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黄昱

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：哈佛学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇半导体
  • 5篇单晶
  • 5篇单晶体
  • 5篇纳米
  • 5篇纳米线
  • 5篇晶体
  • 5篇半导体纳米线
  • 2篇原文
  • 2篇自支撑
  • 2篇纵剖面
  • 2篇半导体制造
  • 2篇掺杂
  • 1篇电器件
  • 1篇剖面
  • 1篇横截
  • 1篇横截面
  • 1篇半导体器件

机构

  • 6篇哈佛学院

作者

  • 6篇黄昱
  • 6篇崔屹

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2007
  • 1篇2004
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
掺杂的拉长半导体,其生长,包含这类半导体的器件及其制造
本发明提供体掺杂半导体，其至少是下列其中之一：单晶体；拉长且体掺杂的半导体，所述半导体在沿其纵轴上的任意点上具有小于500纳米的最大横截面尺寸；至少一部分具有小于500纳米的最小宽度的自支撑且体掺杂的半导体，其中由体掺杂...
查尔斯·M·利伯崔屹段镶锋黄昱
搀杂的细长半导体,这类半导体的生长，包含这类半导体的器件以及这类器件的制造
本发明提供体搀杂半导体，其至少是下列其中之一：单晶体；拉长且体搀杂的半导体，所述半导体在沿其纵轴上的任意点上具有小于500纳米的最大横截面尺寸；至少一部分具有小于500纳米的最小宽度的独立式且体搀杂的半导体，其中由体搀杂...
查尔斯·M·利伯崔屹段镶锋黄昱
文献传递
生长半导体纳米线的方法
本申请涉及生长半导体纳米线的方法，所述方法通过催化剂胶体颗粒催化生长半导体纳米线，每个所述半导体纳米线均具有最小宽度小于500纳米的至少一个部分，选择催化剂胶体颗粒以具有小于约20％的直径变化，使得根据该方法制造的一组半...
查尔斯·M·利伯崔屹段镶锋黄昱
文献传递
掺杂的拉长半导体,其生长,包含这类半导体的器件及其制造
本发明提供体掺杂半导体，其至少是下列其中之一：单晶体；拉长且体掺杂的半导体，所述半导体在沿其纵轴上的任意点上具有小于500纳米的最大横截面尺寸；至少一部分具有小于500纳米的最小宽度的自支撑且体掺杂的半导体，其中由体掺杂...
查尔斯·M·利伯崔屹段镶锋黄昱
文献传递
包括至少四条半导体纳米线的电器件
是下列至少其中之一的体搀杂半导体：单晶体；拉长且体搀杂的半导体，所述半导体在沿其纵轴上的任意点上具有小于500纳米的最大横截面尺寸；以及具有至少一个具有小于500纳米的最小宽度的部分的独立式且体搀杂的半导体。这样的半导体...
查尔斯·M·利伯崔屹段镶锋黄昱
文献传递
搀杂的细长半导体,这类半导体的生长,包含这类半导体的器件以及这类器件的制造
是下列至少其中之一的体搀杂半导体：单晶体；拉长且体搀杂的半导体，所述半导体在沿其纵轴上的任意点上具有小于500纳米的最大横截面尺寸；以及具有至少一个具有小于500纳米的最小宽度的部分的独立式且体搀杂的半导体。这样的半导体...
查尔斯·M·利伯崔屹段镶锋黄昱
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