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应力预释放对单晶硅片的压痕位错滑移的影响被引量：3: 2015年; 单晶硅片的压痕位错在一定温度下的滑移距离反映了硅片的机械强度.压痕位错的滑移是受压痕的残余应力驱动的,因此研究残余应力与位错滑移之间的关系具有重要的意义.本文首先采用共聚焦显微拉曼术研究了单晶硅片压痕的残余应力经过300或500℃热处理后的预释放,然后研究了上述应力预释放对压痕位错在后续较高温度(700—900℃)热处理过程中滑移的影响.在未经应力预释放的情况下,压痕位错在700—900℃热处理2 h后即可滑移至最大距离.当经过上述预应力释放后,位错在900℃热处理2 h后仍能达到上述最大距离,但位错滑移速度明显降低;而在700和800℃时热处理2 h后的滑移距离变小,其减小幅度在预热处理温度为500℃时更为显著.然而,进一步的研究表明:即使经过预应力释放,只要足够地延长700和800℃的热处理时间,位错滑移的最大距离几乎与未经预应力释放情形时的一样.根据以上结果,可以认为在压痕的残余应力大于位错在某一温度滑移所需临界应力的前提下,压痕位错在某一温度滑移的最大距离与应力大小无关,不过达到最大距离所需的时间随应力的减小而显著增长.; 赵泽钢田达晰赵剑梁兴勃马向阳杨德仁; 关键词：单晶硅片压痕位错滑移应力释放

重掺硼对直拉单晶硅片上压痕位错运动的影响被引量：1: 2016年; 对比研究了轻掺硼(1.5×10^(16)cm^(-3))和重掺硼(1.2×10^(20)cm^(-3))直拉硅片上维氏压痕周围的残余应力分布及压痕位错在900℃滑移的情况。研究表明:重掺硼直拉硅片上压痕周围的残余应力及应力场区域显著小于轻掺硼硅片的。在900℃热处理时,轻掺硼硅片上的压痕位错发生显著的滑移,而重掺硼硅片上的压痕位错几乎不发生滑移。一方面,重掺硼降低了单晶硅的压痕断裂韧性,使侧向裂纹尺寸增大而释放更多的应力,从而使压痕的残余应力变小;另一方面,重掺硼对位错具有明显的钉扎作用,使位错的滑移需要更大的应力驱动。可以认为正是上述两方面的效应使得重掺硼硅片的压痕位错几乎不发生滑移。; 赵泽钢赵剑马向阳杨德仁; 关键词：单晶硅片位错滑移

掺杂剂对重掺n型直拉硅片的氧化诱生层错生长的影响: 2015年; 对比研究了电阻率几乎相同的重掺锑和重掺磷直拉硅片的氧化诱生层错(OSF)的生长,以揭示掺杂剂对重掺n型直拉硅片的OSF生长的影响.研究表明:在相同的热氧化条件下,重掺锑直拉硅片的OSF的长度大于重掺磷硅片的.基于密度泛函理论的第一性原理计算结果表明:与磷原子相比,锑原子是更有效的空位俘获中心,从而抑制空位与自间隙硅原子的复合.因此,在经历相同的热氧化时,氧化产生的自间隙硅原子与空位复合后所剩余的数量在重掺锑硅片中的更多,从而导致OSF更长.; 张越赵剑董鹏田达晰梁兴勃马向阳杨德仁; 关键词：掺杂剂点缺陷氧化诱生层错直拉硅

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赵剑