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苏少坚: 作品数：17 被引量：11H指数：2; 供职机构：华侨大学信息科学与工程学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

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硅基锗材料的外延生长及其应用: 硅基Ge材料是一种重要的硅基异质结构材料，它既是硅基高迁移率材料，同时也是重要的硅基光子学器件用材料，在硅基光电集成中具有重要的应用前景。本文将介绍硅基Ge材料的外延生长，讨论它的可能应用，重点介绍它在硅基高效发光器件、...; 成步文王启明薛春来薛海韵胡炜玄汪巍苏少坚张广泽罗丽萍左玉华; 关键词：光电探测器发光器件光调制器

溅射功率对CoFeB薄膜磁与结构特性的影响被引量：1: 2016年; 以不同功率溅射制备了CoFeB合金薄膜样品并在高真空下退火处理。发现低功率生长的薄膜始终具有磁各向同性,而高功率生长的薄膜随着退火温度的升高,由起始的单轴磁各向异性逐渐向磁各向同性转变。X射线衍射分析也印证了CoFeB薄膜随退火温度的升高,薄膜由非晶态逐渐向结晶态转变。当退火温度高于400℃时,低功率生长的CoFeB样品的矫顽力大于高功率生长薄膜的矫顽力。同时发现低功率生长的CoFeB的(110)峰值高于高功率生长的样品峰值,表明低功率生长的薄膜晶粒尺寸更大。; 黄亚徐展邱于珍陈传文庄凤江苏少坚王可; 关键词：溅射功率退火处理磁性能

硅基GeSn合金光电探测器: 采用MBE方法，在Si(001)衬寸底上，以低、高温两步法生长的Ge薄膜为缓冲层，生长出了高质量的GeSn合金，并研究了GeSn合金的热稳定性。成功制作出硅基GeSn合金p-i-n型光电探测器，相关性能指标为目前国际上最...; 薛春来苏少坚汪巍张广泽成步文王启明; 关键词：硅基

锗锡半导体合金材料的外延生长和器件应用: GeSn 是一种新型硅基异质结构材料，其晶格常数和带隙在大范围内连续可调，并有可能实现直接带隙，在硅基高效发光和探测、硅基红外器件、高效全光谱太阳能电池研制、硅基高迁移率器件等方面具有重要应用前景，成为近年硅基光电子和微...; 成步文苏少坚张东亮张广泽薛春来罗丽萍郑军左玉华王启明

Si(001)衬底上分子束外延生长Ge_(0.975)Sn_(0.025)合金薄膜被引量：5: 2011年; 使用低、高温两步法生长的高质量Ge薄膜作为缓冲层,在Si(001)衬底上采用分子束外延法生长出Ge0.975Sn0.025合金薄膜.X射线双晶衍射和卢瑟福背散射谱等测试结果表明,Ge0.975Sn0.025合金薄膜具有很好的晶体质量,并且没有发生Sn表面分凝.另外,Ge0.975Sn0.025合金薄膜在500℃下具有很好的热稳定性,有望在Si基光电器件中得到应用.; 苏少坚汪巍张广泽胡炜玄白安琪薛春来左玉华成步文王启明; 关键词：分子束外延

硅基室温电流注入Ge/Si异质结发光二极管: 2010年; 目前，硅基光电集成所需的各个光子学单元已经取得了巨大的突破，并且与现有的微电子工艺完全兼容：硅基光波导在光通讯波段可以实现对光场的强限制以及低损耗传输；通过外延高质量的锗薄膜，实现了近红外波段的高速高量子效率的硅基光探测器；调制速率高达30GHz的基于硅基载流子等离子体色散效应的硅调制器也已经有报导。; 胡炜玄成步文薛春来薛海韵苏少坚白安琪罗丽萍俞育德王启明; 关键词：发光二极管硅基电流注入异质结室温

石墨烯等离激元时间晶体中的慢光: 2022年; 为了实现对慢光群速度的控制,构建了石墨烯等离激元时间晶体慢光波导。对波导采用石墨烯等离激元时间晶体来构造用于传输的Zigzag拓扑界面通道,当结构一定时动态调节石墨烯纳米盘的外加偏置电压,即可获得若干不同时刻的色散曲线,并对相应的群速度进行研究。首先,通过对蜂窝状排列的石墨烯纳米盘的不同区域施加随时间周期性变化的偏置电压,来获得石墨烯等离激元时间晶体。当晶体时间平移对称性遭到破坏时,晶体带隙会随着时间周期性出现及消失,进而呈现出能带拓扑效应。接着,构造Zigzag拓扑界面分析不同时刻下存在的拓扑界面态及其慢光模式。然后,根据该色散曲线计算出对应的群速度。最后,通过数值仿真建立慢光波导模型,并在波导光能捕获点检测场增强过程。模拟结果表明:基于石墨烯等离激元时间晶体所设计的波导可以实现很好的慢光传输效果,在波导结构固定时可以动态调节光的群速度。慢光传输下光能捕获点实现了场增强效应。该慢光波导结构简单,可动态调谐,在慢光调制器件和光储存器件中具有广阔的应用前景。; 何真卓立强李志庄凤江苏少坚林志立邱伟彬; 关键词：慢光石墨烯

外延生长Ge_(1-x)Sn_x合金的研究进展: 2010年; Ge1-xSnx是一种新型的Ⅳ族材料,具有广阔的应用前景,但是其生长存在许多困难,尤其是Sn易于分凝。采用离子轰击和快速变温等方法可以有效地抑制Sn的分凝,但是所生长的材料的热稳定性都比较差。采用化学气相沉积法获得了较高质量的Ge1-xSnx合金,但是所用的Sn气体源难以获得。综述了Ge1-xSnx合金外延生长的研究进展。; 苏少坚汪巍胡炜玄张广泽薛春来左玉华成步文王启明; 关键词：合金

GeSn合金的晶格常数对Vegard定律的偏离被引量：2: 2012年; 在Si(001)衬底上,以高质量的弛豫Ge薄膜作为缓冲层,先后生长Sn组分x分别为2.5%,5.2%和7.8%的完全应变的三层Ge_(1-x)Sn_x合金薄膜.在Si(001)衬底上直接生长了x分别为0.005,0.016,0.044,0.070和0.155的五个弛豫Ge_(1-x)Sn_x样品.通过卢瑟福背散射谱、高分辨X射线衍射和X射线倒易空间图等方法测量了Ge_(1-x)Sn_x合金的组分与晶格常数.实验得到的晶格常数相对Vegard定律具有较大的正偏离,弯曲系数b=0.211 A.; 苏少坚成步文薛春来张东亮张广泽王启明; 关键词：晶格常数

在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法: 本发明提供一种在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法，包括如下步骤：步骤1：在Si衬底上生长一层第一Ge材料层；步骤2：在第一Ge材料层上生长一层第二Ge材料层；步骤3：在第二Ge材料层上生长一层第一GeSn合金层...; 苏少坚汪巍成步文王启明张广泽胡炜玄白安琪薛春来左玉华; 文献传递