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袁昊

作品数：103 被引量：2H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信电气工程文化科学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 101篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 57篇电子电信
  • 5篇电气工程
  • 4篇文化科学
  • 1篇经济管理
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 43篇肖特基
  • 30篇肖特基接触
  • 27篇二极管
  • 23篇欧姆接触
  • 22篇碳化硅
  • 21篇电阻
  • 20篇肖特基二极管
  • 19篇导通
  • 17篇导通电阻
  • 17篇势垒
  • 17篇外延层
  • 16篇电极
  • 12篇沟槽
  • 11篇源区
  • 11篇FET器件
  • 10篇电池
  • 10篇电迁移
  • 9篇钝化层
  • 9篇雪崩
  • 9篇终端区

机构

  • 103篇西安电子科技...
  • 3篇陕西半导体先...

作者

  • 103篇袁昊
  • 84篇张玉明
  • 78篇汤晓燕
  • 78篇宋庆文
  • 36篇何艳静
  • 20篇郭辉
  • 20篇张艺蒙
  • 16篇胡彦飞
  • 12篇韩超
  • 6篇陈利利
  • 6篇弓小武
  • 6篇王栋
  • 2篇元磊
  • 2篇王悦湖
  • 2篇贾仁需
  • 1篇张春福
  • 1篇李家贵

年份

  • 4篇2024
  • 21篇2023
  • 34篇2022
  • 11篇2021
  • 15篇2020
  • 11篇2019
  • 4篇2017
  • 2篇2014
  • 1篇2013
共 103 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法
本发明公开了一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法，包括：选取SiC衬底；对SiC衬底的背面进行预设深度的N离子注入；在SiC衬底的正面形成石墨烯/SiC结构；在石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜；在Si...
胡彦飞纪宇婷郭辉梁佳博何艳静袁昊王雨田
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一种抗单粒子的SiC UMOSFET器件
本发明涉及一种抗单粒子的SiC UMOSFET器件，包括：衬底；漏极设置在衬底下方；N‑漂移区位于衬底上方；第一P+区位于N‑漂移区的内部；第二P+区位于N‑漂移区的内部；P型基区设置在N‑漂移区的内部，位于第一P+区与...
汤晓燕张男宋庆文袁昊陶静雯张玉明
一种结型势垒肖特基二极管
本发明涉及一种结型势垒肖特基二极管，包括从下至上依次设置的底层金属层、N+衬底层和N‑外延层，其中，N‑外延层上设置有隔离介质层和顶层金属层，隔离介质层环绕在N‑外延层上表面的四周，顶层金属层设置在N‑外延层和隔离介质层...
张玉明宋庆文汤晓燕袁昊张艺蒙范鑫
文献传递
一种新型异质结光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种新型异质结光电探测器及其制备方法，由碳化硅、单层石墨烯、氧化镓和电极组成，所述单层石墨烯设置于所述碳化硅与所述氧化镓之间，所述电极为两个，两个所述电极均与所述单层石墨烯接触连接。与现有技术相比，本发明采用...
胡彦飞兰志超郭辉王雨田袁昊何艳静
一种集成TJBS的碳化硅UMOSFET器件
本发明涉及一种集成TJBS的碳化硅UMOSFET器件，包括：N+衬底区、N‑外延区、P‑阱区、N+注入区、第一P+注入区、第二P+注入区、栅极，源极和漏极，其中，第二P+注入区与第一P+注入区间隔设置且深度一致，第一P+...
何艳静袁昊胡彦飞汤晓燕宋庆文张玉明
文献传递
一种L型垂直源极的碳化硅MOSFET器件及其制作方法
本发明公开了一种L型垂直源极的碳化硅MOSFET器件及其制作方法，包括：依次设置的N型衬底、N型外延层、P型阱区以及N型源极区；P型离子注入区，位于N型外延层以及P型阱区中；N型外延层、P型阱区、N型源极区以及P型离子注...
何艳静周圣钧汤晓燕袁昊宋庆文弓小武张玉明
提高SiC MOSFET抗浪涌能力的半导体器件
本发明公开了一种提高SiC MOSFET抗浪涌能力的半导体器件，涉及碳化硅功率半导体领域，包括：第一元胞区，第一元胞区包括多个阵列排布的晶体管，晶体管包括体二极管；第一二极管区，至少部分围绕第一元胞区，第一二极管区包括多...
何艳静裴冰洁赖建锟袁昊宋庆文汤晓燕弓小武张玉明
一种集成新型刻蚀工艺JBS的SiC浮结UMOSFET器件及其制备方法
本发明涉及一种集成新型刻蚀工艺JBS的SiC浮结UMOSFET器件及其制备方法，该MOSFET器件包括：N+衬底层、第一N‑外延层、P+离子注入区、第二N‑外延层、第一P+注入区、第二P+注入区、栅电极、第一P‑阱区、第...
汤晓燕白志强何艳静袁昊宋庆文张玉明
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一种具有栅电极表面场的平面PiN型β辐照电池及制备方法
本发明涉及一种具有栅电极表面场的平面PiN型β辐照电池及制备方法，辐照电池包括PiN单元和位于PiN单元上的放射性同位素单元，PiN单元包括N型掺杂4H‑SiC衬底、N型掺杂4H‑SiC外延层、P型离子注入区、N型欧姆接...
韩超钱驰文袁飞霞郭辉张玉明袁昊
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一种集成金属氧化物半导体的混合PiN肖特基二极管
本发明公开了一种集成金属氧化物半导体的混合PiN肖特基二极管，包括：N<Sup>+</Sup>衬底层；漂移层，位于N<Sup>+</Sup>衬底层上；P型区，包括：沟槽底部P型区和沟槽侧壁P型区，沟槽侧壁P型区侧边与沟槽...
宋庆文张玉明汤晓燕袁昊张艺蒙王栋
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