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曹晓峰

作品数：36 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 35篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 9篇电子电信

主题

  • 19篇导通
  • 17篇半导体
  • 15篇导通电阻
  • 15篇电阻
  • 9篇二极管
  • 8篇击穿电压
  • 7篇功率半导体
  • 7篇功率半导体器...
  • 7篇半导体器件
  • 7篇槽栅
  • 6篇电场
  • 6篇漏电流
  • 6篇反向击穿
  • 6篇反向击穿电压
  • 6篇反向漏电
  • 6篇DMOS
  • 5篇氧化物
  • 5篇漂移区
  • 5篇埋层
  • 5篇反向漏电流

机构

  • 36篇电子科技大学

作者

  • 36篇曹晓峰
  • 35篇李泽宏
  • 35篇任敏
  • 33篇陈哲
  • 33篇李爽
  • 23篇陈文梅
  • 12篇张波
  • 12篇张金平
  • 12篇高巍
  • 10篇谢驰
  • 7篇罗蕾
  • 7篇李家驹
  • 4篇蔡果
  • 2篇牛博

年份

  • 5篇2019
  • 5篇2018
  • 3篇2017
  • 21篇2016
  • 2篇2015
共 36 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种槽栅MOSFET器件
本发明涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及到一种槽栅MOSFET器件。其元胞结构相比于传统的槽栅型MOSFET器件的区别主要为，本发明的MOSFET器件在槽型栅电极底部具有厚绝缘介质层，且在厚绝缘介质层中引入负电荷，所述...
李泽宏陈文梅李爽曹晓峰陈哲包惠萍任敏
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一种分裂栅积累型DMOS器件
本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种分裂栅积累型DMOS器件。本发明主要在于通过引入积累型区域，降低阈值电压和导通电阻；同时，本发明具有Split‑gate结构的优点。采用本发明可以具有较大的正向电流、较小的阈值电压、...
李泽宏曹晓峰陈哲李爽陈文梅林育赐谢驰任敏
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一种具有P型埋层的积累型DMOS
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有P型埋层的积累型DMOS。本发明的一种具有P型埋层结构的积累型DMOS，其特征在于通过引入积累型区域，降低阈值电压和导通电阻；该结构体内有P型埋层，可以在体内场板的基础上进一...
李泽宏曹晓峰陈哲李爽陈文梅林育赐谢驰任敏
一种积累型DMOS
本发明涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及到一种积累型DMOS。本发明的积累型DMOS，其特征在于通过引入积累型区域，降低阈值电压和导通电阻；该结构体内嵌入场板，可以实现电荷平衡，在击穿电压相同的情况下，降低器件的导通电...
李泽宏曹晓峰陈哲李爽陈文梅林育赐谢驰任敏
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一种T型槽栅MOSFET
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种T型槽栅MOSFET。本发明引入了T型栅结构，使得器件的输入电容提高，T型栅下方的厚氧化层同时降低了器件的Cgd，从而Cgs/Cgd比值提高，器件具有更高的抗漏极电压震荡对栅极影...
李泽宏陈哲曹晓峰李爽陈文梅林育赐谢驰任敏
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一种超结MOSFET
本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种超结MOSFET。本发明与常规超结MOSFET的区别在于：在一个或多个常规超结元胞旁边设置一个由第二P型柱(5)构成的伪元胞，该伪元胞不含N+有源区，且P柱长度相比正常元胞适当缩短；...
任敏王亚天陈哲曹晓峰李爽李泽宏张金平高巍张波
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一种具有积累层的金属氧化物半导体二极管
本发明涉及半导体技术，特别涉及一种具有积累层的金属氧化物半导体二极管。该金属氧化物半导体二极管具有表面电子积累层结构和结型场效应管结构，可以获得较低的开启电压。二极管在正向导通后，由于与槽8相接触的N型半导体表面将形成体...
任敏李爽陈哲曹晓峰李泽宏张金平高巍张波
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一种集成沟槽肖特基的MOSFET
本发明属于半导体技术，特别涉及一种集成沟槽肖特基的MOSFET。该集成沟槽肖特基的MOSFET为在MOSFET中集成有由肖特基接触与衬底形成的肖特基二极管，肖特基结由金属层与N型轻掺杂环接触形成，位于MOSFET槽型栅极...
李泽宏李爽陈文梅陈哲曹晓峰李家驹罗蕾任敏
一种具有P型埋层的积累型DMOS
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有P型埋层的积累型DMOS。本发明的一种具有P型埋层结构的积累型DMOS，其特征在于通过引入积累型区域，降低阈值电压和导通电阻；该结构体内有P型埋层，可以在体内场板的基础上进一...
李泽宏曹晓峰陈哲李爽陈文梅林育赐谢驰任敏
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一种开启电压可调的平面型金属氧化物半导体二极管
本发明涉及半导体技术，特别涉及一种开启电压可调的平面型金属氧化物半导体二极管。本发明的二极管包括N型重掺杂单晶硅衬底、N-外延层、阴极电极和阳极电极；N-外延层上层两侧具有N型重掺杂区，N型重掺杂区下表面连接有P型埋层；...
任敏陈哲曹晓峰李爽李泽宏张金平高巍张波
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