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朱智勇

作品数：31 被引量：24H指数：3
供职机构：桂林电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 22篇专利
  • 8篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 20篇基准电压
  • 20篇基准电压源
  • 13篇抑制比
  • 13篇标准CMOS...
  • 12篇偏置
  • 12篇偏置点
  • 12篇CMOS基准...
  • 10篇电流镜
  • 10篇栅电流
  • 10篇共源共栅
  • 10篇共源共栅电流...
  • 9篇电源噪声
  • 8篇电源电压
  • 6篇低电源电压
  • 6篇亚阈值
  • 5篇低温漂
  • 4篇低功耗
  • 4篇电流
  • 4篇电源电压抑制...
  • 4篇正反馈

机构

  • 31篇桂林电子科技...
  • 1篇深圳市国微电...

作者

  • 31篇朱智勇
  • 20篇段吉海
  • 17篇岳宏卫
  • 16篇徐卫林
  • 15篇韦雪明
  • 8篇韦保林
  • 7篇孙晓菲
  • 6篇赵洪飞
  • 5篇王宏庆
  • 5篇郑龙
  • 3篇吴超飞
  • 1篇肖功利
  • 1篇杨宏艳
  • 1篇刘新英

传媒

  • 5篇微电子学
  • 1篇半导体技术
  • 1篇光电工程
  • 1篇桂林电子科技...

年份

  • 3篇2018
  • 14篇2017
  • 13篇2016
  • 1篇2015
共 31 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种高电源抑制比全CMOS基准电压源
本实用新型公开一种高电源抑制比全CMOS基准电压源，包括基准电压源，该基准电压源包括启动电路、电流源电路和温度补偿电路；启动电路的输出端连接电流源电路的输入端，电流源电路的输出端连接温度补偿电路的输入端，温度补偿电路的输...
岳宏卫龚全熙朱智勇徐卫林吴超飞孙晓菲汤寒雪邓进丽
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一种无Bipolar晶体管的CMOS基准电压源
本发明公开了一种无Bipolar晶体管的CMOS基准电压源，包括并接于电源VDD与地GND之间的启动电路、CTAT电压产生电路、PTAT电压产生电路和电流叠加电路；其中，启动电路的输出端与CTAT电压产生电路连接，用于在...
岳宏卫邓进丽朱智勇段吉海韦雪明郑龙王宏庆
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一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源
本实用新型公开一种低电压纳瓦量级全CMOS电流模式基准电压源，其特征是，包括启动电路、I<Sub>PTATa</Sub>基准电流源电路、I<Sub>PTATb</Sub>基准电流源电路和温度补偿电路；启动电路连接到I<S...
段吉海孔令宝朱智勇徐卫林韦保林
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消除体效应的带隙基准源
本实用新型公开一种消除体效应的带隙基准源，包括启动电路，纳安量级基准电流产生电路，温度补偿电路和电流镜。利用工作在亚阈值区MOS工作特性，产生纳安量级的基准电流，采用共源共栅电流镜，抑制电源噪声，采用源极耦合差分对代替传...
段吉海朱智勇徐卫林韦保林
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消除体效应的带隙基准源
本发明公开一种消除体效应的带隙基准源，包括启动电路，纳安量级基准电流产生电路，温度补偿电路和电流镜。利用工作在亚阈值区MOS工作特性，产生纳安量级的基准电流，采用共源共栅电流镜，抑制电源噪声，采用源极耦合差分对代替传统带...
段吉海朱智勇徐卫林韦保林
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一种高电源抑制比全CMOS基准电压源
本发明公开一种高电源抑制比全CMOS基准电压源，包括基准电压源，该基准电压源包括启动电路、电流源电路和温度补偿电路；启动电路的输出端连接电流源电路的输入端，电流源电路的输出端连接温度补偿电路的输入端，温度补偿电路的输出端...
岳宏卫龚全熙朱智勇徐卫林吴超飞孙晓菲汤寒雪邓进丽
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一种全共栅共源基准电压源
本实用新型公开一种全共栅共源基准电压源，包括并接于电源VDD与地之间的启动电路、基准电流源电路和温度补偿电路；启动电路、基准电流源电路和温度补偿电路依次连接；启动电路输出端与基准电流源电路连接，用于电源上电时提供启动电流...
岳宏卫孙晓菲朱智勇徐卫林刘俊昕龚全熙邓进丽
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一种全共栅共源基准电压源
本发明公开一种全共栅共源基准电压源，包括并接于电源VDD与地之间的启动电路、基准电流源电路和温度补偿电路；启动电路、基准电流源电路和温度补偿电路依次连接；启动电路输出端与基准电流源电路连接，用于电源上电时提供启动电流，使...
岳宏卫孙晓菲朱智勇徐卫林刘俊昕龚全熙邓进丽
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一种无Bipolar晶体管的CMOS基准电压源
本发明公开了一种无Bipolar晶体管的CMOS基准电压源，包括并接于电源VDD与地GND之间的启动电路、CTAT电压产生电路、PTAT电压产生电路和电流叠加电路；其中，启动电路的输出端与CTAT电压产生电路连接，用于在...
岳宏卫邓进丽朱智勇段吉海韦雪明郑龙王宏庆
一种超低功耗高性能的亚阈值全CMOS基准电压源被引量：3
2016年
介绍了一种超低功耗、无片上电阻、无双极型晶体管（BJT）的基于亚阈值CMOS特性的基准电压源,该带隙基准源主要用于低功耗型专用集成电路（ASIC）。采用Oguey电流源结构来减小静态电流,以降低功耗。通过使用工作在线性区的MOS管代替传统结构中的电阻消除迁移率和电流的温度影响,同时减小芯片面积;采用共源共栅电流镜以降低电源电压抑制比和电压调整率。电路基于SMIC 0.18μm CMOS工艺进行仿真。仿真结果表明,在-45~130℃内,温漂系数为29.1×10-6/℃,电源电压范围为0.8~3.3 V时,电压调整率为0.056%,在100 Hz时,电源电压抑制比为-53 d B。电路功耗仅为235 n W,芯片面积为0.01 mm2。
朱智勇段吉海邓进丽韦雪明赵洪飞
关键词：超低功耗亚阈值共源共栅电流镜
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