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许俊杰

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 6篇激光
  • 6篇激光器
  • 6篇波长
  • 4篇双波长
  • 4篇重掺杂
  • 2篇电隔离
  • 2篇叠层
  • 2篇多波长
  • 2篇多量子阱
  • 2篇源区
  • 2篇窄脉冲
  • 2篇锁模
  • 2篇锁模激光
  • 2篇锁模激光器
  • 2篇无源
  • 2篇芯片
  • 2篇脉冲
  • 2篇解理
  • 2篇刻蚀
  • 2篇光子

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇朱洪亮
  • 8篇梁松
  • 8篇许俊杰
  • 4篇邓秋芳
  • 2篇韩良顺
  • 2篇乔丽君

年份

  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
基于全量子阱选择区域外延的半导体锁模激光器制作方法
本发明公开了一种基于全量子阱选择区域外延的半导体锁模激光器制作方法。所述方法包括：1.选区外延掩模设计；2.选取外延掩模图形制作；3.选区外延；4.激光器腔体结构制作；5.电隔离制作；6.电极制作；7.解理得到管芯激光器...
许俊杰梁松朱洪亮
文献传递
二维光栅双波长DFB激光器的制作方法
一种二维光栅双波长DFB激光器的制作方法，包括步骤1：在衬底上依次外延生长缓冲层、下分别限制层、多量子阱和上分别限制层；步骤2：在上分别限制层上涂甩光刻胶；步骤3：调整全息曝光的干涉条纹周期，进行第一次全息曝光；步骤4：...
韩良顺梁松许俊杰乔丽君朱洪亮
叠层选区生长制作多波长光子集成发射芯片的方法
一种叠层选区生长制作多波长光子集成发射芯片的方法，包括：在衬底上制作选区介质掩膜条对；并依次生长InP缓冲层、下分别限制层、下层多量子阱层、刻蚀终止层、上层多量子阱层以及上分别限制层；去掉部分上分别限制层和上层多量子阱层...
邓秋芳梁松许俊杰朱洪亮
基于全量子阱选择区域外延的半导体锁模激光器制作方法
本发明公开了一种基于全量子阱选择区域外延的半导体锁模激光器制作方法。所述方法包括：1.选区外延掩模设计；2.选取外延掩模图形制作；3.选区外延；4.激光器腔体结构制作；5.电隔离制作；6.电极制作；7.解理得到管芯激光器...
许俊杰梁松朱洪亮
文献传递
共腔双波长分布反馈激光器的制作方法
一种共腔双波长分布反馈激光器的制备方法，该方法包括如下步骤：步骤1：在掺杂磷化铟衬底上制作下层光栅；步骤2：在下层光栅上外延生长下光栅覆盖层和有源区层；步骤3：在有源区层上制作上层光栅；步骤4：在上层光栅上外延生长掺杂磷...
邓秋芳朱洪亮许俊杰梁松
文献传递
二维光栅双波长DFB激光器的制作方法
一种二维光栅双波长DFB激光器的制作方法，包括步骤1：在衬底上依次外延生长缓冲层、下分别限制层、多量子阱和上分别限制层；步骤2：在上分别限制层上涂甩光刻胶；步骤3：调整全息曝光的干涉条纹周期，进行第一次全息曝光；步骤4：...
韩良顺梁松许俊杰乔丽君朱洪亮
文献传递
叠层选区生长制作多波长光子集成发射芯片的方法
一种叠层选区生长制作多波长光子集成发射芯片的方法，包括：在衬底上制作选区介质掩膜条对；并依次生长InP缓冲层、下分别限制层、下层多量子阱层、刻蚀终止层、上层多量子阱层以及上分别限制层；去掉部分上分别限制层和上层多量子阱层...
邓秋芳梁松许俊杰朱洪亮
文献传递
共腔双波长分布反馈激光器的制作方法
一种共腔双波长分布反馈激光器的制备方法，该方法包括如下步骤：步骤1：在掺杂磷化铟衬底上制作下层光栅；步骤2：在下层光栅上外延生长下光栅覆盖层和有源区层；步骤3：在有源区层上制作上层光栅；步骤4：在上层光栅上外延生长掺杂磷...
邓秋芳朱洪亮许俊杰梁松
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