您的位置： 专家智库 > >

邓伟

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学深圳研究生院更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇晶体管
  • 2篇刻蚀
  • 2篇沟道
  • 2篇薄膜晶体
  • 2篇薄膜晶体管
  • 1篇钝化层
  • 1篇有源
  • 1篇源区
  • 1篇栅电极
  • 1篇接触电极
  • 1篇介质层
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射制备
  • 1篇反应磁控溅射
  • 1篇HFO2薄膜
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇磁控溅射制备
  • 1篇P-
  • 1篇HFO2

机构

  • 3篇北京大学
  • 1篇北华航天工业...

作者

  • 3篇肖祥
  • 3篇贺鑫
  • 3篇邓伟
  • 3篇张盛东
  • 2篇邵阳
  • 2篇王国英
  • 2篇宋振
  • 1篇姚建可

传媒

  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 2篇2019
  • 1篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
一种背沟道刻蚀型薄膜晶体管及其制备方法
本发明涉及一种背沟道刻蚀型薄膜晶体管及其制备方法，其特征在于：采用本发明的制备方法制备的背沟道刻蚀型薄膜晶体管包括衬底、栅电极、栅介质层、有源区、源区、漏区、钝化层、源区接触电极和漏区接触电极；栅电极设置在衬底上，栅介质...
张盛东肖祥邵阳邓伟王国英宋振贺鑫
一种背沟道刻蚀型薄膜晶体管及其制备方法
本发明涉及一种背沟道刻蚀型薄膜晶体管及其制备方法，其特征在于：采用本发明的制备方法制备的背沟道刻蚀型薄膜晶体管包括衬底、栅电极、栅介质层、有源区、源区、漏区、钝化层、源区接触电极和漏区接触电极；栅电极设置在衬底上，栅介质...
张盛东肖祥邵阳邓伟王国英宋振贺鑫
文献传递
p-Si（100）衬底上反应磁控溅射制备HfO2薄膜的工艺和性能研究
2019年
我们采用反应磁控溅射的方法在p-Si(100)衬底上制备了Hf O2薄膜。我们对制备的工艺进行了摸索。设计了不同的实验条件。分别在不同的工艺条件下制备得到Hf O2薄膜。在不同氧分压条件下制备了一组Hf O2薄膜,在不同的溅射功率条件下制备了一组Hf O2薄膜,在不同的溅射时间条件下制备了一组Hf O2薄膜,不同的衬底温度下制备了一组Hf O2薄膜。最后,将不同条件下制备的Hf O2薄膜在不同温度下退火,并对这些样品进行了性能的测试和表征。根据测试结果分析了其性能,制备的Hf O2薄膜是高质量的。
李霞姚建可邓伟肖祥贺鑫张盛东
关键词：反应磁控溅射HFO2
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0