张云龙
- 作品数：10 被引量：5H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：全球变化研究国家重大科学研究计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- W掺杂VO_2薄膜的椭圆偏振光谱表征被引量：2
- 2016年
- 利用MSP-3200三靶共溅射镀膜机,射频磁控溅射在石英基底上反应溅射制备单斜相（M相）VO_2薄膜及W掺杂单斜相（M相）VO_2薄膜。利用WVASE32椭圆偏振仪及变温附件在350~2 500 nm波长范围内对相变前后的VO_2薄膜及W掺杂VO_2薄膜进行光谱测试,运用Lorentz谐振子色散模型结合有效介质近似模型对椭偏参数进行拟合。结果表明：W掺杂的VO_2薄膜与纯相的VO_2薄膜相比,光学常数n、k随波长的变化趋势相同,但W掺杂后的VO_2薄膜的折射率n小于纯相VO_2薄膜的折射率,而消光系数k值大于纯相VO_2薄膜的k值。W的掺入增加了薄膜的致密度,同时增加了薄膜内部自由载流子的浓度。
- 王盼盼张云龙吴岭南曹韫真宋力昕章俞之
- 关键词：氧化钒薄膜椭圆偏振光谱光学常数
- 一种石墨烯包覆的ZnO光催化剂及其制备方法
- 本发明涉及一种石墨烯包覆的ZnO光催化剂及其制备方法，使所述ZnO表面带有正电性，再与氧化石墨烯上带有负电性的含氧官能团进行复合，得到氧化石墨烯包覆ZnO光催化剂。本发明制备的石墨烯包覆的ZnO复合物光催化剂，由于使用的...
- 章俞之宋力昕张云龙王勇彭明栋吴岭南
- 文献传递
- 一种金属元素Mg掺杂的VO<Sub>2</Sub>薄膜及其制备方法
- 本发明涉及一种金属元素Mg掺杂的VO<Sub>2</Sub>薄膜及其制备方法，所述金属元素Mg掺杂的VO<Sub>2</Sub>薄膜具有无规律分布的纳米气孔且主相为单斜相，晶面取向为（011）晶面，晶粒尺寸为90 nm～...
- 王盼盼章俞之张云龙彭明栋吴岭南宋力昕
- 文献传递
- 一种砚状ZnO/石墨烯复合物光催化剂及其制备方法
- 本发明涉及一种砚状ZnO/石墨烯复合物光催化剂及其制备方法，所述砚状ZnO/石墨烯复合物光催化剂包括砚状ZnO、和覆盖所述砚状ZnO的石墨烯，所述砚状ZnO为六角砚状薄片结构，包括砚底和砚壁，所述砚底的厚度为10～40 ...
- 章俞之张云龙宋力昕吴岭南张涛
- 文献传递
- 一种砚状ZnO/石墨烯复合物光催化剂及其制备方法
- 本发明涉及一种砚状ZnO/石墨烯复合物光催化剂及其制备方法，所述砚状ZnO/石墨烯复合物光催化剂包括砚状ZnO、和覆盖所述砚状ZnO的石墨烯，所述砚状ZnO为六角砚状薄片结构，包括砚底和砚壁，所述砚底的厚度为10～40 ...
- 章俞之张云龙宋力昕吴岭南张涛
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- VO2薄膜及W掺杂VO2薄膜的椭偏光谱表征
- 利用MSP-3200三靶共溅射镀膜机,射频磁控溅射在石英基底上反应溅射制备了单斜相(M相)VO2薄膜及W掺杂单斜相(M相)VO2薄膜。利用WVASE32椭圆偏振仪及变温附件在350nm2500nm波长范围内对相变前后的V...
