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袁国栋
作品数:
33
被引量:4
H指数:1
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
广州市科技计划项目
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相关领域:
电子电信
生物学
理学
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合作作者
李晋闽
中国科学院半导体研究所
王军喜
中国科学院半导体研究所
王克超
中国科学院半导体研究所
黄芳
中国科学院半导体研究所
吴瑞伟
中国科学院半导体研究所
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作者
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袁国栋
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黄芳
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带基片加热和气氛处理的匀胶机
一种带基片加热和气氛处理的匀胶机,包括:一圆筒;一立轴位于圆筒的中间并穿过圆筒的底部;一升降支架位于立轴上,该升降支架的上端为置物台,该升降支架可以旋转;一进气管道从圆筒外部通入圆筒内;一活动喷嘴的一端与进气管道相连,另...
黄芳
袁国栋
李晋闽
用于高效纳米偶极子太阳能电池的强极化装置及方法
一种用于高效纳米偶极子太阳能电池的强极化装置,包括:一下电极;一对象薄膜,该对象薄膜制作在下电极上;一绝缘薄膜,该绝缘薄膜制作在对象薄膜上;一上电极,该上电极制作在薄膜上;一高压直流电源,其一端与下电极连接,另一端与上电...
黄芳
袁国栋
李晋闽
王军喜
文献传递
基于晶硅光伏技术的硅基GaN发光器件及制备方法
一种基于晶硅光伏技术的硅基GaN发光器件,包括:一N型或P型硅(100)的衬底;一随机分布的正金字塔结构,其制作在衬底上;一缓冲反射层,其制作在正金字塔结构的表面,该缓冲反射层的材料为高温AlN或低温AlN;一发光层,其...
袁国栋
王克超
李晋闽
文献传递
氮化物纳米带的制备方法
本发明提供了一种氮化物纳米带的制备方法,包括:刻蚀硅衬底,得到图形化硅衬底;在图形化硅衬底的壁面上生长氮化物外延层;对粘连在一起的图形化硅衬底与氮化物外延层结构,进行腐蚀去除图形化硅衬底,得到氮化物纳米带。本发明对Si衬...
袁国栋
王琦
张璐
刘文强
王军喜
文献传递
一种叠层太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种叠层太阳能电池及其制备方法,该叠层太阳能电池包括:硅太阳能电池;在该硅太阳能电池上表面形成的高带隙光电转换材料;和/或在该硅太阳能电池下表面形成的低带隙光电转换材料。本发明针对硅太阳能电池性能难以大幅度提...
段瑞飞
袁国栋
王乐
黄芳
谢海忠
姬小利
文献传递
基于绝缘衬底的纳米柱LED芯片及其制备方法
本发明公开了一种基于绝缘衬底的纳米柱LED芯片及其制备方法,该芯片包括:绝缘衬底;石墨烯层,生长于绝缘衬底上;纳米柱LED,间隔生长在所述石墨烯层上,所述纳米柱LED自衬底至上包括:n‑GaN层、多量子阱发光层和p‑Ga...
刘志强
任芳
张硕
尹越
王蕴玉
梁萌
伊晓燕
袁国栋
王军喜
李晋闽
文献传递
无机卤化铋钙钛矿电池及其制备方法
本公开提供了一种无机卤化铋钙钛矿电池,其包括:透明导电衬底;电子传输层,形成于透明导电衬底上;钙钛矿吸光层,形成于电子传输层上,钙钛矿吸光层的材料为Cs<Sub>2</Sub>XBiY<Sub>6</Sub>,其中X=A...
袁国栋
刘文强
王琦
王军喜
李晋闽
文献传递
硅-石墨烯电池负极材料及其制备方法、锂电池
一种硅‑石墨烯电池负极材料及其制备方法、锂电池。该制备方法包括:采用金属阳离子辅助刻蚀硅片得到硅纳米线阵列;以及采用化学气相沉积法在硅纳米线表面包覆石墨烯,得到石墨烯包覆的硅纳米线。通过采用金属阳离子辅助刻蚀的手段,在S...
黄鹏
袁国栋
王军喜
李晋闽
文献传递
一种III族氮化物生物探针及其制备方法
本发明提供了一种III族氮化物生物探针及其制备方法,属于半导体材料制备及生物医学交叉领域。本发明采用具有潜在应用前景的III‑V族材料作为探针基本材料,通过调节多组量子阱的材料组分、厚度及组数,得到可调的量子线结构,满足...
袁国栋
张璐
王克超
吴瑞伟
李晋闽
王军喜
文献传递
非晶氮化镓/石墨烯电极材料、制备方法及超级电容器
一种非晶氮化镓/石墨烯电极材料、制备方法及超级电容器。其中,非晶氮化镓/石墨烯电极材料的制备方法包括:在一衬底上形成石墨烯;以及采用激光脉冲沉积在形成有石墨烯的衬底上制备非晶态氮化镓与石墨烯的复合材料。该制备方法有效避免...
黄鹏
袁国栋
王军喜
李晋闽
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