戴永胜
- 作品数：34 被引量：36H指数：4
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 数字/模拟兼容的超宽带90°、45°、22.5°、11.25°单片移相器被引量：1
- 2000年
- 戴永胜陈堂胜岑元飞俞土法李辉李拂晓陈效建
- 关键词：超宽带
- 高性能DC-20GHz反射型GaAs MMIC SPST和SPDT开关被引量：3
- 2000年
- 戴永胜陈堂胜岑元飞俞土法李辉陈继义李拂晓陈效建
- 关键词：砷化镓SPDT开关集成电路
- 三种新颖的适合不同控制信号的超宽带单片移相器被引量：3
- 2000年
- 戴永胜陈堂胜岑元飞俞土法李辉陈继义李拂晓陈效建林金庭
- 关键词：超宽带单片移相器MMIC集成电路
- 一种新颖的多倍频程GaAs单片五位数字移相器被引量：5
- 2000年
- 戴永胜陈堂胜岑元飞俞土法李辉陈继义李拂晓陈效建林金庭
- 关键词：多倍频程砷化镓数字移相器
- 一种高性能、低功耗、超小型FSK无线寻呼射频接收机
- 无线寻呼射频接收机有多种方案,从常规的一次或两次变频的超外差式到零中频直接变换式和带有低电压锁相环的频率自动漫游式.各种方案各有千秋.由于两次变频的超外差式方案最为成熟、电性能最优、各种元器件供货一般不受限制加之这种方案...
- 戴永胜陈其友戴美泰林润强
- 关键词：无线寻呼射频接收机数字调频
- 文献传递
- 一种新颖的DC～50GHz低插入相移MMIC可变衰减器被引量：11
- 2003年
- 介绍了一种新颖的 DC～ 5 0 GHz低相移、多功能的 Ga As MMIC可变衰减器的设计与制作 ,获得了优异的电性能。微波探针在片测试结果为 :在 DC～ 5 0 GHz频带内 ,最小衰减≤ 3 .8d B,最大衰减≥ 3 5± 5 d B,最小衰减时输入 /输出驻波≤ 1 .5 ,最大衰减时输入 /输出驻波≤ 2 .2 ,衰减相移比≤ 1 .2°/d B。芯片尺寸 2 .3 3 mm× 0 .68mm× 0 .1 mm。芯片成品率高达 80 %以上 ,工作环境温度达 1 2 5°C,可靠性高 。
- 戴永胜陈堂胜俞土法刘琳杨立杰陈继义陈效建林金庭
- 关键词：砷化镓微波单片集成电路可变衰减器GAASMMIC
- CaAsMMIC芯片背面烧结界面的离子刻蚀俄歇分析与扫电能谱分析
- 1991年
- 砷化镓单片微波集成电路(GaAsMMIC)是近期发展起来的一种新型微波集成电路。它体积小,重量轻,可靠性高,可广泛用于通信、雷达及机载、弹载等其它微波系统中。MMIC的应用除对电性能有要求外,对可靠性也要有要求,可靠性设计除芯片设计和制作工艺中考虑外,为满足恶劣环境下工作的要求,要将芯片封装在密封的管壳内。
- 戴永胜
- 关键词：集成电路离子刻蚀能谱
- 一种新颖的DC～50GHz低相移MMIC可变衰减器
- 本文报导的这种DC-50GHz超宽带的GaAsMMIC压控电调衰减器除了具有大动态衰减范围,优异的输入/输出驻波及多功能等特点外,低的插入相移是这种芯片的最显著的特点.
- 戴永胜陈堂胜俞土法刘琳杨立杰陈继义陈效建林金庭
- 关键词：可变衰减器插入相移
- 文献传递
- 一种新颖的具有HEMT和GaAs MMIC的Ku波段低噪声放大器
- 1992年
- 本文介绍了一种具有高电子迁移率晶体管(HEMT)和砷化镓单片微波集成电路(GaAs MMIC)的Ku波段低噪声放大器。在11.7～12.2GHz频率范围内,该放大器的噪声系数小于1.9dB,相关增益大于27dB,输入和输出驻波比小于1.4。放大器第一级采用了HEMT和微波串联电感反馈技术,放大器未级采用了Ku波段GsAs MMIC。设计的关键是采用微波串联电感反馈方法同时获得最佳噪声和最小输入驻波匹配。放大器的输入端和输出端均为BJ-120波导。
- 戴永胜
- 关键词：低噪声放大器晶体管砷化镓
- 一种新颖的超小型多倍频程五位GaAs MMIC数字移相器
- 移相器在电子系统中的主要作用是调整系统接收/发射时电路中信号的相位,移相器又是微波收/发组件中的关键电路,所以吸引了世界上许多人去研究.
- 戴永胜陈堂胜刘琳俞土法陈效建林金庭
- 关键词：数字移相器电路设计芯片
- 文献传递
