李彬
- 作品数：2 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十四研究所更多>>
- 发文基金：中国电子科技集团公司创新基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 用刻蚀坑方法抑制平面型InGaAs/InP盖革模式APD的边缘击穿被引量：1
- 2018年
- 通过测量平面型InGaAs/InP雪崩光电二极管闭管扩散器件帽层InP中Zn杂质的分布,拟合出掺杂浓度随扩散深度的变化函数,并且利用离化积分研究不同倍增层厚度下的最佳刻蚀坑深度和最佳刻蚀方法.结果表明在帽层深度不变的情况下,最佳刻蚀坑深度会随着倍增层厚度而变化,当倍增层厚度为1μm左右时刻蚀坑深度在0.1~0.3μm之间.采取反应离子刻蚀可以获得良好的刻蚀坑形貌,有利于边缘击穿的抑制.
- 侯丽丽韩勤李彬李彬王帅
- 关键词：雪崩光电二极管刻蚀反应离子刻蚀
- InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管InP顶层掺杂研究被引量：4
- 2017年
- 通过理论计算和对比实验研究了InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管中InP顶层掺杂浓度对于器件性能的影响.理论结果显示,InP顶层的掺杂浓度越低越有利于抑制边缘击穿,降低隧穿暗载流子产生速率,提高雪崩击穿几率.实验结果显示,顶层非故意掺杂的器件在223K下获得了20%的单光子探测效率和1kHz的暗计数率,其单光子探测效率比顶层掺杂浓度为5×10^(15)/cm^3的器件高3%~8%,而暗计数率低一个量级.结果表明,降低InP顶层的掺杂浓度有利于提高器件性能.
- 李彬陈伟黄晓峰迟殿鑫姚科明王玺柴松刚高新江
- 关键词：INGAAS/INP
