您的位置： 专家智库 > >

汪玲

作品数：17 被引量：2H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
发文基金：江苏省“青蓝工程”基金更多>>
相关领域：电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇文化科学

主题

  • 5篇碳化硅
  • 4篇导通
  • 4篇导通电阻
  • 4篇电阻
  • 4篇退火
  • 4篇刻蚀
  • 4篇沟道
  • 4篇沟道电阻
  • 4篇高温退火
  • 3篇开关
  • 3篇开关器件
  • 3篇二极管
  • 2篇单胞
  • 2篇电场
  • 2篇压降
  • 2篇阴极
  • 2篇源区
  • 2篇实时监控
  • 2篇死区
  • 2篇速率

机构

  • 17篇中国电子科技...
  • 1篇东南大学

作者

  • 17篇汪玲
  • 15篇柏松
  • 14篇黄润华
  • 10篇陶永洪
  • 4篇刘奥
  • 4篇陈刚
  • 2篇王泉慧
  • 2篇刘昊
  • 1篇孙伟锋
  • 1篇杨杰
  • 1篇刘斯扬
  • 1篇唐光华
  • 1篇赵文锦
  • 1篇徐鹏霄

传媒

  • 1篇电子器件
  • 1篇光电子技术

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 4篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2013
共 17 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种碳化硅开关器件及制作方法
本发明公开了一种碳化硅开关器件及制作方法，具体包括在碳化硅衬底上生长第一掺杂类型层；在第一掺杂类型层上进行第二掺杂类型离子注入，在第一掺杂类型层上进行第一掺杂类型离子注入，在第一掺杂类型层上进行第一掺杂类型离子注入，在第...
黄润华陶永洪柏松汪玲
文献传递
一种碳化硅探测二极管及制作方法
本发明公开了一种碳化硅探测二极管及制作方法，具体实现方法包括两种方案：方案一：在碳化硅衬底上生长第一掺杂类型层，在第一掺杂类型层上进行第二掺杂类型离子注入，通过高温退火完成注入杂质激活，制作二极管阳极和阴极；方案二：在碳...
黄润华汪玲陈刚柏松
一种变掺杂结终端制备方法
本发明公开了一种变掺杂结终端制备方法，通过在介质层表面加工出蚀刻阻挡层，形成了阶梯状介质形貌，再通过离子注入形成了渐变结构的结终端。本发明通过严格控制两层介质的蚀刻速率比，实现了台阶高度的精准控制，避免了由蚀刻速率漂移引...
黄润华柏松陶永洪汪玲
一种台阶高度实时监控的碳化硅光敏掩膜刻蚀方法
本发明公开了一种台阶高度实时监控的碳化硅光敏掩膜刻蚀方法，它是在碳化硅材料上同时设置多个台阶高度监控图形，与待刻蚀图形一起同时刻蚀，并在需要检测刻蚀高度时将其中一个台阶高度监控图形周围的光敏掩膜层去除，从而进行台阶高度的...
陈刚汪玲王泉慧柏松
文献传递
一种变掺杂结终端制备方法
本发明公开了一种变掺杂结终端制备方法，通过在介质层表面加工出蚀刻阻挡层，形成了阶梯状介质形貌，再通过离子注入形成了渐变结构的结终端。本发明通过严格控制两层介质的蚀刻速率比，实现了台阶高度的精准控制，避免了由蚀刻速率漂移引...
黄润华柏松陶永洪汪玲
文献传递
一种大尺寸台面结构的碳化硅PiN二极管及其制备方法
本发明公开了一种大尺寸台面结构的碳化硅PiN二极管及其制备方法，制备方法包括：在第一掺杂类型衬底上生长第一掺杂类型层；在第一掺杂类型层的表面生长第二掺杂类型层；在第二掺杂类型层的表面注入形成额外的第二掺杂类型层；在器件边...
柏松黄润华汪玲杨同同
文献传递
一种碳化硅开关器件及制作方法
本发明公开了一种碳化硅开关器件及制作方法，降低沟道电阻在器件导通电阻中所占比例。本发明通过两次外延生长完成器件顶部结构加工，二次外延沟道区掺杂浓度低于侧向注入Pwell区的掺杂浓度，二次外延N+区掺杂浓度远高于侧向注入P...
黄润华柏松陶永洪汪玲刘奥李士颜刘昊
文献传递
一种台阶高度实时监控的碳化硅光敏掩膜刻蚀方法
本发明公开了一种台阶高度实时监控的碳化硅光敏掩膜刻蚀方法，它是在碳化硅材料上同时设置多个台阶高度监控图形，与待刻蚀图形一起同时刻蚀，并在需要检测刻蚀高度时将其中一个台阶高度监控图形周围的光敏掩膜层去除，从而进行台阶高度的...
陈刚汪玲王泉慧柏松
文献传递
一种碳化硅MOSFET单胞结构的制造方法
本发明公开了一种碳化硅MOSFET单胞结构的制造方法，将垂直导电沟道区设计成弯曲状，这样能够有效增大垂直导电沟道区的总长度，从而降低沟道电阻在导通电阻中所占的比例。
黄润华柏松陶永洪汪玲
文献传递
一种碳化硅开关器件及制作方法
本发明公开了一种碳化硅开关器件及制作方法，降低沟道电阻在器件导通电阻中所占比例。本发明通过两次外延生长完成器件顶部结构加工，二次外延沟道区掺杂浓度低于侧向注入Pwell区的掺杂浓度，二次外延N+区掺杂浓度远高于侧向注入P...
黄润华柏松陶永洪汪玲刘奥李士颜刘昊
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0