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武玉祥

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：机电部更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电路
  • 1篇电压比较器
  • 1篇晶体管
  • 1篇比较器
  • 1篇HEMT

机构

  • 1篇机电部

作者

  • 1篇曾庆明
  • 1篇武玉祥

传媒

  • 1篇半导体情报

年份

  • 1篇1991
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
HEMT集成电压比较器
1991年
本文从HEMT器件的基本结构、工作机理入手,对HEMT器件的设计进行了探讨。根据实际HEMT器件I-V特性曲线,建立了实际工艺条件下HEMT器件I-V特性计算模型。利用该模型对CML集成电压比较器进行模拟分析,确定了元件各种电参数及结构参数。采用离子注入技术进行器件的隔离,分别用HEMT和PHEMT材料,研制出了增强型、低功耗集成电压比较器,在1GSPS取样速率时,电压分辨率为30mV,功耗为27mW。
武玉祥曾庆明
关键词：HEMT电压比较器电路晶体管
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共1页<1>
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