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王玉霞

作品数：6 被引量：9H指数：2
供职机构：长春光机学院更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 5篇激光
  • 5篇激光器
  • 5篇半导体
  • 5篇半导体激光
  • 5篇半导体激光器
  • 2篇电阻
  • 2篇接触电阻
  • 2篇触电
  • 2篇高功率
  • 1篇电极
  • 1篇电极制备
  • 1篇蒸发技术
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇腔面
  • 1篇装配工艺
  • 1篇谐振腔
  • 1篇激光器腔面
  • 1篇功率
  • 1篇功率半导体
  • 1篇合金

机构

  • 4篇长春光机学院
  • 1篇长春理工大学

作者

  • 5篇王玉霞
  • 1篇张宝顺
  • 1篇杨晓妍
  • 1篇任大翠
  • 1篇薄报学
  • 1篇高欣
  • 1篇宋晓伟
  • 1篇杨莲
  • 1篇王晓华
  • 1篇张宝顺
  • 1篇王玲
  • 1篇李辉

传媒

  • 3篇长春光学精密...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2001
  • 1篇1999
  • 1篇1998
  • 1篇1996
  • 1篇1995
共 6 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种装配半导体激光器的新方法
1996年
本文介绍了在制作半导体激光器的过程中,用热压球焊的方法代替电极压触的方法,减小了激光器的接触电阻,使激光器的阈值电流下降,输出功率提高。
王玉霞高欣
关键词：半导体激光器接触电阻装配工艺
高功率GaAlAs/GaAsSQW激光器
1999年
利用分子束外延生长装置生长出了GaAlAs/GaAs梯度折射率分别限制单量子阱结构材料。利用该材料制作的激光二极管 ,室温连续工作 ,功率为 1W ,斜率效率达到 1 0 4W
宋晓伟王玲王玉霞张宝顺薄报学
关键词：半导体激光器分别限制结构
半导体激光器电极制备中的蒸发技术被引量：2
2001年
介绍了半导体激光器电极的蒸发技术。改进了焊接技术即蒸铟技术，并对使用的铟量、铟的厚度、蒸发电流、蒸发源与被蒸镀的电极之间的距离及铟表面的均匀度进行了实验。最后蒸发出了表面均匀、有金属光泽、厚度合适的理想电极。
王玉霞王晓华李辉
关键词：蒸发技术半导体激光器
高功率半导体激光器的欧姆接触
1998年
欧姆接触的好坏，对高功率半导体激光器至关重要。降低接触电阻，有利于降低阈值电流，提高量子效率和延长寿命。为此，在进行了大量的实验后，找到了降低欧姆接触电阻的最佳工艺条件，获得了小于０．０６Ω的最低电阻。
王玉霞任大翠张宝顺
关键词：半导体激光器欧姆接触接触电阻合金
半导体激光器腔面高反射涂层的研究被引量：7
1995年
通过对GaAs－GaAlAs激光器谐振腔后腔面蒸镀ZrO2，MgF2工艺过程，从|理论和实验上分析涂层特性，反射率由无膜时的32％，镀膜后提高到92．5％。保护了器件端面，降低问值电流，提高了激光输出功率和工作寿命。
杨晓妍杨莲王玉霞
关键词：高反射膜谐振腔半导体激光器
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