您的位置： 专家智库 > >

董良

作品数：21 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 12篇ALGAN/...
  • 11篇击穿电压
  • 10篇场板
  • 9篇栅电极
  • 7篇淀积
  • 7篇偶极子
  • 7篇子层
  • 7篇ALGAN/...
  • 6篇极化效应
  • 4篇增强型
  • 3篇电场
  • 3篇电场分布
  • 3篇钝化层
  • 3篇阈值电压
  • 3篇晶格
  • 3篇开关
  • 3篇开关器件
  • 2篇有机介质
  • 2篇源极
  • 2篇栅结构

机构

  • 21篇西安电子科技...

作者

  • 21篇董良
  • 20篇冯倩
  • 20篇马晓华
  • 20篇郝跃
  • 20篇郑雪峰
  • 20篇代波
  • 20篇杜锴
  • 14篇张春福
  • 6篇杜鸣
  • 6篇陆小力

年份

  • 1篇2020
  • 7篇2017
  • 3篇2016
  • 10篇2014
共 21 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种基于有机介质的高性能AlGaN/GaN HEMT开关器件结构及其制作方法
本发明公开了一种基于有机介质的高性能AlGaN/GaN HEMT开关器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上间隔设有...
冯倩代波董良杜锴郑雪峰张春福马晓华郝跃
文献传递
一种基于复合偶极层的AlGaN/GaN HEMT开关器件结构及制作方法
本发明公开了一种基于复合偶极层的AlGaN/GaN HEMT开关器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上间隔设有源极...
冯倩董良代波杜锴郑雪峰杜鸣张春福马晓华郝跃
文献传递
一种基于栅结构的增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法
本发明公开了一种基于栅结构的增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层、AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上设有源极、钝化...
冯倩董良代波杜锴陆小力马晓华郑雪峰郝跃
文献传递
一种基于偶极子层浮栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法
本发明公开了一种基于偶极子层浮栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法，自下而上依次包括衬底，GaN缓冲层，AlN隔离层、GaN沟道层，AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层...
冯倩代波董良杜锴郑雪峰张春福马晓华郝跃
文献传递
一种基于槽栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法
本发明公开了一种基于槽栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上间隔设...
冯倩董良代波杜锴陆小力马晓华郑雪峰郝跃
文献传递
一种基于栅结构的增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法
本发明公开了一种基于Γ栅结构的增强型AlGaN/GaNHEMT器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层、AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上间隔设有源极、...
冯倩董良代波杜锴陆小力马晓华郑雪峰郝跃
文献传递
一种基于偶级子层浮栅结构的增强型AlGaNGaNMISHEMT器件结构及其制作方法
本发明公开了一种基于偶级子层浮栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法，自下而上依次包括衬底，GaN缓冲层，AlN隔离层、GaN沟道层，AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层...
冯倩代波董良杜锴郑雪峰张春福马晓华郝跃
文献传递
一种基于槽栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法
本发明公开了一种基于槽栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上依次设...
冯倩董良代波杜锴陆小力马晓华郑雪峰郝跃
文献传递
一种基于极化效应的高性能AlGaN/GaN HEMT高压器件结构及制作方法
本发明公开了一种基于极化效应的高性能AlGaN/GaN HEMT高压器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上间隔设有...
冯倩董良代波杜锴郑雪峰杜鸣张春福马晓华郝跃
文献传递
一种基于偶极层的高压AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及制作方法
本发明公开了一种基于偶极层的高压AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法，从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层、AlGaN掺杂层，所述AlGaN掺杂层上间隔设有源...
冯倩董良代波杜锴郑雪峰杜鸣张春福马晓华郝跃
文献传递
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0