李杰
- 作品数：7 被引量：31H指数：4
- 供职机构：南京理工大学化工学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省教委自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：环境科学与工程理学兵器科学与技术电子电信更多>>
- Mo-TiO_2/AC光催化剂的制备及可见光降解L-酸的研究被引量：12
- 2007年
- 采用溶胶-凝胶法制备了Mo6+掺杂TiO2光催化剂,并将其负载于粒状活性炭上,以1-萘酚-5-磺酸(L-酸)为模型反应物,研究了对L-酸的光催化作用并讨论了不同光源以及负载次数对L-酸的去除率和溶液的总有机碳去除率的影响.结果表明,Mo6+掺杂扩大了TiO2催化剂的光谱响应范围.负载于活性炭上的掺杂二氧化钛为锐钛矿相,粒径约为17.8 nm.负载次数增多,催化剂的活性下降.Mo6+的掺杂不影响负载催化剂的紫外光活性及对L-酸的吸附能力.100 mg.L-1的L-酸溶液加0.4 g催化剂,在可见光下反应4 h,掺杂催化剂对L-酸和溶液总有机碳的去除率分别为57%和53%,而未掺杂的催化剂去除率分别为13%和10%.催化剂反复使用4次,催化活性没有变化.
- 王玉萍袁俊秀李杰彭盘英王连军
- 关键词：可见光光降解负载型催化剂
- 基于Parylene C的单触发开关性能实验研究被引量：3
- 2015年
- 为了研制具有高导通电流和高导通速率能力的单触发开关,利用微加工技术制备了基于Parylene C的三明治结构单触发开关。在主回路充电电压1.0~1.6kV的范围内,分析了开关触发回路电流、电压特性,导通峰值电流、上升时间、开关延迟时间,并且对单触发开关的电感、电阻做了估算。结果表明,基于Parylene C的单触发开关性能优于基于聚酰亚胺的单触发开关;随着开关加载电压的升高,开关导通的峰值电流呈现不断增大的趋势,但是上升时间几乎不变,其延迟时间分布在1~200μs之间,呈随机性分布,开关电阻随其作用时间增加不断增大。
- 胡博李杰朱朋沈瑞琪叶迎华吴立志
- 关键词：爆炸箔起爆器微电子机械系统
- 硫掺杂TiO/_2光催化降解萘系化合物
- 本文以硫脲为掺杂剂，采用溶胶-凝胶法合成了掺S的二氧化钛催化剂。研究了焙烧温度和掺杂量对掺S的二氧化钛光催化降解活性的影响。X射线衍射/(XRD/)、固体紫外漫反射光谱/(DRS/)等分析发现最佳焙烧温度是500℃，最佳...
- 李杰
- 关键词：光催化二氧化钛硫掺杂可见光Β-萘酚
- 文献传递
- 焙烧温度对纳米Mo-TiO_2可见光催化活性的影响被引量：7
- 2007年
- 用溶胶凝胶法制备Mo掺杂TiO2光催化剂,运用TG-DTA分析了光催化剂在热处理过程中发生的物理和化学变化。UV-VIS光谱显示当焙烧温度为500℃时Mo-TiO2光吸收带边红移程度最大;XRD分析表明随着焙烧温度的升高,纳米Mo-TiO2晶粒粒径增大、金红石型的含量增高。亚甲蓝溶液的光催化降解结果表明,当焙烧温度为400℃时,Mo-TiO2可见光光催化活性最好。
- 袁俊秀李杰王玉萍
- 关键词：溶胶凝胶法光催化活性焙烧温度
- Al/Ni自支撑纳米含能薄膜制备及在热电池中的应用被引量：4
- 2015年
- 采用真空磁控溅射镀膜和光刻技术制备出成膜质量良好的Al/Ni自支撑纳米含能薄膜,并将其应用于热电池中,替代传统热电池中的锆加热剂作为热电池的热源组件。结果表明:采用Al/Ni自支撑纳米含能薄膜作为热电池中的加热剂材料能够提升热电池性能;利用末端加热工艺可有效减少热电池的热损失;在不同电流密度下激发,激活时间与输出电流密度成正比,工作时间和峰值电压与输出电流密度成反比。
- 程龙李杰官震余福山朱朋叶迎华李永坚
- 关键词：热电池
- 溶胶凝胶法制备硫掺杂TiO_2及其可见光催化性能的研究被引量：3
- 2007年
- 以钛酸丁酯和硫脲为原料,用溶胶凝胶法制备掺杂硫的TiO2光催化剂,并用XRD、XPS、及UV-Vis吸收光谱对粉体进行了表征.以其对亚甲蓝和1-萘酚-8-磺酸的去除率来考察催化剂的可见光活性.结果表明:硫的掺杂减小了TiO2的禁带能隙,使其在可见光区具有光催化活性.硫的掺杂量对TiO2光催化剂的可见光吸收范围及可见光活性有明显的影响.当S掺杂量在1.2%时,样品的吸收带边可达450nm,对亚甲蓝的光降解率最高.10mg.L-1的1-萘酚-8-磺酸使用1.2%S-TiO2催化剂在可见光下反应7h,去除率达72.4%.该催化剂为锐钛矿型,平均粒径约为7.4nm.XPS分析结果表明,S原子在催化剂中主要以S6+和S4+价态存在.
- 李杰王玉萍彭盘英
- 关键词：溶胶-凝胶法硫掺杂掺杂量可见光光催化降解
- Al/CuO肖特基结换能元芯片的非线性电爆换能特性被引量：4
- 2016年
- 依据肖特基势垒理论,设计并制备了Al/CuO肖特基结换能元芯片。用击穿电压仪研究了换能元芯片的电击穿性能,用电容放电的激发方式研究了芯片的电爆特性。结果表明,对前者,芯片存在发火阈值,具有整流特性,击穿电压与肖特基结的个数无关,击穿电压为8 V;对后者,芯片也存在发火阈值,发火阈值与肖特基结数呈正相关,芯片还具有发火延迟特性。延迟时间的长短与肖特基结数也呈正相关。同时芯片还具有多次激发而连续发火的特性。显示Al/CuO肖特基结换能元芯片是一种具有非线性电爆换能特性的新型电爆换能元。
- 李杰朱朋胡博沈瑞琪叶迎华吴立志
- 关键词：含能材料
