盛百城
- 作品数：14 被引量：6H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种高频肖特基二极管及其制备方法
- 本申请适用于半导体器件制造技术领域，提供了一种高频肖特基二极管及其制备方法，该制备方法包括：在重掺杂半导体层上制备轻掺杂半导体层；在轻掺杂半导体层上制备导电层，导电层的宽度小于轻掺杂半导体层的宽度；在轻掺杂半导体层和导电...
- 宋旭波冯志红吕元杰梁士雄张立森许婧游恒果刘帅刘京亮刘桢盛百城
- 260 GHz GaN高功率三倍频器设计
- 2024年
- 基于GaN太赫兹二极管芯片,采用非平衡式电路结构,设计了一款260 GHz三倍频器。采用GaN肖特基二极管芯片提高电路的耐受功率和输出功率;采用“减高+减宽”的输出波导结构抑制二次谐波;采用高低阻抗带线结构设计了倍频器的输入滤波器和输出滤波器。测试结果显示,该三倍频器在261 GHz峰值频率下,实现最大输出功率为69.1 mW,转换效率为3.3%,同时具有较好的谐波抑制特性。
- 盛百城宋旭波顾国栋张立森刘帅万悦魏碧华李鹏雨郝晓林梁士雄冯志红
- 关键词：太赫兹肖特基二极管倒装
- 碳化硅衬底外延石墨烯被引量：2
- 2019年
- 通过高温热解法和化学气相沉积(CVD)法在SiC(0001)衬底外延石墨烯。采用光学显微镜、原子力显微镜、扫描电子显微镜、喇曼光谱、X射线光电子能谱和霍尔测试系统对样品进行表征,并对比了两种不同生长方法对石墨烯材料的影响以及不同的成核机理。结果表明,高温热解法制备的石墨烯材料有明显的台阶形貌,台阶区域平坦均匀,褶皱少,晶体质量取决于SiC衬底表面原子层,电学特性受衬底影响大,迁移率较低。CVD法制备的石墨烯材料整体均匀,褶皱较多,晶体质量更好。该方法制备的石墨烯薄膜悬浮在SiC衬底表面,与衬底之间为范德华力连接,电学特性受衬底影响小,迁移率较高。
- 盛百城刘庆彬蔚翠何泽召高学栋郭建超周闯杰冯志红
- 关键词：石墨烯碳化硅衬底成核机理
- 4英寸SiC衬底上高性能GaN HEMT材料被引量：2
- 2013年
- 使用金属有机气相沉积(MOCVD)设备在4英寸(1英寸=2.54 cm)半绝缘SiC衬底上进行了GaN HEMT结构材料的生长。GaN外延材料(002)和(102)面X射线摇摆曲线半高宽分别为166和238 arcsec,表面粗糙度(Rms)(5μm×5μm)达到0.174 nm,表明GaN外延材料具有较好的晶体质量。另外,喇曼测试发现整个4英寸GaN外延材料应力分布比较均匀,与3英寸GaN外延材料相比应力没有增加。通过非接触霍尔测得GaN HEMT结构材料二维电子气的迁移率达到2 153 cm2/(V.s)、面密度为9.49×1012 cm-2,方块电阻相对标准偏差1.1%,表现出良好的电学性能和均匀性。
- 尹甲运房玉龙盛百城蔡树军冯志红
- 关键词：SIC衬底HEMT位错迁移率
- SiC基GaN上多晶金刚石散热膜生长及其影响
- 2024年
- 通过微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法,在SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)异质结构材料上生长多晶金刚石散热膜,采用光学显微镜(OM)、拉曼光谱、非接触霍尔测试系统、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对生长样品进行表征,研究了生长温度、多晶金刚石散热膜厚度对GaN HEMT异质结构材料性能的影响。测试结果表明,当多晶金刚石生长温度为625℃,散热膜厚度为20μm时,GaN材料载流子迁移率降低9.8%,载流子浓度上升5.3%,(002)衍射峰半高宽增加40%。生长温度越高,金刚石散热膜的生长速率越快。当金刚石散热膜厚度相差不大时,生长温度越高,GaN所受拉应力越大,材料电特性衰退越明显。多晶金刚石高温生长过程中,金刚石引入的应力未对GaN结构产生破坏作用,GaN材料中没有出现孔洞等缺陷。
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- 关键词：多晶金刚石氮化镓孔洞缺陷
- 外延片翘曲度的控制方法及衬底托盘
- 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种外延片翘曲度的控制方法及衬底托盘。该方法包括：将翘曲度为非零值的衬底放置在内部包含空气腔的衬底托盘上；采用外延工艺，在衬底的外延生长面上进行外延层生长，对上述衬底与外延层进行降温处理...
- 郭艳敏方园邹学锋盛百城
- 图形化蓝宝石衬底表面原位处理对GaN外延薄膜的影响被引量：1
- 2019年
- 采用预铺Ga或NH_3氮化等方式原位处理图形化蓝宝石衬底(PSS)表面,然后外延生长了GaN薄膜,研究了PSS表面预处理对GaN薄膜表面形貌、晶体质量以及残余应力的影响。结果显示,PSS经过预铺Ga后生长的GaN薄膜具有平滑的表面和清晰平直的原子台阶,且位错密度最低;氮化后生长的GaN薄膜原子台阶较宽,螺型位错密度较低;衬底未经表面处理生长的GaN薄膜,原子台阶模糊,位错密度最高;同时,与氮化或未经预处理的方法相比,经过预铺Ga的方式预处理PSS表面后生长的GaN薄膜残余应力最小。分析认为,预铺Ga、氮化等方式处理衬底表面,改变了PSS微结构,有利于生长表面平滑、晶体质量高、残余应力小的GaN薄膜。
- 盛百城白欣娇唐兰香甘琨袁凤坡
- 关键词：氮化镓表面处理
- 基于III族氮化物材料的凹槽栅极结构的IGBT
- 本发明公开了一种基于III族氮化物材料的凹槽栅极结构的IGBT，属于半导体器件。本发明自上而下依次包括盖帽层、势垒层、沟道层、阻挡层、耐压层、集电层、发射极、集电极和凹槽栅极；将凹槽栅极延伸到盖帽层及其以下的部分称为栅根...
- 房玉龙冯志红尹甲运王元刚盛百城敦少博吕元杰宋旭波邢东
- 文献传递
- 氧化镓垂直场效应晶体管制备方法及场效应晶体管
- 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种氧化镓垂直场效应晶体管制备方法及场效应晶体管，上述方法包括：在氧化镓衬底的上生长氧化镓沟道层；对氧化镓沟道层进行离子注入掺杂形成源区；离子注入的深度小于氧化镓沟道层的厚度；在氧化镓沟...
- 刘宏宇吕元杰王元刚卜爱民盛百城冯志红
- 氧化镓场效应晶体管
- 本发明提供一种氧化镓场效应晶体管，包括衬底、形成在衬底上的n型氧化镓沟道层、分别形成在n型氧化镓沟道层上的源电极、漏电极和栅电极；在n型氧化镓沟道层的预设沟道区域内设有多个周期排布的刻蚀凹坑，相邻刻蚀凹坑相靠近的两侧壁在...
- 吕元杰刘宏宇王元刚卜爱民盛百城冯志红
