱建军江德生
文献传递
高密度高均匀InGaN量子点结构及生长方法
一种高密度高均匀InGaN量子点结构及生长方法,其中高密度高均匀InGaN量子点结构,包括:一衬底;一窗口阵列,其制作在衬底上;一GaN纳米柱,其生长在窗口阵列的开孔处,并与衬底表面接触;一第一InGaN量子点,其生长在...
刘炜赵德刚陈平刘宗顺江德生
绿光LED外延层结构及生长方法
一种绿光LED外延层结构及生长方法,其中绿光LED外延层结构,包括:一衬底,该衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓;一GaN缓冲层,其生长在衬底上;一非掺杂GaN层,其生长在GaN缓冲层上;一N型GaN层,其生...
刘炜赵德刚陈平刘宗顺朱建军江德生
绿光LED芯片外延层的结构及生长方法
一种绿光LED芯片外延层的结构,包括:一衬底;一GaN缓冲层,其生长在衬底上;一非掺杂GaN层,其生长在GaN缓冲层上;一N型GaN层,其生长在非掺杂GaN层上;一第一阶梯层,其生长在N型GaN层上;一多量子阱区,其生长...
刘炜赵德刚陈平刘宗顺朱建军江德生
文献传递
InGaN/GaN量子阱厚度对局域态效应的影响机制
本文主要研究了高In组分InGaN/GaN多量子阱(MQWs)中阱层厚度的变化对阱内局域态的影响机理。采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术分别制备了不同阱厚的MQWs样品,并利用变温光致发光(PL)测试手段对不同...
刘炜赵德刚乐伶聪杨静何晓光李晓静李翔侍铭赵丹梅
InGaN量子点的外延结构及生长方法
一种InGaN量子点的外延结构及生长方法,其中InGaN量子点的外延结构,包括:一衬底,该衬底的表面具有原子级的台阶形貌,台阶斜切角为0.05°-10°;一低温GaN缓冲层,其生长在衬底上,其表面具有与衬底相同的台阶形貌...
刘炜赵德刚陈平刘宗顺朱建军江德生
一种降低发散角并同时改善阈值电流的新型激光器结构
本文针对GaAs基激光器,在波导层和限制层之间引入非对称而且掺杂的低折射率插入层,该新型结构不仅能降低发散角而且可以改善阈值电流。为了提高激光器的光束质量和降低激光器的发散角,传统做法是在波导层和覆盖层之间对称插入对称的...
李翔赵德刚乐伶聪杨静何晓光李晓静刘炜侍铭赵丹梅
共2页<12>
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