王彦硕
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- SiC基GaN激光划片工艺研究被引量：1
- 2017年
- 介绍了一种SiC基GaN激光划片工艺。通过对划痕形貌、裂片效果、热效应和装配适应性四方面的分析,在几种氮化镓激光划片试验中优化得出高质量划切工艺,并通过小批量生产证明新工艺在良率、效率方面有一定的优势。
- 王彦硕邹鹏辉贾洁林罡高建峰陈堂胜
- 关键词：碳化硅衬底激光划片划痕
- 源漏区域孔阵列挖槽对氮化镓n型欧姆接触的影响
- 2017年
- 采用源漏区域孔阵列挖槽的方法降低氮化镓n型欧姆接触的合金温度,并改善合金后金属形貌。相对于非源漏区域孔阵列挖槽的氮化镓n型欧姆接触合金,合金温度可降低40℃,合金后源漏金属形貌尤其是金属侧边形貌显著改善,这对于提高相关器件及电路性能、成品率及可靠性很有好处。
- 黄念宁韩克锋蔡立康王彦硕
- 关键词：接触电阻
- 电子束蒸发速率对Ti/GaAs肖特基势垒特性的影响被引量：3
- 2015年
- 通过在不同的速率下蒸发相同厚度的Ti金属薄膜,研究电子束蒸发速率对Ti膜表面形貌和性能的影响。试验表明随着Ti蒸发速率的提高,薄膜表面没有明显差别,但薄膜的结构变得致密,相同厚度下金属薄膜方阻变小,Ti金属间结合更紧密。同时在研究中发现不同速率蒸发的Ti膜能在一定范围内影响GaAs器件势垒高度,可以在同等条件下通过Ti蒸发速率调整来获得合适的肖特基势垒,因此Ti蒸发速率是制作GaAs器件肖特基势垒的关键因素之一。
- 邹鹏辉黄念宁王彦硕高建峰林罡徐筱乐
- 关键词：电子束蒸发肖特基势垒
