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李传皓

作品数：33 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 33篇中文专利

领域

  • 10篇电子电信
  • 5篇金属学及工艺
  • 2篇化学工程

主题

  • 17篇氮化镓
  • 11篇氮化
  • 11篇金属有机物
  • 10篇迁移率
  • 9篇电子迁移率
  • 9篇金属有机物化...
  • 9篇高电子迁移率
  • 8篇成核
  • 7篇异质结
  • 7篇二维电子
  • 7篇二维电子气
  • 6篇输运
  • 5篇势垒
  • 5篇重掺杂
  • 4篇氮化铝
  • 4篇氮化硼
  • 4篇氮化物
  • 4篇气相外延
  • 4篇气相外延生长
  • 4篇化物

机构

  • 33篇中国电子科技...

作者

  • 33篇李传皓
  • 31篇李忠辉
  • 29篇彭大青
  • 9篇杨乾坤
  • 6篇张东国

年份

  • 5篇2024
  • 7篇2023
  • 9篇2022
  • 3篇2021
  • 4篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2015
共 33 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种降低氮化镓高电子迁移率场效应管界面热阻的外延生长方法
本发明涉及一种降低氮化镓高电子迁移率场效应管界面热阻的外延生长方法，外延材料的生长采用金属有机物化学气相淀积等气相外延生长方法，氮化镓外延片自下而上依次包括衬底、下层氮化铝成核层、上层氮化铝成核层氮化铝成核层、氮化镓层过...
李忠辉彭大青李传皓
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一种改善氮化镓异质外延与衬底间界面形貌的外延方法
本发明公开了一种改善氮化镓异质外延与衬底间界面形貌的外延方法，利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)材料生长技术，通过对氮化铝成核层采用铝源和氨源的分时输运及载气转换工艺、第一氮化镓缓冲层采用高压和第二氮化镓缓冲层采用...
李传皓李忠辉彭大青
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一种提升六方氮化硼材料质量的外延生长方法
本发明公开了一种提升六方氮化硼材料质量的外延生长方法，属于半导体外延材料技术领域。本方法对单晶衬底采用表面氮化处理形成一薄层非晶氮化层，为后续六方氮化硼材料生长提供高密度的成核格点，采用源的分时输运工艺在非晶氮化层表面生...
李传皓李忠辉彭大青
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一种薄外延层氮化镓高电子迁移率晶体管材料的外延方法
本申请公开了一种薄外延层氮化镓高电子迁移率晶体管材料的外延方法，首先采用氨气脉冲与Al源流量调制的方法生长AlN，在反应腔通氨气时，通高流量三甲基铝，降低V/III比，改善氮化铝质量；反应腔不通氨气时，通低流量三甲基铝，...
杨乾坤彭大青李忠辉张东国李传皓
一种氮化物高电子迁移率晶体管外延材料的生长方法
本发明公开了一种氮化物高电子迁移率晶体管外延材料的生长方法，在衬底上依次生长缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层采用两步法生长，第一步采用至少一种III族源流量渐变工艺生长第一层AlGaN势垒层，第二...
彭大青李忠辉李传皓陈韬
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一种高频氮化镓肖特基二极管外延片及其制备方法
本发明公开了一种高频氮化镓肖特基二极管外延片及其制备方法，所述高频氮化镓肖特基二极管外延片的结构从下往上依次包括：衬底层、AlN成核层、InAlN成核层、下层非故意掺杂GaN层、上层非故意掺杂GaN层、n<Sup>+</...
李传皓李忠辉潘传奇
一种高均匀性氮化镓异质结材料结构及外延生长方法
一种高均匀性氮化镓异质结材料结构及外延生长方法，涉及半导体单晶薄膜技术领域。所述材料结构自下而上包括：SiC衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、InAlGaN插入层、AlGaN势垒层；所述材料采用金属有机物化学气相沉积方法...
彭大青李忠辉李传皓杨乾坤陈韬
一种降低氮极性氮化镓外延材料氧杂质浓度的生长方法
一种降低氮极性氮化镓外延材料氧杂质浓度的生长方法，步骤如下：将单晶衬底放入反应室中；在单晶衬底上生长AlN成核层；在AlN成核层上生长h‑BN隔离层；在h‑BN隔离层上生长Al<Sub>y</Sub>Ga<Sub>1‑y...
李传皓彭大青杨乾坤
一种N极性AlGaN/GaN高电子迁移率场效应管
本发明公开了一种N极性AlGaN/GaN高电子迁移率场效应管，沿外延生长方向自下而上分别为：单晶衬底；GaN缓冲层；GaN掺杂层；第一Al<Sub>x1</Sub>Ga<Sub>1‑x1</Sub>N势垒层；第二Al<S...
李传皓李忠辉彭大青
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一种低应力高质量氮化物材料外延方法
本发明提供一种低应力高质量氮化物材料外延生长方法，步骤包括S1.采用MOCVD设备，选择单晶衬底，清除衬底污染物；S2.通入金属有机源，生长成核层；S3.关闭金属有机源，通入三甲基镓，生长第一层GaN缓冲层；S4.原位刻...
杨乾坤李忠辉彭大青李传皓张东国徐轩
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