蔺娴
- 作品数：6 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- 塑封电子器件负极端变色原因分析
- 2014年
- 利用X-RAY光电子能谱仪对125°下,通电15kV,96h后负极一端出现白色物质的塑封电容器进行分析。对比分析发现,负极一端白色物质为氧化铝富集所致。造成该现象的原因是,环氧塑封料中含有活性氧化铝,由于固化不完全或吸潮导致环氧塑封料中残留水分,残留的水分与活性氧化铝结合,在电应力的作用下,有向电源负极迁移的趋势;同时,由于温度效应的存在,塑封树脂软化,加速了水分与活性氧化铝向电源负极迁移的速度,形成了氧化铝在负极端富聚现象,使电容器负极端呈现白色。
- 丁丽李雨辰蔺娴
- 关键词：光电子能谱塑封料氧化铝迁移
- 塑封电子器件负极端变色原因分析
- X-RAY光电子能谱仪对125°下,通电15kV,96h后负极一端出现白色物质的塑封电容器进行分析.对比分析发现,负极一端白色物质为氧化铝富集所致.造成该现象的原因是,环氧塑封料中含有活性氧化铝,由于固化不完全...
- 丁丽李雨辰蔺娴
- 关键词：环氧塑封料氧化铝
- 钨带冷弯时断裂原因分析被引量：3
- 2011年
- 钨带在90°弯曲时发生断裂,通过分析发现,断裂钨带碳含量偏高,断口处分层并呈蜂窝式片状形貌,断口附近金相组织也显示出明显的带状组织,断口处组织呈纤维状,断口为脆性断口。建议将材料含量控制在0.0050%以下,在90°弯曲时加热,加热温度在650～800℃,以降低钨带的脆性,增加弯曲时的韧性,提高成品率。
- 丁丽刘立娜周智慧蔺娴章安辉李剑
- 芯片引线键合点失效的俄歇电子能谱分析被引量：1
- 2013年
- 采用俄歇电子能谱法(AES),对某芯片的正常引线键合点和失效引线键合点进行了分析.实验结果表明:失效引线键合点表面出现了Cl元素,其失效原因是在键合点处形成的氯化物腐蚀键合点,导致键合点失效;溅射20min后,键合点内发生Ni金属的迁移,这也是导致键合点失效的原因之一.
- 蔺娴李雨辰
- 关键词：AES芯片键合点
- DAST晶体XPS数据分析基准的讨论被引量：1
- 2018年
- 为了方便地表征4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲基苯磺酸盐(DAST)的性质,采用X射线光电子能谱仪(XPS)分别对两种原粉的DAST晶体、吸附有一定量水的DAST籽晶和新制备的DAST籽晶进行了表面元素分析。通过分析数据,并选取其中合适峰位的元素作为数据分析时的基准。结果表明,DAST晶体中的C、N、O元素均不适合作为XPS数据分析的基准元素,可能来源于表面沾污的Si元素也不能作为数据分析的基准,而将晶体中硫元素(167.50eV)作为基准,校准数据后分析C、N元素,其结果是合理的。
- 蔺娴李雨辰王鑫
- 关键词：DAST晶体XPS数据分析
