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权乃承

作品数:21 被引量:15H指数:2
供职机构:西安交通大学更多>>
发文基金:陕西省自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金能源基金更多>>
相关领域:理学机械工程电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 8篇专利
  • 4篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 10篇理学
  • 5篇机械工程
  • 4篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程

主题

  • 7篇消色差
  • 7篇光谱
  • 6篇望远系统
  • 5篇退火
  • 5篇偏光镜
  • 5篇热蒸发
  • 5篇光镜
  • 4篇分辨率
  • 4篇高分辨率
  • 3篇双折射
  • 3篇偏振
  • 3篇溅射
  • 3篇光学
  • 3篇光致
  • 3篇光致发光
  • 3篇发光
  • 3篇分束器
  • 3篇ZNS薄膜
  • 2篇带隙
  • 2篇单轴晶体

机构

  • 11篇西安交通大学
  • 10篇陕西师范大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 21篇权乃承
  • 11篇张淳民
  • 10篇穆廷魁
  • 9篇孙杰
  • 9篇高斐
  • 6篇刘立慧
  • 6篇张佳雯
  • 6篇晏春愉
  • 6篇郝培风
  • 2篇张君善
  • 2篇刘伟
  • 2篇方晓玲
  • 2篇刘晓静
  • 1篇苗锟

传媒

  • 3篇人工晶体学报
  • 1篇物理学报
  • 1篇电源技术
  • 1篇功能材料
  • 1篇材料开发与应...
  • 1篇材料科学与工...
  • 1篇2013年(...
  • 1篇2015年(...

年份

  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2013
  • 4篇2010
  • 6篇2009
21 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
nc-Si∶(Al_2O_3+SiO_2)复合膜的制备及其热电特性
2010年
采用真空热蒸发技术在石英玻璃衬底上蒸镀约400 nm的铝膜,并在空气中580℃的条件下退火1 h。在退火过程中Al与石英中的SiO2反应形成纳米硅nc-Si∶(Al2O3+SiO2)复合膜。利用X射线衍射(XRD)、拉曼散射(Raman)及扫描电镜(SEM)等方法研究了薄膜的结构特性。测得膜厚约为760 nm,估算出薄膜中纳米硅(nc-Si)的平均尺寸约为25 nm。实验发现该nc-Si∶(Al2O3+SiO2)复合膜有热电特性,研究了其电阻率及Seebeck系数随温度(293-413 K)的变化关系,在293 K和413 K该薄膜的Seebeck系数分别约为-624μV/K和-225μV/K。
郝培风高斐苗锟刘立慧孙杰权乃承刘晓静张君善
关键词:热电薄膜热蒸发SEEBECK系数
一种图像、光谱、偏振态一体化获取装置及方法
本发明公开了一种图像、光谱、偏振态一体化获取装置及方法,沿入射光的传播方向,以主光轴从左到右设有前置望远系统,消色差的<Image file="DDA0000903413190000011.GIF" he="127" i...
张淳民权乃承穆廷魁
文献传递
图像、高分辨率强度光谱与线偏振光谱探测系统与方法
本发明公开了一种图像、高分辨率强度光谱与线偏振光谱探测系统与方法,该系统沿入射光线的主光轴从左到右依次设有用于准直的望远系统、第一延迟器、第二延迟器、Wollaston棱镜、Savart偏光镜、第三延迟器、检偏器、成像镜...
张淳民权乃承穆廷魁
真空热蒸发制备ZnS薄膜及其特性的研究被引量:4
2010年
用真空热蒸发在不同衬底温度下制备了ZnS薄膜,利用X射线衍射(XRD)、X射线能谱(EDAX)、紫外可见分光光度计(UV-vis)和原子力显微镜(AFM)研究了ZnS薄膜的晶体结构、成分、光学性能和形貌,分析了衬底温度对ZnS薄膜结构与光学特性的影响。结果表明,所制备的ZnS薄膜呈立方闪锌矿结构,衬底温度为300℃所制备的ZnS薄膜原子比(S/Zn)为0.95/1;薄膜表面均匀致密,呈多晶态,晶粒尺寸为18.2nm;在可见区有好的透射性能,光学禁带宽度为3.82eV。
权乃承高斐孙杰刘立慧郝培风
关键词:ZNS薄膜热蒸发光学带隙
一种宽场、消色差横向剪切双折射分束器
本发明公开了一种宽场、消色差横向剪切双折射分束器,该分束器由六块单轴晶体平板沿入射光传播方向依次拼接组成,前置两块厚度相等的平板由YVO<Sub>4</Sub>制作,光轴分别位于xz平面与yz平面,光轴均与z轴成90°夹...
张淳民权乃承穆廷魁
文献传递
Cu_2O薄膜的制备方法被引量:2
2009年
氧化亚铜(Cu2O)薄膜在太阳能电池及其它光电器件上有重要应用,它具有无毒、制备成本低、材料广泛易得等优点。制备Cu2O薄膜的方法主要有热蒸发、溅射、化学气相沉积和电化学沉积等,本文对Cu2O薄膜的制备方法进行了综述与展望。
孙杰高斐权乃承晏春愉张佳雯郝培风刘立慧
关键词:热蒸发溅射化学气相沉积
图像、高分辨率强度光谱与线偏振光谱探测装置和方法
本发明公开了一种图像、高分辨率强度光谱与线偏振光谱探测装置及方法,该装置沿入射光线的主光轴从左到右依次设有望远系统、消色差四分之一波片、延迟器、Wollaston棱镜、Savart偏光镜、延迟器、检偏器、成像镜及CCD探...
张淳民权乃承穆廷魁
文献传递
用磁控溅射和退火方法制备多层锗纳米晶被引量:1
2009年
以Si为衬底,SiO2+Ge为复合靶,用超晶格方法(SiO2+Ge层和SiO2+GeO2层交替生长)和磁控溅射技术制备镶嵌于Si/Ge氧化膜中的多层Ge纳米晶。X射线衍射(XRD)结果表明:退火样品中有Ge纳米晶生成。Ge纳米晶的声子限域效应引起Raman散射谱的Ge-Ge振动峰向低频移动。X射线光电子能谱(XPS)分析表明Ge主要以Ge0和Ge4+形式分别存在于所制备的超晶格中的SiO2+Ge层和SiO2+GeO2层中。透射电子显微镜(TEM)研究表明,Ge纳米晶被限制在SiO2+Ge层中且结晶性好。实验结果说明,相比于通常的单层介质膜方法,用该超晶格方法极大地提高了Ge纳米晶的密度,尺寸和空间分布的均匀性。
晏春愉高斐张佳雯方晓玲刘伟孙杰权乃承
关键词:磁控溅射退火均匀性
图像、高分辨率强度光谱与线偏振光谱探测装置和方法
本发明公开了一种图像、高分辨率强度光谱与线偏振光谱探测装置及方法,该装置沿入射光线的主光轴从左到右依次设有望远系统、消色差四分之一波片、延迟器、Wollaston棱镜、Savart偏光镜、延迟器、检偏器、成像镜及CCD探...
张淳民权乃承穆廷魁
退火对ZnS薄膜结构和光学特性的影响
CdSe和CdS作为CuInSe薄膜太阳电池的窗口层已经为人们所熟知,而Cd的化合物可能带来的重金属污染并且对电池的短波响应有一定的影响,这促使人们寻找其替代物,ZnS已经被认为是一种有前途的窗口层材料,可以替代CdS在...
权乃承高斐孙杰张佳雯晏春愉
关键词:ZNS薄膜热蒸发退火光学带隙光致发光
文献传递
共3页<123>
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