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杨晓亮

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：济南市半导体元件实验所更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 2篇单晶
  • 2篇单晶材料
  • 2篇势垒
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基势垒
  • 2篇芯片
  • 2篇管芯
  • 2篇二极管
  • 2篇二极管芯片
  • 2篇反向漏电
  • 1篇电路
  • 1篇钝化层
  • 1篇正向压降
  • 1篇金属
  • 1篇静电放电
  • 1篇静电放电保护
  • 1篇抗干扰
  • 1篇抗干扰能力
  • 1篇集成电路
  • 1篇寄生

机构

  • 4篇济南市半导体...

作者

  • 4篇杨晓亮
  • 2篇董军
  • 2篇宋迎新
  • 1篇张聪

年份

  • 2篇2022
  • 1篇2017
  • 1篇2014
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
肖特基二极管芯片、器件及芯片复合势垒的制备方法
本发明公开了一种肖特基二极管芯片、器件及芯片复合势垒的制备方法，芯片包括N型硅半导体衬底，半导体衬底的正面设有NiPtSi势垒层，所述势垒层与半导体衬底直接接触，形成NiPtSi‑Si势垒。本发明方法简易、成本低、实用有...
陈守迎张聪董军单维刚杨晓亮沈中堂宋迎新
文献传递
一种ESD保护器件
本实用新型公开一种ESD保护器件，属于集成电路静电放电保护领域，包括N型单晶材料、P扩散区、N+扩散区和P+扩散区，P扩散区形成于N型单晶材料上，N+扩散区包括形成于N型单晶材料上的第一N+扩散区和形成于P扩散区上的第二...
杨晓亮李泽宏
一种可增强ESD抗干扰能力的单向ESD保护器及制作方法
本发明公开一种可增强ESD抗干扰能力的单向ESD保护器及制作方法，本发明在P扩散区的光刻工艺中，通过调整光刻窗口至N+扩散区区域内，同时引入高能量的硼注入、硼推结，使得P扩散区处于N+扩散区下方。P扩散区光刻窗口的尺寸略...
杨晓亮李泽宏
文献传递
肖特基二极管芯片、器件及芯片复合势垒的制备方法
本发明公开了一种肖特基二极管芯片、器件及芯片复合势垒的制备方法，芯片包括N型硅半导体衬底，半导体衬底的正面设有NiPtSi势垒层，所述势垒层与半导体衬底直接接触，形成NiPtSi-Si势垒。本发明方法简易、成本低、实用有...
陈守迎董军单维刚杨晓亮沈中堂宋迎新
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