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姚天保

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：江苏宏微科技股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 5篇陶瓷
  • 5篇功率模块
  • 4篇金属
  • 4篇金属陶瓷
  • 4篇功率
  • 4篇IGBT
  • 3篇电感
  • 3篇电路
  • 3篇电路板
  • 3篇电针
  • 3篇智能功率模块
  • 3篇散热
  • 3篇散热效果
  • 3篇主电路
  • 3篇隔热
  • 3篇隔热板
  • 3篇插槽
  • 3篇主电极
  • 2篇电极
  • 2篇半导体

机构

  • 11篇江苏宏微科技...

作者

  • 11篇姚天保
  • 10篇王晓宝
  • 4篇王涛
  • 4篇贺东晓
  • 1篇刘清军
  • 1篇张景超
  • 1篇刘利峰
  • 1篇赵善麒
  • 1篇戚丽娜
  • 1篇周锦源

年份

  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 5篇2012
  • 3篇2011
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
IGBT半桥功率模块
本发明涉及一种IGBT半桥功率模块，包括外壳和安装在外壳底面的铜底板，主电路及具有槽形部分和引出部分的至少两个输入电极和至少一个输出电极通过覆金属陶瓷基板与铜底板连接，两个输入电极的槽形底面相对设置，外壳的顶板分别设有与...
贺东晓姚天保王晓宝麻长胜
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IGBT半桥功率模块
本实用新型涉及一种IGBT半桥功率模块，包括外壳和安装在外壳底面的铜底板，主电路及具有槽形部分和引出部分的至少两个输入电极和至少一个输出电极通过覆金属陶瓷基板与铜底板连接，两个输入电极的槽形底面相对设置，外壳的顶板分别设...
贺东晓姚天保王晓宝麻长胜
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智能功率模块
本发明涉及一种智能功率模块，包括外壳、盖板和主电路板，外壳的上下两端面分别设置上止口和下止口，外壳内壁的中间至少设有两个支承座、下部设有横梁，所述主电路板上的覆金属绝缘基板与各器件连接，覆金属绝缘基板固定在铜底板上，主电...
姚玉双王晓宝王涛姚天保
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轻型功率半导体模块
本实用新型涉及一种轻型功率半导体模块，包括外壳、覆金属陶瓷基板、半导体芯片和电极，半导体芯片连接在覆金属陶瓷基板上，电极与覆金属陶瓷基板连接，所述外壳内设有一体的盖板，外壳底面的壳壁上设有安装槽口，覆金属陶瓷基板固定在该...
王晓宝姚玉双姚天保
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高压大电流高性能IGBT芯片及模块的产业化
赵善麒刘利峰戚丽娜王晓宝张景超刘清军姚天保麻长胜
项目属电力电子领域。主要技术内容：1、研制成功具有正温度系数、高短路能力、高雪崩耐量和低功耗的15-100A、1200V 绝缘栅双极晶体管（IGBT）管芯:(1)元胞内大面积栅源隔离技术：在栅源之间形成一层抗可移动离子，...
关键词：
关键词：绝缘栅双极晶体管高压大电流优化设计工艺技术
功率模块信号端子的点焊专用夹具
本实用新型涉及一种功率模块信号端子的点焊专用夹具，包括上压柱、下定位座和移动件，上压柱安装在移动件的活动件上，且上压柱与正电极电连接，下定位座的上部设有V形槽，下定位座与负电极电连接。本实用新型通过下定位座的上部的V形槽...
周锦源贺东晓姚天保
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智能功率模块
本实用新型涉及一种智能功率模块，包括外壳、盖板和主电路板，外壳的上下两端面分别设置上止口和下止口，外壳内壁的中间至少设有两个支承座、下部设有横梁，所述主电路板上的覆金属绝缘基板与各器件连接，覆金属绝缘基板固定在铜底板上，...
姚玉双王晓宝王涛姚天保
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多单元功率半导体模块
本实用新型涉及一种多单元功率半导体模块，包括外壳、覆铜陶瓷基板、半导体芯片和电极，半导体芯片固定在覆铜陶瓷基板上，电极与覆铜陶瓷基板或/和半导体芯片连接，所述电极安装或固定在外壳的电极插槽内，电极的连接部位具有铝层，电极...
王晓宝姚玉双姚天保
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IGBT半桥功率模块
本发明涉及一种IGBT半桥功率模块，包括外壳和安装在外壳底面的铜底板，主电路及具有槽形部分和引出部分的至少两个输入电极和至少一个输出电极通过覆金属陶瓷基板与铜底板连接，两个输入电极的槽形底面相对设置，外壳的顶板分别设有与...
贺东晓姚天保王晓宝麻长胜
智能功率模块
本发明涉及一种智能功率模块，包括外壳、盖板和主电路板，外壳的上下两端面分别设置上止口和下止口，外壳内壁的中间至少设有两个支承座、下部设有横梁，所述主电路板上的覆金属绝缘基板与各器件连接，覆金属绝缘基板固定在铜底板上，主电...
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