您的位置： 专家智库 > >

张晓民

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：沈阳工业大学更多>>
相关领域：文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 1篇文化科学

主题

  • 6篇应变电阻
  • 3篇电路
  • 3篇电路工艺
  • 3篇压力敏感
  • 3篇压力敏感芯片
  • 3篇压阻
  • 3篇压阻式
  • 3篇牺牲层
  • 3篇牺牲层技术
  • 3篇芯片
  • 3篇劲度系数
  • 3篇惠斯通电桥
  • 3篇集成电路
  • 3篇集成电路工艺
  • 3篇固有频率
  • 3篇过载能力
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米膜
  • 1篇刻蚀
  • 1篇SOI

机构

  • 6篇沈阳工业大学

作者

  • 6篇揣荣岩
  • 6篇张晓民
  • 3篇李新
  • 3篇关艳霞
  • 3篇代全
  • 3篇王健
  • 3篇刘一婷
  • 3篇关若飞

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
共 6 条 记 录，以下是 1-6
全选 清除 导出
排序方式：
压阻式高固有频率MEMS加速度敏感芯片
本实用新型公开了一种压阻式高固有频率MEMS加速度敏感芯片，该芯片主要包括硅基框架，主梁，微梁，质量块，其中质量块通过主梁和微梁与硅基框架相连；质量块一端设置有微梁，微梁上设有应变电阻，质量块另一端设置有对称的两个主梁，...
揣荣岩代全王健张晓民衣畅
文献传递
基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片及其制造方法
本发明公开了一种基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片及其制造方法。该芯片采用绝缘层上的单晶硅薄膜（SOI）材料制造，包括SOI的单晶硅衬底，SOI二氧化硅绝缘层作为牺牲层形成的腔体，在单晶硅薄膜上刻蚀隔离槽形成的四个应变电...
揣荣岩衣畅张晓民关若飞关艳霞李新刘一婷
文献传递
压阻式高固有频率MEMS加速度敏感芯片及其制造方法
本发明公开了一种压阻式高固有频率MEMS加速度敏感芯片，该芯片主要包括硅基框架，主梁，微梁，质量块，其中质量块通过主梁和微梁与硅基框架相连；质量块一端设置有微梁，微梁上设有应变电阻，质量块另一端设置有对称的两个主梁，主梁...
揣荣岩代全王健张晓民衣畅
文献传递
压阻式高固有频率MEMS加速度敏感芯片及其制造方法
本发明公开了一种压阻式高固有频率MEMS加速度敏感芯片，该芯片主要包括硅基框架，主梁，微梁，质量块，其中质量块通过主梁和微梁与硅基框架相连；质量块一端设置有微梁，微梁上设有应变电阻，质量块另一端设置有对称的两个主梁，主梁...
揣荣岩代全王健张晓民衣畅
基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片及其制造方法
本发明公开了一种基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片及其制造方法。该芯片采用绝缘层上的单晶硅薄膜（SOI）材料制造，包括SOI的单晶硅衬底，SOI二氧化硅绝缘层作为牺牲层形成的腔体，在单晶硅薄膜上刻蚀隔离槽形成的四个应变电...
揣荣岩衣畅张晓民关若飞关艳霞李新刘一婷
文献传递
基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片
本实用新型公开了一种基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片。该芯片采用绝缘层上的单晶硅薄膜（SOI）材料制造，包括SOI的单晶硅衬底，SOI二氧化硅绝缘层作为牺牲层形成的腔体，在单晶硅薄膜上刻蚀隔离槽形成的四个应变电阻及其金...
揣荣岩衣畅张晓民关若飞关艳霞李新刘一婷
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0