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张国成

作品数:21 被引量:12H指数:2
供职机构:福州大学更多>>
发文基金:福建省自然科学基金国家自然科学基金福建省教育厅资助项目更多>>
相关领域:电子电信机械工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 11篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 10篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 17篇晶体管
  • 13篇晶体
  • 11篇有机薄膜晶体...
  • 11篇薄膜晶体
  • 11篇薄膜晶体管
  • 6篇喷墨
  • 6篇喷墨打印
  • 5篇迁移率
  • 4篇氧化物
  • 4篇迁移
  • 4篇绝缘
  • 4篇刻蚀
  • 4篇激光
  • 4篇激光刻蚀
  • 4篇光刻
  • 3篇电路
  • 3篇修饰
  • 3篇有源层
  • 3篇溶液法
  • 3篇热蒸发

机构

  • 19篇福州大学
  • 9篇福建工程学院

作者

  • 21篇张国成
  • 16篇陈惠鹏
  • 12篇郭太良
  • 7篇杨辉煌
  • 5篇胡利勤
  • 5篇张国成
  • 4篇陈赐海
  • 3篇林金阳
  • 2篇陈知新
  • 2篇谢文明
  • 2篇张军
  • 1篇何兴理
  • 1篇郑少锋
  • 1篇张红

传媒

  • 3篇发光学报
  • 2篇光子学报
  • 2篇福建工程学院...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇液晶与显示

年份

  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 5篇2018
  • 2篇2017
  • 7篇2016
  • 1篇2007
21 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种基于激光刻蚀技术的薄膜晶体管阵列及其制作方法
本发明涉及一种基于激光刻蚀技术的薄膜晶体管阵列及其制作方法。该薄膜晶体管阵列中的单个薄膜晶体管器件从下往上依次是激光刻蚀好ITO/银等源漏电极的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或玻璃基板,并五苯/P3HT/ PDVT-8/...
陈惠鹏张国成杨辉煌胡利勤蓝淑琼郭太良
喷墨打印金属氧化物异质结晶体管被引量:1
2019年
通过用喷墨打印制备的ZnO/IGZO异质结代替单层半导体沟道克服了氧化物缺陷导致的电子传输限制。ZnO/IGZO异质结晶体管表现出带状电子传输,迁移率比单层IGZO或ZnOTFT分别增大了约9倍和19倍,达到6.42cm^2/(V·s)。开关比分别增大了2个和4个数量级,达到1.8×10^8。性能的显著改善源自于IGZO和ZnO异质界面间由于导带的大偏移量而形成的二维电子气。
杨文宇张国成张国成陈惠鹏
关键词:金属氧化物半导体喷墨打印异质结二维电子气
一种12位低功耗流水线ADC的设计
张国成
关键词:流水线模数转换器低功耗动态比较器
一种有机薄膜晶体管及提高有机薄膜晶体管迁移率的方法
本发明涉及一种有机薄膜晶体管及提高有机薄膜晶体管迁移率的方法。该有机薄膜晶体管采用底栅顶接触结构,器件从下往上依次是一定尺寸的带有一定厚度二氧化硅氧化层的硅片,有机半导体聚合物薄膜,以及通过热蒸发的方式制作的源漏电极。本...
陈惠鹏张国成杨辉煌胡利勤蓝淑琼郭太良
文献传递
一种提高非易失浮栅有机薄膜晶体管型存储器性能的方法
本发明涉及一种提高非易失浮栅有机薄膜晶体管型存储器性能的方法,提供一底栅顶接触结构的非易失浮栅有机薄膜晶体管型存储器,其电荷存储层采用掺有量子点材料的有机绝缘聚合物薄膜;量子点材料为核壳结构,最高被占据分子轨道比壳材料的...
陈惠鹏郭太良胡道兵张国成
文献传递
一种喷墨打印技术中的半导体金属氧化物墨水及使用方法
本发明公开一种喷墨打印技术中的半导体金属氧化物墨水的优化工艺,属于氧化物半导体技术和印刷电子技术领域,该工艺通过掺杂的方式改善薄膜性能,且掺杂比例可调,掺杂效果显著。该溶液以半导体氧化物前驱体及其对应溶剂作为基础溶液,通...
陈惠鹏郭太良孙大卫张国成
文献传递
基于有机薄膜晶体管的光写入多级存储器被引量:1
2020年
由于依靠不断缩小存储单元尺寸来提升单位面积存储能力的传统方法将会面临着器件尺寸的物理极限等瓶颈,人们逐渐将目光投向了能够在单一器件上实现高密度存储的多级存储器件。本文利用有机薄膜晶体管中存在的持续光电导率(PPC)效应制备了一个光写入操作的多级存储器件,有效地避免了电写入操作对器件的接触破坏性和较大功耗问题。研究了在不同功率(60,100,150μW/cm 2)和不同持续时间(50~1000 ms)700 nm光写入脉冲作用下的器件存储状态,器件在光功率为60μW/cm 2、持续时间为100 ms的光脉冲下展现出了低至0.189 nJ的极低工作功耗。通过对器件施加16个连续光写入脉冲证实器件具有16个有效的存储状态,实现了存储容量为4 bits的多级光写入存储功能。
何伟欣何立铧陈惠鹏张国成
关键词:有机薄膜晶体管
基于铁电材料P(VDF-TrFE)调控的多级光突触晶体管被引量:1
2021年
利用有机材料PDVT-10中固有的持续光电导效应,结合铁电材料P(VDF-TrFE)提供的极化电场,通过调整铁电材料的极化强度来实现对光突触器件驰豫特性的调控。模拟了突触的短期可塑性、双脉冲易化性等基本功能,并进一步实现了多级、可调光突触。此外,持续光电导效应的驰豫现象与生物突触中Ca^(2+)的流动特性相类似,可以更好地模拟生物突触行为。研究结果为开发可调光突触提供了一个新的思路。
何立铧李恩龙俞礽坚陈惠鹏张国成
关键词:有机薄膜晶体管溶液法
喷墨打印垂直有机光晶体管及其性能优化
2019年
通过旋涂透明源极并在其上采用喷墨打印的方式制备有源层及源漏电极,从而得到一种垂直结构光晶体管,并获得了较好的光电性能,其响应率为~1500 A/W,探测率可达1.6×10^14 Jones.向有源层中掺杂一定比例的电子捕获材料PCBM,使有源层中光生空穴复合减小,光生电流增大,从而进一步提高其光探测性能.研究发现当掺杂5wt%电子捕获材料时,垂直结构光晶体管性能达到最优,响应率为~6000 A/W,探测率可达1.4×10^15 Jones.
张国成张国成何兴理何兴理
关键词:喷墨打印电子捕获光晶体管
一种通过双交联反应对有机薄膜晶体管绝缘层优化的方法
本发明涉及一种通过双交联反应对有机薄膜晶体管绝缘层优化的方法,提供一有机薄膜晶体管,该有机薄膜晶体管包括自下而上依次设置的基底、绝缘层、有源层以及源漏电极;绝缘层通过采用溶液法,并利用旋涂工艺或刮涂工艺在基底中的栅极上形...
陈惠鹏郭太良张军张国成陈赐海杨辉煌
文献传递
共3页<123>
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