石晓东
- 作品数：6 被引量：13H指数：3
- 供职机构：河北工业大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- Android移动端电视直播系统的设计与实现被引量：3
- 2017年
- 以移动流媒体体系结构和流媒体传输控制协议族为基础,在家庭电视机顶盒和无线路由器的基础上,设计一种基于Android系统框架的电视直播系统。机顶盒通过DVB-C获取稳定的数字信号然后硬转码把音视频数据编码成适合移动端播放的AAC和H.264格式并通过HLS协议实现移动端高清电视直播。经验证,该系统可以在现有的家庭多媒体资源基础上实现移动端电视节目的高清同步观看,具有很好的可行性和商业价值。
- 尹强王伟石晓东
- 关键词：通信ANDROID电视直播有线电视机顶盒HLS
- 石墨烯场效应晶体管的输运特性被引量：3
- 2017年
- 石墨烯场效应晶体管的研究对于摩尔定律的延续具有非常重要的意义.近年来,大面积、高质量石墨烯薄膜制备技术的快速发展,进一步推动了基于石墨烯材料的新型电子器件的研究,引起了集成电路领域研究人员的广泛关注.本文所制备的石墨烯场效应晶体管以ITO为栅电极,Ta_2O_5为栅绝缘层,石墨烯为有源层,Ti/Au双层金属为源漏电极.电学特性测试与分析结果表明,石墨烯与源漏电极形成了良好的欧姆接触.室温下,石墨烯场效应晶体管展示了其特有的双极性特征,空穴迁移率约为2272 cm2/(V s),电流开关比约为6.2.转移特性曲线中出现了明显的滞回现象,且随着栅压扫描范围的增大而越发显著.同时研究了温度对石墨烯场效应晶体管性能的影响,随着温度的升高,狄拉克点电压逐渐向零点方向偏移,滞回现象愈加明显.当温度为75℃时,空穴迁移率与电流开关达到最佳.
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- 关键词：迁移率
- 化学气相沉积制备大面积高质量石墨烯的研究进展被引量：6
- 2017年
- 石墨烯是由单层碳原子紧密堆积形成的一种碳质新材料,具有优良的电学、光学、热学及力学等性质。在众多的石墨烯制备方法中,化学气相沉积(Chemical vapor deposition,CVD)最有可能实现大面积、高质量石墨烯的可控制备。综述了CVD方法制备大面积、高质量石墨烯的影响因素,包括衬底、碳源及生长条件(气体流量、生长温度、等离子体功率、生长压强、沉积时间、冷却速率等)。最后展望了CVD方法制备石墨烯的发展方向。
- 石晓东王伟尹强李春静
- 关键词：石墨烯化学气相沉积衬底碳源
- 大面积石墨烯薄膜的制备及其在电子器件中的应用
- 目前,信息产业是国家和地方经济的支柱,而集成电路是信息产业发展的基石和核心。在大规模集成电路中广泛使用的是硅基金属-氧化物-半导体场效应晶体管,其特征尺寸已减小至14nm,预计2020年将达到硅材料的使用极限。在已知的电...
- 石晓东
- 关键词：石墨烯化学气相沉积高介电常数迁移率
- 文献传递
- PMMA栅绝缘层表面形貌对并五苯OTFT性能的影响
- 2015年
- 影响有机薄膜晶体管(organic thin-film transistor,OTFT)器件性能的主要因素中,栅绝缘层表面形貌特性和薄膜厚度等有着非常关键的作用,会直接影响有源层材料的分子排列方式和整个器件的性能。以氧化铟锡(ITO)导电薄膜玻璃为衬底材料,采用溶液旋涂的工艺制备聚合物聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)有机绝缘层,采用真空蒸镀的方法制备并五苯有源层及源-漏银电极。通过对比不同退火条件下PMMA绝缘栅层表面形貌及粗糙度,制备适合有源层生长的绝缘层表面,得到较好的PMMA栅绝缘层/并五苯有源层界面接触。实验表明,PMMA栅绝缘层经退火后所制备的器件场效应迁移率提高到2.52×10-3 cm2/(V·s),阈值电压降低到-11.5 V,获得了性能较好的OTFT。
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- 关键词：栅绝缘层迁移率
- Ta_2O_5-PMMA复合栅绝缘层对OFETs性能的影响（英文）被引量：1
- 2017年
- 选用五氧化二钽(Ta_2O_5)-聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)复合材料作为栅绝缘层制备了并五苯有机场效应晶体管(OFETs)。通过在Ta_2O_5表面旋涂一层PMMA可以降低栅绝缘层的表面粗糙度,增大其场效应晶体管的迁移率。研究了厚度在20~60 nm范围内的PMMA对复合绝缘层表面形貌、粗糙度以及器件电学性能的影响。结果表明,当PMMA厚度为40 nm时,器件的电学性能最佳。与单一的Ta_2O_5栅绝缘层器件相比,其场效迁移率由4.2×10^(-2)cm^2/(V·s)提高到0.31 cm^2/(V·s);栅电压增加到-20 V时,开关电流比由2.9×10~2增大到2.9×10~5。
- 石晓东王伟李春静任利鹏尹强
- 关键词：绝缘层迁移率
