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陈阳华
作品数:
18
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供职机构:
中国科学院福建物质结构研究所
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相关领域:
电子电信
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合作作者
林琦
中国科学院福建物质结构研究所
王凌华
中国科学院福建物质结构研究所
薛正群
中国科学院福建物质结构研究所
林中晞
中国科学院福建物质结构研究所
苏辉
中国科学院福建物质结构研究所
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中国科学院福...
作者
18篇
苏辉
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林中晞
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薛正群
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王凌华
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陈阳华
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周东豪
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訾慧
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2023
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2018
10篇
2017
3篇
2016
2篇
2015
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一种含侧边吸收区的超辐射发光管
本实用新型涉及一种含侧边吸收区的超辐射发光管,包括脊波导增益区、侧边吸收区和侧边电隔离区,在超辐射发光管的脊的侧边制备侧边电隔离区和侧边吸收区,侧边电隔离区使脊波导增益区与侧边吸收区形成电隔离。本实用新型利用侧边吸收区所...
周东豪
林琦
林中晞
苏辉
薛正群
陈阳华
王凌华
訾慧
徐玉兰
陈景源
林乐
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一种DFB半导体激光器
本实用新型涉及一种DFB半导体激光器,所述DFB半导体激光器为包含多个激光器的单颗管芯,其中,每个激光器具有的脊型波导相互独立,所述管芯还包括金属覆盖区域,所述金属覆盖区域位于所述脊型波导的上表面,每个脊型波导由各自对应...
薛正群
苏辉
王凌华
陈阳华
林琦
林中晞
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一种含侧边吸收区的超辐射发光管
本发明涉及一种含侧边吸收区的超辐射发光管,包括脊波导增益区、侧边吸收区和侧边电隔离区,在超辐射发光管的脊的侧边制备侧边电隔离区和侧边吸收区,侧边电隔离区使脊波导增益区与侧边吸收区形成电隔离。本发明利用侧边吸收区所具有的光...
周东豪
林琦
林中晞
苏辉
薛正群
陈阳华
王凌华
訾慧
徐玉兰
陈景源
林乐
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一种超辐射发光二极管芯片的制备方法及制得的发光二极管芯片
本发明涉及一种超辐射发光二极管芯片的制备方法,该方法包括:一次外延的步骤、形成脊的步骤、二次外延的步骤、形成隔离区的步骤、蒸发P型电极的步骤、蒸发N型电极、合金的步骤、镀膜的步骤。本发明还涉及由上述制备方法制得的超辐射发...
薛正群
周东豪
王凌华
林琦
林中晞
陈阳华
苏辉
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一种DFB半导体激光器
本实用新型涉及一种DFB半导体激光器,包括:脊型波导激光器、光栅和探测器,其中,脊型波导激光器位于基片表面靠近出光端面的区域,光栅和探测器位于脊型波导激光器的腔外,光栅刻蚀到衬底层并靠近脊型波导激光器,探测器位于基片表面...
薛正群
苏辉
王凌华
陈阳华
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一种DFB半导体激光器制备方法及激光器
本发明涉及一种DFB半导体激光器的制备方法,包括以下步骤:步骤S11、制备基片:在衬底层上形成量子阱结构和外延结构,制成基片;步骤S12、制备脊型波导结构:在步骤S11制备的基片表面靠近出光端面的区域腐蚀形成脊型波导结构...
薛正群
苏辉
王凌华
陈阳华
林琦
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一种超辐射发光二极管芯片的制备方法及制得的发光二极管芯片
本发明涉及一种超辐射发光二极管芯片的制备方法,该方法包括:一次外延的步骤、形成脊的步骤、二次外延的步骤、形成隔离区的步骤、蒸发P型电极的步骤、蒸发N型电极、合金的步骤、镀膜的步骤。本发明还涉及由上述制备方法制得的超辐射发...
薛正群
周东豪
王凌华
林琦
林中晞
陈阳华
苏辉
一种DFB半导体激光器制备方法及激光器
本发明涉及一种DFB半导体激光器的制备方法,包括以下步骤:步骤S11、制备基片:在衬底层上形成量子阱结构和外延结构,制成基片;步骤S12、制备脊型波导结构:在步骤S11制备的基片表面靠近出光端面的区域腐蚀形成脊型波导结构...
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一种超辐射发光二极管的制作方法及制得的发光二极管
本发明涉及一种超辐射发光二极管的制作方法,包括以下步骤:一次外延片的生长步骤、形成脊的步骤、掩埋的步骤、形成P面电极金属的步骤、形成N面电极金属的步骤、解离的步骤,从而制得超辐射发光二极管。本发明还提出一种由所述制作方法...
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一种DFB半导体激光器制备方法及制得的激光器
本发明涉及一种DFB半导体激光器制备方法,包括以下步骤:步骤S11、制备外延片:外延片采用波导和有源区结构;步骤S12、制备基片:在外延片表面的光栅层上制备均匀的部分光栅,并对光栅进行掩埋生长;步骤S13、制备脊型波导:...
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