- 王盼盼张云龙吴玲南曹韫真宋力昕章俞之
- 关键词：VO2薄膜椭圆偏振光谱光学常数
- 一种金属元素Mg掺杂的VO<sub>2</sub>薄膜及其制备方法
- 本发明涉及一种金属元素Mg掺杂的VO<Sub>2</Sub>薄膜及其制备方法，所述金属元素Mg掺杂的VO<Sub>2</Sub>薄膜具有无规律分布的纳米气孔且主相为单斜相，晶面取向为（011）晶面，晶粒尺寸为90 nm～...
- 王盼盼章俞之张云龙彭明栋吴岭南宋力昕
- VO2薄膜Vis-NIR及NIR-MIR椭圆偏振光谱分析被引量：1
- 2016年
- 采用射频磁控溅射在石英玻璃基底上反应溅射制备单斜相(M相)VO_2薄膜.利用V-VASE和IR-VASE椭圆偏振仪及变温附件分别在0.5—3.5 eV(350—2500 nm)和0.083—0.87 eV(1400—15000 nm)入射光能量范围内对相变前后的VO_2薄膜进行光谱测试,运用逐点拟合的方式,并通过薄膜的吸收峰的特征,在0.5—3.5 eV范围内添加3个Lorentz谐振子色散模型和0.083—0.87 eV范围内添加4个Gaussion振子模型对低温态半导体态的薄膜椭偏参数进行拟合,再对高温金属态的薄膜添加7个Lorentz谐振子色散模型对进行椭偏参数的拟合,得到了较为理想的拟合结果.结果发现:半导体态的VO_2薄膜的折射率在近红外-中红外基本保持在最大值3.27不变,且消光系数k在此波段接近于零,这是由于半导体态薄膜在可见光-近红外光范围内的吸收主要是自由载流子吸收,而半导体态薄膜的d//轨道内的电子态密度较小.高温金属态的VO_2薄膜的折射率n在近红外-中红外波段具有明显的增大趋势,且在入射光能量为0.45 eV时大于半导体态的折射率;消光系数k在近红外波段迅速增大,原因是在0.5—1.62 eV范围内,能带内的自由载流子浓度增加及电子在V_(3d)能带内发生带内的跃迁吸收,使k值迅速增加;当能量小于0.5 eV时k值变化平缓,是由于薄膜内自由载流子浓度和电子跃迁率趋于稳定所致.
- 王盼盼章俞之彭明栋张云龙吴岭南曹韫真宋力昕
- 关键词：氧化钒薄膜椭圆偏振光谱光学常数
- 砚状ZnO/石墨烯复合物的制备及其光催化性能被引量：3
- 2017年
- 采用一步溶液法制备了具有砚状形貌的ZnO/石墨烯复合材料。利用扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等研究不同制备条件下ZnO形貌、石墨烯的复合状态和砚状ZnO的生长机理;通过测试300W氙灯对甲基蓝溶液(MB)的光催化效率,研究制备条件、形貌结构对复合物的光催化性能的影响;通过对复合物光致发光(PL)光谱以及紫外-可见光谱测试,研究石墨烯复合物对光生电子-空穴对的复合以及光吸收效率的影响。研究结果表明,砚状ZnO的生长机理为"掏蚀机理";复合石墨烯增强了这种ZnO的光吸收效率、降低了ZnO的带隙,并且降低了光生电子-空穴对复合几率,有利于提高光催化性能;砚状ZnO的砚底上表面粗糙,有利于反应面积的增加,砚底的厚度较薄,有利于光生电子-空穴对在较强的内建电场下迅速向相反方向分离,降低其复合几率,从而使其具有优异的光催化性能。
- 张云龙章俞之章俞之宋力昕吴岭南吴岭南
- 关键词：石墨烯复合物光催化降解甲基蓝
- 一种石墨烯包覆的ZnO光催化剂及其制备方法
- 本发明涉及一种石墨烯包覆的ZnO光催化剂及其制备方法，使所述ZnO表面带有正电性，再与氧化石墨烯上带有负电性的含氧官能团进行复合，得到氧化石墨烯包覆ZnO光催化剂。本发明制备的石墨烯包覆的ZnO复合物光催化剂，由于使用的...
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