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吴超

作品数:11 被引量:65H指数:4
供职机构:清华大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
发文基金:国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目国家科技支撑计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术动力工程及工程热物理理学更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 5篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇理学

主题

  • 3篇SOC
  • 3篇GAN
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化镓
  • 2篇片上系统
  • 2篇晶体
  • 2篇复用
  • 2篇MBE
  • 1篇氮化铝
  • 1篇氮化物
  • 1篇雕刻机
  • 1篇性能表征
  • 1篇选择性吸收涂...
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨烯
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能选择性...
  • 1篇体系结构
  • 1篇涂层
  • 1篇自组织生长

机构

  • 11篇清华大学
  • 1篇中国人民解放...
  • 1篇山东力诺新材...

作者

  • 11篇吴超
  • 5篇王健
  • 4篇李洪涛
  • 4篇熊兵
  • 4篇郝智彪
  • 4篇汪莱
  • 4篇罗毅
  • 4篇孙长征
  • 4篇韩彦军
  • 3篇王红
  • 3篇杨士元
  • 2篇张利
  • 1篇李翔
  • 1篇张尧学
  • 1篇周悦芝
  • 1篇殷志强
  • 1篇王金平
  • 1篇阮亮中

传媒

  • 1篇太阳能学报
  • 1篇计算机学报
  • 1篇计算机辅助设...
  • 1篇微计算机信息
  • 1篇微电子学
  • 1篇中国图象图形...
  • 1篇第三届中国测...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 1篇2017
  • 5篇2015
  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
石墨烯上GaN的MBE生长研究
N基半导体材料是直接带隙半导体且禁带宽度从紫外波段到红外波段连续可调,因而被广泛应用于制作发光二极管和激光器等方面.一般商品化的GaN基LED是通过金属有机物化学气相沉积(Metal-organic Chemical v...
余佳东吴超罗毅郝智彪王健汪莱鄂炎雄孙长征韩彦军熊兵李洪涛
关键词:氮化镓石墨烯分子束外延生长晶体质量
基于复用的SoC测试集成和IEEE P1500标准
以复用核测试为目标的测试策略是解决SoC测试问题的基础。IEEE P1500标准是国际上正在制订的嵌入式核测试标准,该标准旨在简化核测试信息的复用,提高SoC级测试集成的效率。本文将介绍截至目前P1500标准的制订情况,...
吴超王红杨士元
关键词:片上系统
文献传递
不锈钢衬底表面形貌对AlN/AlN-Cr/Cu太阳能选择性吸收涂层光热性能的影响被引量:2
2015年
在数值仿真计算和实验两方面研究不锈钢衬底表面形貌对AlN/AlN-Cr/Cu太阳能选择性吸收涂层光热性能的影响。在数值仿真计算中,建立一维三角形光栅结构模型对衬底表面形貌进行简化,采用严格耦合波分析(RCWA)的方法,仿真计算并分析光栅深度T_z和周期T_x对涂层的太阳吸收比α和400℃热发射比ε的影响。实验上,制备具有不同深度和间隔起伏表面的不锈钢衬底,采用磁控溅射的方法在其上沉积相同结构参数的AlN/AlN-Cr/Cu太阳能选择性吸收涂层,测定涂层性能参数,并分析不锈钢衬底形貌对其的影响。数值计算和实验结果表明:对于一个在已优化涂层组分和厚度的AlN/AlN-CdCu太阳能选择性吸收涂层,不锈钢衬底表面起伏对涂层高温光热转换将产生不利的影响。随着不锈钢衬底表面平均起伏深度的增加,涂层的太阳吸收比α基本保持不变,而400℃时的热发射比ε则明显逐渐增大。为保证涂层有效的光热转化效率,建议不锈钢衬底表面起伏的深宽比T_z/T_x≤1/20,深度T_z≤0.2μm。
王金平王健柯伟吴超吴旭林刘希杰殷志强
关键词:太阳能选择性吸收涂层表面形貌
氮化物纳米线MBE自组织生长的成核工艺研究
Ⅲ族氮化物纳米线由于自由表面侧壁释放了晶格失配应力,因而可形成几乎无缺陷的单晶,在制作纳米线激光器、光催化材料、光传感器件以及单光子源等方面有重要的应用前景.相比于催化剂生长和选区生长,自组织方法由于不需要催化剂和图形掩...
鄂炎雄李洪涛孙长征罗毅郝智彪余佳东吴超刘润泽汪莱熊兵王健韩彦军
一种新的TSP问题环路构造算法及其在激光雕刻机路径控制中的应用被引量:4
2007年
通过引入全局构造原则,并借鉴了Kruskal、2-opt等算法的思想,提出了一种新的时间复杂度为O(N2)的环路构造算法,并将其运用于激光雕刻机雕刻复杂图形时的路径优化。本算法生成路径长度约为理论下限的1.1倍,上浮幅度与NN和GD算法比较,分别下降了58%和42%。将此算法嵌入激光雕刻机控制程序,可将雕刻头空走的距离缩减88%。
阮亮中张利吴超
关键词:激光雕刻TSP
基于复用的SOC测试集成和IEEEP1500标准被引量:15
2005年
以复用核测试为目标的测试策略是解决SOC测试问题的基础。IEEEP1500标准是国际上正在制订的嵌入式核测试标准,该标准旨在简化核测试信息的复用,提高SOC级测试集成的效率。文章介绍了截至目前为止P1500标准的制订情况,包括嵌入式核测试的体系结构、P1500的标准化目标,以及P1500的两级服从认证等。
吴超王红杨士元
关键词:片上系统
基于RF-MBE的蓝宝石衬底上GaN低温生长研究
N基半导体材料在紫外/蓝光/绿光发光二极管、激光器、探测器,以及高频高温大功率电子器件等方面有着重要而广泛的应用.目前,高质量的GaN材料通常由MOCVD和MBE在高温条件下进行生长,本文依托RF-MBE提出了两种非高温...
吴超余佳东罗毅郝智彪王健汪莱鄂炎雄孙长征韩彦军熊兵李洪涛
关键词:氮化镓离子轰击
石墨烯上外延GaN的AlN缓冲层研究
本文所用衬底为铜衬底上的单层石墨烯。衬底在生长前进行30分钟600℃的去气处理。生长时,首先对衬底进行氮化处理,利用等离子体中的活性氮原子轰击石墨烯可形成后续成核的位点。生长GaN之前,很重要的一个步骤是生长AlN缓冲层...
余佳东郝智彪于汪洋吴超李翔邓军王健汪莱罗毅孙长征韩彦军熊兵李洪涛
关键词:晶体结构性能表征
SoC测试集成的研究环境构建被引量:4
2006年
构建了一个具有结构和功能信息的研究环境,供与SoC测试集成相关的研究使用.该环境是一个包含典型功能模块和可测性设计(design for test,DFT)方法的SoC电路,其结构化的特点使它能应用于测试接口的设计与优化、测试访问机制的设计与优化、测试调度、基于P1500标准的测试集成方案设计等众多研究领域.
吴超王红杨士元
关键词:SOC测试访问机制
9/7小波空间组合推举体制的块结构实现被引量:1
2008年
本文针对小波变换的空间组合推举体制算法在实际应用中的存储器容量受限问题,提出了9/7小波的空间组合推举体制基于块结构的实现原理和过程,并分析了这种方案所需要的存储器配置要求,给出了小波变换处理的流程。通过计算分析可以证明,该方法并未增加小波变换的运算量,但是节省了运算部分的存储器空间开销。
吴超张利
关键词:小波块结构
共2页<12>
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