穆文祥
- 作品数：31 被引量：16H指数：3
- 供职机构：山东大学更多>>
- 发文基金：国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信金属学及工艺化学工程更多>>
- 一种半绝缘氧化镓晶体及其制备方法
- 本发明提供一种半绝缘氧化镓晶体及其制备方法。该晶体分子式为β‑(Ga<Sub>1‑x</Sub>A<Sub>x</Sub>)<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>，A代表Ca、Zn、Ti、或Ni元素，0.00...
- 陶绪堂穆文祥贾志泰
- 文献传递
- 斜切角对β-Ga_(2)O_(3)(100)面衬底加工的影响研究
- 2023年
- 本文研究了斜切角的引入对β-Ga_(2)O_(3)(100)面衬底加工的影响,分析了斜切角分别为0°、1°、6°时,(100)面衬底在加工过程中的形貌变化及不同抛光参数对衬底抛光的影响。实验结果表明,随着斜切角的增大,(100)面衬底在加工过程中的解理损伤问题得以改善,加工后表面粗糙度降低,材料去除方式出现了脆性去除-脆塑性混合去除-塑性去除的转变。较小的抛光压力可以有效减少解理损伤,改善表面质量。斜切角为6°时的(100)面衬底抛光效率高,抛光后表面粗糙度可达到Ra≤0.2 nm。
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- 关键词：解理抛光表面粗糙度
- 一种光学辅助感应加热自坩埚单晶生长装置及应用
- 本发明涉及一种光学辅助感应加热自坩埚单晶生长装置及应用，采用通循环水的分立铜管组合成自坩埚，采用高功率的光学热源加热形成液池，实现熔体可控、洁净启熔。选取电阻加热或者光学热源加热形成后热温区实现晶体生长温度梯度控制，利用...
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- 文献传递
- 一种高质量氧化镓晶片的制备方法与应用
- 本发明涉及一种高质量氧化镓晶片的制备方法与应用，包括步骤如下：(1)将氧化镓单晶切割得到体块单晶，在特定气氛下进行退火处理，退火温度800‑1200℃，退火时间5‑100h，退火气氛为氩气或氢气；(2)将退火处理后的体块...
- 陶绪堂贾志泰穆文祥尹延如张健
- 氧化镓单晶的生长技术研究
- 氧化镓(β-Ga2O3)晶体被认为是一种新型的第四代宽禁带半导体材料[1],禁带宽度4.8-4.9eV,具有透明导电、与GaN晶格失配小、成本低等优点,在深紫外光电器件、LED、功率器件等领域有重大应用前景[2],近年来...
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- 关键词：氧化镓宽禁带半导体
- 一种氧化镓表面载流子浓度调控的方法
- 本发明涉及一种氧化镓表面载流子浓度调控的方法，步骤如下：将氧化镓晶体在流动气氛中退火，所述的流动气氛为纯氧气气氛、氧气与氮气混合气氛、氧气与氩气混合气氛或空气气氛，所述的退火温度为700‑1300℃。本发明通过流动气氛退...
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- 一种垂直结构宽带近红外LED及制备方法
- 本发明提供一种垂直结构宽带近红外LED及制备方法。该近红外LED的结构自上而下依次包括β‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底、GaN缓冲层、p型GaN层、多量子阱有源层、n型GaN层以及反射镜层；...
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- 导模法生长特定尺寸稀土掺杂含镓石榴石系列晶体的方法
- 本发明涉及导模法生长特定尺寸稀土掺杂含镓石榴石系列晶体的方法，所述稀土掺杂含镓石榴石系列晶体的分子式为Re<Sub>3x</Sub>:A<Sub>3-3x</Sub>B<Sub>y</Sub>Ga<Sub>5-5y</S...
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- 导模法生长1英寸柱状氧化镓单晶的方法
- 本发明涉及导模法生长1英寸柱状氧化镓单晶的方法，通过在铱金坩埚中放入高度为35mm、直径为25mm的柱状模具将生长界面控制在模具表面，避免了坩埚杂质及熔体对流的影响；并通过导模法柱状模具的边缘控制作用，生长获得了异于传统...
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- 掺四价铬氧化镓晶体及制备方法与应用
- 本发明涉及掺四价铬氧化镓晶体及制备方法与应用，该晶体分子式为β‑(Ga<Sub>1‑x‑y</Sub>Cr<Sub>x</Sub>A<Sub>y</Sub>)<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>，0.001...
- 贾志泰穆文祥陶绪堂尹延如胡强强
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