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李靖

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：北京京东方光电科技有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 4篇显示装置
  • 4篇晶体管
  • 4篇薄膜晶体
  • 4篇薄膜晶体管
  • 3篇氧化硅薄膜
  • 3篇绝缘
  • 3篇绝缘层
  • 3篇硅薄膜
  • 2篇氧化物薄膜
  • 2篇氢含量
  • 1篇栅电极
  • 1篇透明电极
  • 1篇氢离子
  • 1篇显示技术
  • 1篇离子
  • 1篇光阻
  • 1篇TFT

机构

  • 4篇北京京东方光...

作者

  • 4篇谢振宇
  • 4篇阎长江
  • 4篇李田生
  • 4篇李靖
  • 3篇徐少颖
  • 3篇田宗民
  • 1篇陈旭

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2014
  • 2篇2013
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，所述薄膜晶体管包括：基板、栅电极、有源层、源漏电极、像素电极及一个或多个绝缘层，其中，至少一个绝缘层包括底层绝缘层及上层绝缘层，所述上层绝缘层中的氢含量高于所述底...
谢振宇徐少颖李田生阎长江李靖田宗民
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薄膜晶体管、阵列基板和显示装置
本实用新型提供一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置，所述薄膜晶体管包括：基板、栅电极、有源层、源漏电极、像素电极及一个或多个绝缘层，其中，至少一个绝缘层包括底层绝缘层及上层绝缘层，所述上层绝缘层中的氢含量高于所述底层绝缘层...
谢振宇徐少颖李田生阎长江李靖田宗民
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薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，所述薄膜晶体管包括：基板、栅电极、有源层、源漏电极、像素电极及一个或多个绝缘层，其中，至少一个绝缘层包括底层绝缘层及上层绝缘层，所述上层绝缘层中的氢含量高于所述底...
谢振宇徐少颖李田生阎长江李靖田宗民
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一种阵列基板及其制造方法、显示装置
本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，涉及显示技术领域，用以降低薄膜晶体管的漏电流，提高TFT的稳定性，提升显示器件的显示效果。该阵列基板包括：透明基板以及位于透明基板上的薄膜晶体管TFT，第一钝化层覆盖TFT...
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