张丽丽
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：哈尔滨工程大学材料科学与化学工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金黑龙江省教育厅资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 超薄纳米晶Zr-N扩散阻挡性能及其热稳定性的研究被引量：2
- 2008年
- 用射频反应磁控溅射的方法在Si(100)衬底和Cu膜间制备了25nm的纳米晶Zr-N阻挡层,Cu/Zr-N/Si样品在高纯氮气保护下退火至700℃。用四探针电阻测试仪(FPP)、AFM、SEM、XRD、AES研究了溅射参数对Zr-N薄膜电阻率和扩散阻挡性能的影响。实验结果表明,N2分压从20%增加到25%,电阻率快速增高;溅射偏压不同,Zr-N的结构可由非晶态结构转变为纳米晶。纳米晶Zr-N阻挡层650℃退火1h后仍能有效地阻止Cu的扩散。
- 丁明惠张丽丽盖登宇王颖
- 关键词：扩散阻挡层CU互连射频反应磁控溅射
- 磁控溅射温度对Zr-N薄膜扩散阻挡性能的影响被引量：1
- 2008年
- 在不同的沉积温度下,用射频反应磁控溅射的方法在Si(100)衬底和Cu膜间制备了Zr-N阻挡层。用四探针电阻测试仪(FPP)、AFM、XRD、AES研究了沉积温度对Zr-N薄膜扩散阻挡性能的影响。沉积态的XRD、AFM结果表明,随着沉积温度的升高,Zr-N薄膜的结构由非晶态向晶态转变,晶粒的尺寸增大;650℃退火后的FPP、XRD、AES的对比结果说明沉积温度的升高有利于提高Zr-N薄膜的扩散阻挡性能。
- 丁明惠张宏森张丽丽王颖
- 关键词：扩散阻挡层CU互连射频反应磁控溅射
- 溅射方式对NbN薄膜结构及热稳定性的影响被引量：1
- 2010年
- 用射频磁控溅射和直流磁控溅射的方法分别在Si(100)衬底和Cu膜间制备了30nm的NbN薄膜,Cu/NbN/Si样品在高纯氮气保护下退火至700℃。用四探针电阻测试仪(FPP)、AFM、SEM、XRD、AES研究了溅射方式对NbN薄膜扩散阻挡性能的影响。退火前XRD结果表明,直流溅射制备的NbN薄膜为典型的晶态结构,射频溅射制备的薄膜为典型的非晶态结构。高温退火后的XRD、SEM、FPP、AES研究结果表明非晶态结构的NbN薄膜有更好的扩散阻挡性能,700℃时仍能很好地阻挡Cu原子的扩散。
- 张宏森丁明惠张丽丽蒋保江
- 关键词：扩散阻挡层CU互连磁控溅射
