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刘毅

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：桂林电子工业学院计算科学与应用数学系更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇铁电
  • 1篇铁电薄膜
  • 1篇I-V

机构

  • 1篇桂林电子工业...
  • 1篇华中理工大学

作者

  • 1篇王华
  • 1篇任鸣放
  • 1篇于军
  • 1篇刘毅

传媒

  • 1篇桂林电子工业...

年份

  • 1篇1999
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
MFSM结构铁电薄膜系统I-V特性研究被引量：1
1999年
为制备符合铁电场效应晶体管（ＦＦＥＴ）及铁电存储二极管（ＦＭＤ）要求的高质量铁电薄膜，采用激光脉冲沉积方法（ＰＬＤ）制备了Ａｕ／ＰＺＴ／ｐ－Ｓｉ／Ａｕ 和Ａｕ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ／Ａｕ 多层结构的两种铁电薄膜系统。分析表明，在不同的电压范围，起主导作用的导电机制不同：电压低于１Ｖ时，漏电流遵循欧姆定律，电压在２．２～３．０Ｖ时，空间电荷限制电流（ＳＣＬＣ）占主导地位。Ｉ－Ｖ 特性曲线的结果表明Ａｕ／ＰＺＴ／ＢＩＴ／ｐ－Ｓｉ／Ａｕ 结构比Ａｕ／ＰＺＴ／ｐ－Ｓｉ／Ａｕ 结构的漏电流密度低两个数量级，Ｉ－Ｖ 特性曲线回滞窗口增大０．３Ｖ，这说明ＰＺＴ铁电薄膜与Ｓｉ衬底之间加入ＢＩＴ铁电层有助于降低漏电流密度。
王华于军任鸣放刘毅
关键词：铁电薄膜
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