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刘炜
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中国科学院半导体研究所
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电子电信
理学
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合作作者
赵德刚
中国科学院半导体研究所
刘宗顺
中国科学院半导体研究所
江德生
中国科学院半导体研究所
陈平
中国科学院半导体研究所
朱建军
中国科学院半导体研究所
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绿光LED外延层结构及生长方法
一种绿光LED外延层结构及生长方法,其中绿光LED外延层结构,包括:一衬底,该衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓;一GaN缓冲层,其生长在衬底上;一非掺杂GaN层,其生长在GaN缓冲层上;一N型GaN层,其生...
刘炜
赵德刚
陈平
刘宗顺
朱建军
江德生
文献传递
绿光LED芯片外延层的结构及生长方法
一种绿光LED芯片外延层的结构,包括:一衬底;一GaN缓冲层,其生长在衬底上;一非掺杂GaN层,其生长在GaN缓冲层上;一N型GaN层,其生长在非掺杂GaN层上;一第一阶梯层,其生长在N型GaN层上;一多量子阱区,其生长...
刘炜
赵德刚
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刘宗顺
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基于二维岛的InGaN量子点外延结构及制备方法
一种基于二维岛的InGaN量子点外延结构及制备方法,其中基于二维岛的InGaN量子点外延结构,包括:一衬底;一GaN外延层,其生长在衬底上;多个InGaN二维岛,其均匀生长在GaN外延层上;多个量子点复合层,生长在多个I...
刘炜
赵德刚
陈平
刘宗顺
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InGaN量子点的外延结构及生长方法
一种InGaN量子点的外延结构及生长方法,其中InGaN量子点的外延结构,包括:一衬底,该衬底的表面具有原子级的台阶形貌,台阶斜切角为0.05°‑10°;一低温GaN缓冲层,其生长在衬底上,其表面具有与衬底相同的台阶形貌...
刘炜
赵德刚
陈平
刘宗顺
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江德生
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高密度高均匀InGaN量子点结构及生长方法
一种高密度高均匀InGaN量子点结构及生长方法,其中高密度高均匀InGaN量子点结构,包括:一衬底;一窗口阵列,其制作在衬底上;一GaN纳米柱,其生长在窗口阵列的开孔处,并与衬底表面接触;一第一InGaN量子点,其生长在...
刘炜
赵德刚
陈平
刘宗顺
江德生
绿光LED外延层结构及生长方法
一种绿光LED外延层结构及生长方法,其中绿光LED外延层结构,包括:一衬底,该衬底的材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓或砷化镓;一GaN缓冲层,其生长在衬底上;一非掺杂GaN层,其生长在GaN缓冲层上;一N型GaN层,其生...
刘炜
赵德刚
陈平
刘宗顺
朱建军
江德生
绿光LED芯片外延层的结构及生长方法
一种绿光LED芯片外延层的结构,包括:一衬底;一GaN缓冲层,其生长在衬底上;一非掺杂GaN层,其生长在GaN缓冲层上;一N型GaN层,其生长在非掺杂GaN层上;一第一阶梯层,其生长在N型GaN层上;一多量子阱区,其生长...
刘炜
赵德刚
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刘宗顺
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InGaN/GaN量子阱厚度对局域态效应的影响机制
本文主要研究了高In组分InGaN/GaN多量子阱(MQWs)中阱层厚度的变化对阱内局域态的影响机理。采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术分别制备了不同阱厚的MQWs样品,并利用变温光致发光(PL)测试手段对不同...
刘炜
赵德刚
乐伶聪
杨静
何晓光
李晓静
李翔
侍铭
赵丹梅
InGaN量子点的外延结构及生长方法
一种InGaN量子点的外延结构及生长方法,其中InGaN量子点的外延结构,包括:一衬底,该衬底的表面具有原子级的台阶形貌,台阶斜切角为0.05°-10°;一低温GaN缓冲层,其生长在衬底上,其表面具有与衬底相同的台阶形貌...
刘炜
赵德刚
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朱建军
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一种降低发散角并同时改善阈值电流的新型激光器结构
本文针对GaAs基激光器,在波导层和限制层之间引入非对称而且掺杂的低折射率插入层,该新型结构不仅能降低发散角而且可以改善阈值电流。为了提高激光器的光束质量和降低激光器的发散角,传统做法是在波导层和覆盖层之间对称插入对称的...
李翔
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刘炜
侍铭
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