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南征

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院国际材料物理中心更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 1篇电子偶素
  • 1篇真空
  • 1篇正电子
  • 1篇探针
  • 1篇体硅
  • 1篇退火
  • 1篇退火行为
  • 1篇离子注入
  • 1篇溅射
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体硅
  • 1篇硅
  • 1篇产额

机构

  • 2篇中国科学技术...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 3篇南征
  • 2篇韩荣典
  • 2篇周先意
  • 2篇翁惠民
  • 2篇朱警生
  • 1篇吴建新
  • 1篇林成鲁
  • 1篇麻茂生
  • 1篇刘先明
  • 1篇秦敢
  • 1篇徐纪华
  • 1篇虞旭东

传媒

  • 2篇核技术

年份

  • 2篇1994
  • 1篇1993
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
半导体硅中近表面缺陷的慢正电子研究
南征
慢正电子探针研究离子注入硅（100）产生的缺陷及其退火行为
1994年
用慢正电子探针分别检测了Ｐ＋注入和Ｐ注入Ｓｉ（１００）的两组样品。与基底样品相比较，注入样品中的缺陷导致了正电子湮没参数的显著变化。由湮没线形参数的变化拟合了两组样品注入损伤的深度分布、缺陷对正电子的捕获系数，讨论了Ｐ＋和Ｐ注入损伤缺陷的差别和它们在退火过程中的不同行为。
韩荣典周先意翁惠民朱警生南征虞旭东秦敢林成鲁
关键词：离子注入退火硅
飞行时间法测量真空电子偶素产额研究低能离子溅射诱导的缺陷损伤
1994年
利用飞行时间谱直接测量了低能正电子与表面相互作用时的真空Ｐｓ产额．该方法比通常的峰法和峰－谷法准确、简单：利用该方法研究了Ａｒ＋溅射在Ｓｉ（１００）面上诱导的缺陷损伤及退火行为。
朱警生麻茂生刘先明吴建新周先意徐纪华南征翁惠民韩荣典
关键词：溅射正电子
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