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刘晓宇

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：华中科技大学更多>>
相关领域：电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇学位论文
  • 2篇专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇配电
  • 3篇级联型
  • 2篇电能
  • 2篇电能质量
  • 2篇配电变压器
  • 2篇静止补偿
  • 2篇静止补偿器
  • 2篇集成式
  • 2篇变压
  • 2篇变压器
  • 2篇补偿器
  • 1篇电流
  • 1篇电学性能
  • 1篇钝化层
  • 1篇栅介质
  • 1篇输出滤波器
  • 1篇拓扑
  • 1篇拓扑结构
  • 1篇滤波器
  • 1篇集成化

机构

  • 4篇华中科技大学

作者

  • 4篇刘晓宇
  • 2篇尹项根
  • 2篇文明浩
  • 2篇王存平
  • 2篇张哲

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
配电变压器集成式级联型静止补偿器
本发明公开了一种配电变压器集成式级联型静止补偿器，包括配电变压器、级联型静止补偿模块、输出滤波器和控制平台，配电变压器高压侧的每相绕组的中心处设置有连接抽头作为补偿电流的注入点，连接抽头通过输出滤波器连接级联型静止补偿模...
尹项根张哲文明浩王存平雷二涛刘晓宇
文献传递
高k栅介质Ge MOS器件界面钝化层材料及工艺优化研究
传统Si基CMOS器件经过几十年的持续发展和进步已日益接近其物理极限，很难满足小尺寸和低功耗的进一步需求。Ge是目前已知空穴迁移率最高的半导体材料，在制备PMOSFET方面显示出极大优势。高k栅介质的应用使Ge沟道材料成...
刘晓宇
关键词：高K栅介质电学性能
级联型配电变集成化补偿控制方法研究
传统变电站高压侧无功集中补偿与谐波治理方法接入点电压等级高，结构复杂、成本昂贵;而采用低压用户侧就地补偿，装置安装分散、利用率较低且缺乏有效的协调，控制不当易带来新的电能质量问题。配电变压器集成化静止补偿技术（Distr...
刘晓宇
关键词：电能质量补偿控制拓扑结构
文献传递
配电变压器集成式级联型静止补偿器
本发明公开了一种配电变压器集成式级联型静止补偿器，包括配电变压器、级联型静止补偿模块、输出滤波器和控制平台，配电变压器高压侧的每相绕组的中心处设置有连接抽头作为补偿电流的注入点，连接抽头通过输出滤波器连接级联型静止补偿模...
尹项根张哲文明浩王存平雷二涛刘晓宇
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