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胡征

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海冶金研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇探测器
  • 1篇磷化铟
  • 1篇光电
  • 1篇光电探测
  • 1篇光电探测器
  • 1篇INP
  • 1篇波导

机构

  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 1篇施惠英
  • 1篇陈兴国
  • 1篇程宗权
  • 1篇王晨
  • 1篇吕章德
  • 1篇朱祖华
  • 1篇蒋惠英
  • 1篇王惠民
  • 1篇杨易
  • 1篇胡征
  • 1篇吴学海

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇1996
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
InP系波导和光电探测器单片集成
1996年
本文主要报道ＩｎＰ光波导和ＩｎＧａＡｓ－ＰＩＮ光电探测器的单片集成，包括材料生长、器件工艺、器件测试三个部份．器件的结构和制作方法较为简单，而代表器件性能的主要参数可与国外同类器件相接近，如光波导损耗最小为８．６ｄＢ／ｃｍ，器件正向压降为０．４～０．６Ｖ，反向击穿电压＞４０Ｖ，响应度～０．５Ａ／Ｗ，上升时间＜０．９ｎｓ．
杨易陈兴国程宗权王惠民吕章德蒋惠英王晨施惠英吴学海朱祖华胡征
关键词：磷化铟光电探测器单片集成
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