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钱锴

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：江苏宏微科技股份有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 4篇快恢复二极管
  • 4篇二极管
  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇氧化层
  • 3篇金属阳极
  • 3篇沟槽式
  • 3篇槽式
  • 2篇沟槽
  • 1篇载流子
  • 1篇少数载流子
  • 1篇微缺陷
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射法
  • 1篇硅片
  • 1篇氢
  • 1篇场板

机构

  • 4篇江苏宏微科技...

作者

  • 4篇张景超
  • 4篇刘利峰
  • 4篇戚丽娜
  • 4篇林茂
  • 4篇钱锴
  • 3篇王晓宝
  • 3篇赵善麒

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2016
  • 1篇2015
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
沟槽式快恢复二极管及其制备方法
本发明涉及一种沟槽式快恢复二极管，在场氧化层的有源区窗口内间隔设有三个以上沟槽氧化层和位于两沟槽氧化层之间的沟槽外注入区，沟槽氧化层内凹的空腔内填有沟槽多晶硅，各沟槽氧化层的底部与沟槽P<Sup>+</Sup>型杂质层相...
林茂戚丽娜张景超钱锴刘利峰赵善麒王晓宝
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沟槽式快恢复二极管
本实用新型涉及一种沟槽式快恢复二极管，在场氧化层的有源区窗口内间隔设有三个以上沟槽氧化层和位于两沟槽氧化层之间的沟槽外注入区，沟槽氧化层内凹的空腔内填有沟槽多晶硅，各沟槽氧化层的底部与沟槽P<Sup>+</Sup>型杂质...
林茂戚丽娜张景超钱锴刘利峰赵善麒王晓宝
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沟槽式快恢复二极管及其制备方法
本发明涉及一种沟槽式快恢复二极管，在场氧化层的有源区窗口内间隔设有三个以上沟槽氧化层和位于两沟槽氧化层之间的沟槽外注入区，沟槽氧化层内凹的空腔内填有沟槽多晶硅，各沟槽氧化层的底部与沟槽P<Sup>+</Sup>型杂质层相...
林茂戚丽娜张景超钱锴刘利峰赵善麒王晓宝
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由氢注入工艺控制恢复特性的快恢复二极管的制备方法
本发明涉及一种由氢注入工艺控制恢复特性的快恢复二极管的制备方法，对已经完成正面工序、并在正面带有保护胶的硅片上进行制作，⑴、在硅片正面用离子注入方式将氢离子注入到有源区P型掺杂区中，在硅片的P型杂质区中由撞击而产生微缺陷...
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